В книге подробно рассматривается кинетическая теория формирования полупроводниковых наноструктур на поверхности твердого тела, описываются основные физические концепции и модели процессов образования эпитаксиальных пленок, квантовых точек и нитевидных нанокристаллов (нановискеров). Излагаются основы теории нуклеации и конденсации и возможности ее применения для моделирования ростовых процессов, морфологии и физических свойств эпитаксиальных наноструктур. Особое внимание уделяется теоретическим моделям формирования квантовых точек и нановискеров полупроводниковых соединений III—V. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными, полученными для различных систем материалов и условий осаждения. Никаких предварительных знаний по теории нуклеации, физической кинетике, физике поверхностных явлений не требуется, все необходимые сведения приведены в тексте. Для студентов, бакалавров и аспирантов, специализирующихся в области физики, материаловедения и некоторых других технических дисциплин, а также для ученых и инженеров, желающих глубже понять теоретические основы современной физики и технологии наноструктур.

Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др.). Выведены основные теоретические соотношения, определяющие характеристики этих приборов. Большое внимание уделено описанию особенностей современных быстродействующих приборов с субмикронными и нанометровыми размерами, в том числе приборов, в работе которых используются гетеропереходы, квантовые ямы и квантовые точки. Помимо этого, в книге рассмотрены основы планарной технологии, описаны возникшие в последнее время технологические проблемы и указаны перспективные пути их решения. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области физики полупроводников.

Пособие соответствует гос. образовательному стандарту направления подготовки 140400 "Техническая физика" и содержанию учебной программы дисциплины ОПД.Ф.03 "Материаловедение и технология конструкционных материалов". Содержит сведения по физическим основам формирования микронеоднородных областей в стекле вследствие протекания сегрегационых явлений активатора на основе обобщения результатов ведущихся в мире интенсивных исследований в области стеклообразного состояния вещества и композитных структур на основе стекол. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки 140400 "Техническая физика" при изучении дисциплин "Материаловедение и технология конструкционных материалов" и "Физика некристаллических твердых тел". Может быть использовано для подготовки студентов по направления "Электроника и микроэлектроника", а также аспирантами, инженерами и научными работниками, специализирующимися в области микро- и наноэлектроники.

Монография адресована исследователям и инженерам, работающим в области квантовой электроники и ядерной физики. Некоторые разделы книги могут представлять интерес для широкого круга научных работников и инженеров, а также аспирантов и студентов старших курсов.

Книга ученого из ФРГ содержит систематическое изложение актуальных вопросов динамики нелинейных систем, неравновесных фазовых переходов и возникновения детерминированного хаоса в приложении к физике полупроводников. Сделана попытка связать физику полупроводников с теорией линейных механических систем, далеких от термодинамического равновесия. Рассматриваются токовые пространственно-временные неустойчивости и структуры, автоколебания, проводится сравнение теории с результатами экспериментальных исследований синергетических явлений в полупроводниках. Для студентов, аспирантов и широкого круга физиков, интересующихся нелинейными явлениями в полупроводниках.

Монография посвящена исследованиям по созданию лазеров с ядерной накачкой, выполненным на стационарном ядерном реакторе ВВР-К в казахстанском Институте ядерной физики. Дан краткий обзор работ по лазерам с прямой ядерной накачкой, механизмам образования инверсной заселенности в лазерах с ионизирующей накачкой.

Этот сборник посвящен 80-летию со дня рождения выдающегося ученого и крупного государственного деятеля нашей страны академика Российской академии наук Юрия Андреевича Осипьяна (1931-2008 гг.). Основное направление исследований Юрия Андреевича - физика твердого тела. Результаты работ, выполненных Ю. А. Осипьяном с сотрудниками в 1960-е г., привели к созданию нового научного направления - дислокационная физика, которое успешно развивается и в настоящее время. Вошедшие в сборник статьи распределены довольно условно по четырем разделам: первые работы; изучение свойств дислокаций в полупроводниках; высокотемпературные сверхпроводники; физика фуллеренов и наноструктурированных углеродных материалов. Каждый из разделов отражает эволюцию основных направлений исследований Юрия Андреевича и созданной им "школы Осипьяна".

Настоящий сборник имеет своей целью познакомить на базе зарубежных работ с состоянием и основными направлениями исследований в области квантовой электроники оптического диапазона, т. е. устройством, принципами работы и возможностями применений лазеров - оптических квантовых генераторов и усилителей, позволяющих получать остронаправленные мощные пучки света. В сборник включены работы крупных зарубежных специалистов (Таунса, Шавлова, Джавана, Зингера, Коллинза и др.) по теоретическим и экспериментальным исследованиям процессов возбуждения и генерации излучения в твердых телах и газовых смесях, по вопросам оптической накачки, модуляции и демодуляции, оптическим резонаторам и световодам. Если не считать недавно вышедшей полупопулярной брошюры со статьями А. Шавлова, С. Фогеля и Д. Далберджера "Оптические квантовые генераторы" (ИЛ, 1962), книга по этому вопросу появляется у нас впервые. Сборник рассчитан в первую очередь на физиков и инженеров, работающих в области квантовой электроники, но может быть полезен и для более широкого круга читателей (физиков, химиков, радиоинженеров, биологов и т. д.), желающих более подробно познакомиться с физикой и техникой лазеров или интересующихся их практическими применениями.

Книга представляет собой монографию крупных американских специалистов в области современной наноэлектроники. В ней систематически излагается теория, необходимая для понимания свойств наноструктур, изучения фононов и эффектов с их участием в наноструктурах с размерным ограничением по одной или более координатам. Уровень изложения материала доступен для студентов и аспирантов, которые прослушали курс квантовой механики и курс физики твердого тела или твердотельных устройств. Предполагается также знание основ электромагнетизма и классической акустики.

В монографии изложены новейшие достижения в области аналитического и компьютерного моделирования механических процессов в конденсированном веществе с микроструктурой. Подробно обсуждаются как методы компьютерного моделирования, так и теоретические основы описания процессов деформирования и разрушения. Подходы, рассматриваемые в книге, особенно важны для описания процессов. при которых происходит нарушение сплошности материала. а также при переходе на масштабные уровни, на которых существенным оказывается учет атомарного строения вещества, в частности, для описания наноструктур. Монография содержит как оригинальные результаты автора, так и необходимые сведения учебного характера из соответствующих разделов механики. Книга основана на материалах, опубликованных автором в последние годы в российских и зарубежных издательствах. Для научных сотрудников, преподавателей, аспирантов и студентов вузов, обучающихся по физическим и математическим специальностям.

Рассматриваются структура и динамика магнитных неоднородностей в ферромагнетиках и антиферромагнетиках. Излагается солитонная модель зародышеобразования и перемагничивания. Описывается влияние различных типов внешних воздействий (внешних магнитного и электрического полей), диссипативных процессов, магнитоупругого и магнитоэлектрического взаимодействий на характеристики нелинейных волн и магнитных солитонов. Рассматривается динамика топологического магнитного соли-тона в обменно-связанных магнитных слоях. Излагается теория авторезонансной генерации нелинейных колебаний намагниченности в магнитных пленках и малых частицах, доменных стенок, а также магнитного бризера. Рассматриваются вопросы авторезонансного управления нелинейной динамикой намагниченности и доменной структуры. Монография представляет интерес для научных работников, аспирантов и магистрантов, занимающихся теоретическими и экспериментальными исследованиями в области физики конденсированного состояния, физики магнитных явлений, теоретической и математической физики, магнитной микро- и наноэлектроники.