Модификация оптических свойств изотропных материалов для фотонных кристаллов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. М. Герасимов ; науч. рук. Ю. В. Микляев, офиц. оппоненты: А. В. Емельяненко, С. М. Шандаров; Южно-Уральский гос. ун-т, Санкт-Петербургский нац. исслед. ун-т информ. технологий, механики и оптики. — Челябинск, 2015. — 19 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Фотонные кристаллы из изотропного материала для генерации второй гармоники: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Д. Г. Пихуля ; науч. рук. Н. Д. Кундикова, офиц. оппоненты: В. Б. Цветков, В. Я. Шур; Южно-Уральский гос. ун-т, Самарский филиал "Физического института им. П. Н. Лебедева" РАН. — Челябинск, 2015. — 20 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. Г. Сысоева ; науч. рук. В. И. Олешко, офиц. оппоненты : С. В. Никифоров, Е. И. Липатов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Томск, 2018. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-23.

Деформация и разрушение модифицированных ионными пучками материалов при трении: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / Б. П. Гриценко ; науч. консультант В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: В. П. Кривобоков, А. А. Батаев, Ю. Ф. Иванов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Институт машиноведения УрО РАН. — Томск, 2007. — 30 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-30.

Математические модели отрицательной рефракции электромагнитных волн в диспергирующих, инверсных и анизотропных средах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.13.18 / Е. И. Барыкина ; науч. рук. Р. А. Браже, офиц. оппоненты: М. К. Самохвалов, С. Н. Миков; Ульяновский государственный технический университет (Ульяновск ; ), Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН (Ульяновск). — Ульяновск, 2009. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.

Формирование биосовместимых кальций-фосфатных покрытий методом высокочастотного магнетронного распыления: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Р. А. Сурменев ; науч. рук. В. Ф. Пичугин, офиц. оппоненты: А. В. Градобоев, Ю. Ф. Иванов; Томский политехнический университет (Томск), Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 2008. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.

Модификация структуры и свойств металлических материалов интенсивными электронными пучками: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 05.27.02, 01.04.07 / В. П. Ротштейн ; офиц. оппоненты: А. Д. Коротаев, И. П. Чернов, Г. Е. Ремнев; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 1995. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-37.

Физико-технологическое моделирование,выращивание и свойства новых градиентных монокристаллов ниобата лития и ниобата калия : автореф. дис. на соиск.учен. степ. д-ра физ.-мат. наук / [научн. конс. Строганова Е. В., офиц. опп.Сидоров Н. В., Шандаров С. М., Вербенко И. А.]; Кубанский государственный университет (Краснодар), кафедра оптоэлектроники, Институт лазерной физики СО РАН (Новосибирск). — Краснодар, 2023. — 39 с.: граф. — на правах рукописи. — Библиогр.: с. 30. — Схема доступа: http://.

Динамика и механизмы образования дефектов в щелочно-галоидных кристаллах при интенсивном оптическом возбуждении примесных центров: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. П. Данилов ; офиц. оппоненты: В. В. Михайлин, В. А. Смирнов, И. Л. Броневой; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН (М.). — М., 1997. — 27 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-27.

Радиационно-термическая активация диффузного массопереноса в оксидной керамике: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / С. А. Гынгазов; Нац. исслед. Томский политехн. ун-т. — Томск, 2011. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 34-37.