| 111 |
|
Элементы интегральных схем: переводное издание / Р. Маллер, Т. Кейминс ; пер. с англ. Е. З. Мазеля, Л. С. Ходоша. — М.: Мир, 1989. — 630, [2] с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 5-03-001100-5: 3.20 р.
|
| 112 |
|
СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках: учеб. пособие для вузов по напр. 210100 " Электроника и наноэлектроника" / А. Г. Васильев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой. — М.: Техносфера, 2011. — 256 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94836-271-7: 475.00 р.
Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 «Электроника и наноэлектроника». Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.
|
| 113 |
|
Высокочастотные транзисторы и их применение: монография / Б. Л. Перельман, К. М. Брежнева. — М.: Энергия, 1977. — 176 с.: ил. — Библиогр.: с. 173-174. — 0.45 р.
|
| 114 |
|
Полупроводниковая электроника в технике связи : сб. ст. / под. ред. И. Ф. Николаевского.
Вып. 26 :. — М.: Радио и связь, 1986. — 248 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.80 р.
|
| 115 |
|
Электродинамика открытых структур миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов: сб. науч. тр. / АН УССР, Институт радиофизики и электроники, Науч. совет АН УССР по пробл. "Физика и техника миллиметровых и субмиллиметровых волн"; редкол. : В. П. Шестопалов (отв. ред.) [и др.]. — Харьков, 1990. — 170 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-7702-0062-6: 2.00 р. |
| 116 |
|
500 практических схем на ИС: справ. / Д. Уитсон ; пер. с англ. В. А. Логинова. — М.: Мир, 1992. — 376 с.: ил. — ISBN 5-03-002135-3: 63.25 р.
|
| 117 |
|
Машинный анализ электронных схем : алгоритмы и вычислительные методы: переводное издание / Л. О. Чуа ; пер. с англ. Е. С. Виленкина [и др.], под ред. В. Н. Ильина. — М.: Энергия, 1980. — 638 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — 3.90 р.
|
| 118 |
|
Плазменное анодирование в радиоэлектронике: монография / Е. Е. Аверьянов. — М.: Радио и связь, 1983. — 79 с.: ил. — (Библиотека технолога радиоэлектронной аппаратуры). — Библиогр.: с. 74-78. — 0.30 р.
|
| 119 |
|
Арсенид галлия в микроэлектронике: переводное издание / У. Уиссмен [и др.] ; под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена ; пер. с англ. под ред. В. Н. Мордковича. — М.: Мир, 1988. — 555 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — Предм.-именн. указ.: с. 548-552. — ISBN 5-03-000130-1: 4.90 р. |
| 120 |
|
Диэлектрические неоднородные волноводы оптического диапазона: монография / Л. М. Андрушко. — Киев: Технiка, 1983. — 144 с.: ил. — Библиогр.: с. 140-143. — 0.90 р.
|