| 1086 |
|
Взрывоэмиссионные источники электронов для поверхностной термообработки материалов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / Б. А. Коваль ; науч. рук. Д. И. Проскуровский, офиц. оппоненты: Д. А. Носков, Я. Е. Красик; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова (СПб.). — Томск, 1987. — 22 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 19-21.
|
| 1087 |
|
Технические аспекты электрического взрыва проводников: дис. ... д-ра техн. наук в форме научного доклада: 01.04.13 / Ю. А. Котов ; офиц. оппоненты: Г. А. Шнеерсон, А. А. Рухадзе, Ю. П. Усов; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова АН СССР (Москва). — Томск, 1986. — 43 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 39-43.
|
| 1088 |
|
Эмиттеры заряженных частиц непрерывного действия с большой поверхностью на основе разрядов с холодным катодом: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. Я. Мартенс ; науч. рук. Ю. Е. Крейндель; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 1985. — 193 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 143-155.
|
| 1089 |
|
Ионно-плазменные методы нанесения твердых аморфных углеродных покрытий на подложки большой площади: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / К. В. Оскомов ; науч. рук.: С. П. Бугаев, Н. С. Сочугов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 173 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 163-172.
|
| 1090 |
|
Ионно-плазменные методы нанесения твердых аморфных углеродных покрытий на подложки большой площади: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / К. В. Оскомов ; науч. рук. С. П. Бугаев, Н. С. Сочугов, офиц. оппоненты: Н. Н. Коваль, В. П. Кривобоков; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.). — Томск, 2001. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.
|