Учебник-монография по актуальному направлению на стыке «классической» вакуумной электроники и нанотехнологий. Наряду с теоретическими моделями особенно подробно даны сведения об экспериментальной технике для исследований, технологиях изготовления эмиттеров и различных конструкциях автокатодов. Подробно изложены результаты исследований и применения новых наноматериалов и углеродных нанотрубок для создания автокатодов и электронных пушек на их основе. Рассмотрены применения автокатодов в новых источниках света и плоских дисплеях, СВЧ приборах и рентгеновских трубках. Для студентов старших курсов и преподавателей, инженеров-разработчиков в различных областях прикладной физики и электроники.

Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 «Электроника и наноэлектроника». Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.

Проведено комплексное исследование особенностей микроструктуры порошка ниобия после механической активации в энергонапряженной планетарной шаровой мельнице. Обнаружено формирование высокодефектных наноструктурных состояний с высокими значениями кривизны кристаллической решетки и высоким уровнем локальных внутренних напряжений. Предполагается, что наблюдаемое состояние является важным каналом аккумулирования энергии деформации в процессе интенсивного деформационного воздействия.

Рассмотрены физические основы электронной спектроскопии, абсорбционной колебательно-вращательной спектроскопии высокого разрешения и спектроскопии комбинационного рассеяния. Излагаются физические принципы устройства и работы современных спектральных приборов. Представлены как классические приборы, основанные на эффектах дифракции и интерференции, так и спектрометры высокого разрешения на основе методов лазерной спектроскопии. Описан комплекс лабораторных работ, основанных на электронных спектрах поглощения и спектрах комбинационного рассеяния молекул.