| 1 |
|
Аморфные полупроводники: пер. с англ. / М. Бродски [и др.] ; под ред. М. Бродски ; пер. с англ. под ред. А. А. Андреева, В. А. Алексеева. — М.: Мир, 1982. — 419 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — Предм. указ.: с. 415-416. — 4.00 р.
Коллективная монография, написанная ведущими специалистами США, Великобритании, ФРГ, Бельгии и Франции. Освещены все основные направления исследований в области физики аморфного состояния - от проблем теоретического описания электронного спектра, кинетических и оптических свойств до проблем изготовления солнечных батарей на основе аморфных полупроводников.Для специалистов, работающих в области физики неупорядоченных систем, физики твердого тела и электронной технологии.
|
| 2 |
|
Электронные процессы в некристаллических веществах : в 2-х т. / Н. Ф. Мотт, Э. А. Дэвис ; пер.с англ. под ред. Б. Т. Коломийца. — М.; : Мир , Б.г.
Т. 2 :. — , 1982. — 369-663 с.: ил. — 2.60 р.
|
| 3 |
|
Электронные процессы в некристаллических веществах : в 2-х т. / Н. Ф. Мотт, Э. А. Дэвис ; пер.с англ. под ред. Б. Т. Коломийца. — М.; : Мир , Б.г.
Т. 1 :. — , 1982. — 368 с.: ил. — 2.90 р.
|
| 4 |
|
Квантовый транспорт : от атома к транзистору / С. Датта; пер. с англ. Д. В. Хомицкого; под ред. В. Я. Демиховского. — М.; Ижевск: Институт компьютерных исследований: Регулярная и хаотическая динамика, 2009. — 531 ил. — Библиогр.: с. 524-527. — ISBN 978-5-93972-744-0: 150.00 р.
Книга С. Датта, автора известных работ в области нанофизики и наноэлектроники, посвящена проблемам электронного транспорта в низкоразмерных полупроводниковых структурах. Последовательно рассматриваются различные квантовые системы, от атома водорода до нанотранзистора. Излагаются наиболее общие понятия и методы неравновесной статистической механики и кинетики, и при этом не предполагается первоначальное знакомство читателя с квантовой механикой. В книге приведено большое количество численных примеров, а также программ в пакете MATLAB для проведения расчетов квантовых состояний и транспорта в объемных полупроводниках и низкоразмерных структурах. Дополнения к данному изданию в форме видеолекций, посвященных ключевым результатам книги, содержатся на Интернет-сайте автора. Книга рассчитана на научных работников, инженеров, студентов старших курсов и аспирантов, специализирующихся в области физики конденсированного состояния и наноэлектроники.
|
| 5 |
|
Аморфные и поликристаллические полупроводники: монография / В. Хейванг [и др.] ; под ред. В. Хейванга, пер. с нем. М. В. Акуленок, под ред. Ю. Д. Чистякова. — М.: Мир, 1987. — 160 с.: ил. — Библиогр.: с. 148-156. — Предм.-Имен.: с. 157-158. — 1.60 р.
|
| 6 |
|
Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках: монография / Рос. АН, Физико-технический ин-т им. А. А. Иоффе; Л. П. Казакова [и др.] ; отв. ред. К. Д. Цэндин. — СПб.: Наука, 1996. — 486 с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 469-472. — ISBN 5-02-024812-6: 31000.00 р.
|
| 7 |
|
Основы физики конденсированного вещества: научное издание / Н. Б. Делоне. — Москва: Физматлит, 2011. — 233 с.: ил., граф.; 22 см. — Библиогр. в конце лекций. — ISBN 978-5-9221-1261-1: 528.00 р.
В книге кратко излагаются основы физики конденсированных сред, физики поверхности, являющейся одним из краеугольных камней столь модных сегодня нанотехнологий. При этом выдержан удачный баланс между экспериментом и теорией. Для теоретического объяснения экспериментальных данных широко использована квантовая физика. Четко прослежены общие свойства различных форм существования конденсированных сред. Обсуждаются переходные состояния между различными формами, а также основные физические законы, единые для всех форм вещества. Для студентов старших курсов университетов, а также аспирантов, молодых специалистов и инженеров.
|
| 8 |
|
Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда: монография / В. Н. Овсюк ; отв. ред. А. В. Ржанов; СО АН СССР, Институт физики полупроводников. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1984. — 253 с.: ил. — Библиогр.: с. 246-253. — 3.00 р.
В монографии с единых позиций рассмотрены основные электронные и фотоэлектрические явления в полупроводниках с областями пространственного заряда. Впервые изложена теория импеданса и высокочастотной фотоЭДС в МДП-структурах при произвольном неравновесном состоянии полупроводника, фотопроводимости в основной и примесной областях спектра, продольных эффектов в полупроводниках, а также импеданса и люкс-амперных характеристик гетеропереходов при наличии граничных электронных состояний. Книга рассчитана на научных работников, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники.
|
| 9 |
|
Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников: монография / В. Н. Добровольский, В. Г. Литовченко; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова думка, 1985. — 191 с.: ил. — Библиогр.: с. 175-191. — 2.40 р.
|
| 10 |
|
Полупроводники: переводное издание / Р. Смит ; пер. с англ. под ред. Н. А. Пенина. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1982. — 558 с.: ил. — Библиогр.: с. 200-207. — 2.70 р.
|