Методами оптической, атомно-силовой и сканирующей электронной микроскопии исследовано влияние температуры и длительности термического отжига на деформацию тонких пленок Cu, нанесенных на кремниевую подложку с промежуточным подслоем полиимида. Показано, что сжимающие термические напряжения вызывают коробление отслоившихся участков пленки, а также ее гофрирование, сопровождающееся когерентной вязкоупругой деформацией подслоя. Гофрирование пленок Cu происходит при переходе полиимида в высокоэластичное состояние, когда температура отжига превышает его температуру стеклования. Изменение параметров гофра в процессе термического воздействия определяется релаксацией нормальных и касательных растягивающих и сжимающих напряжений, периодически распределенных вдоль волнистой границы раздела "пленка-подслой".

Методами атомно-силовой и оптической микроскопии исследованы процессы пластической деформации и разрушения тонких пленок Ag и Ti при термическом и механическом нагружении. Показано, что данные процессы развиваются последовательно и самосогласованно на различных масштабных уровнях. При термическом отжиге пленок Ag изменения рельефа поверхности регулируются двумя конкурирующими процессами: ростом зерен и агломерацией материала в более крупные структуры, с последующим формированием отдельных островков. Пластическое течение тонких пленок Ti при одноосном растяжении сопровождается формированием на их поверхности двойных спиралей локализованной деформации. Разрушение пленок происходит в результате образования поперечных и продольных трещин.????.

Разработана методика аттестации шероховатости поверхности твердых тел, основанная на вычислении фрактальной размерности изображений, получаемых с помощью сканирующей зондовой микроскопии. Путем тестирования на модельных самоаффинных броуновских поверхностях определены условия корректного измерения фрактальной размерности. Разработанный алгоритм применен для численного описания шероховатости поверхности тонких пленок SiO2, нанесенных при различных температурах. Показано, что в отличие от перепада высоты и среднеквадратичной шероховатости, фрактальная размерность демонстрирует хорошую корреляцию с морфологией поверхности тонких пленок оксида кремния.

Методом атомно-силовой микроскопии исследованы закономерности гофрирования тонких пленок Al на подложке Si с подслоем полистирола при термическом воздействии. Измерение амплитуды и длины волны складок позволило выявить стадийность процесса гофрирования при различных температурах. Показано, что эволюция складок гофра в процессе отжига регулируется периодическим распределением нормальных и касательных напряжений вдоль границы раздела пленка-подслой.

Монография посвящена изучению химических взаимодействий в пленочных структурах и их связи с фазовыми превращениями как в объеме структур, так и на интерфейсах слоев. В работе представлены особенности твердофазных реакций в пленочных слоистых материалах в сравнении с объемными, определены температуры инициирования реакций, установлены правила синтеза новых фаз и последовательности фазовых превращений, показаны физические свойства синтезированных фаз, изучены особенности реакций для пленок, находящихся в равновесном или неравновесном исходном состоянии. Книга рассчитана на специалистов в области физики конденсированного состояния, физической химии и материаловедения, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

Рассмотрено формирование тонкопленочной элементной базы микросборок, позволяющее создавать микроэлектронную аппаратуру с широким диапазоном функциональных возможностей и высокими точностными характеристиками ; изложены принципы проектирования тонкопленочных элементов микросборок (МСБ) : проводящих структур, резистивных элементов, тонкопленочных реактивных элементов (конденсаторов и индуктивностей) ; описаны основные технологические процессы формирования элементов плат МСБ и особенности технологических маршрутов изготовления плат с тонкопленочными элементами, вопросы контроля и обеспечения качества изготовленных элементов. Представленные в книге материалы, обобщающие результаты многолетних исследований, проведенных в рамках выполнения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в ФГУП «ФНПЦ НИИИС им. Ю. Е. Седакова», а также исследований отечественных и зарубежных авторов, опубликованных в периодической литературе, могут оказаться полезными в качестве справочного руководства для инженеров и научных работников, занимающихся разработкой и производством микроэлектронной аппаратуры.

Методами атомно-силовой и сканирующей электронной микроскопии исследованы механизмы деградации тонких пленок в процессе термического отжига. Выявлены основные факторы, оказывающие влияние на развитие процессов массопереноса в многослойных структурах при повышенных температурах. Показано, что кривизна поверхности и внутренних границ раздела является движущей силой массопереноса, обусловливающего распад тонких пленок, перераспределение легирующих элементов и образование силицидов.

В книге подробно рассматривается кинетическая теория формирования полупроводниковых наноструктур на поверхности твердого тела, описываются основные физические концепции и модели процессов образования эпитаксиальных пленок, квантовых точек и нитевидных нанокристаллов (нановискеров). Излагаются основы теории нуклеации и конденсации и возможности ее применения для моделирования ростовых процессов, морфологии и физических свойств эпитаксиальных наноструктур. Особое внимание уделяется теоретическим моделям формирования квантовых точек и нановискеров полупроводниковых соединений III—V. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными, полученными для различных систем материалов и условий осаждения. Никаких предварительных знаний по теории нуклеации, физической кинетике, физике поверхностных явлений не требуется, все необходимые сведения приведены в тексте. Для студентов, бакалавров и аспирантов, специализирующихся в области физики, материаловедения и некоторых других технических дисциплин, а также для ученых и инженеров, желающих глубже понять теоретические основы современной физики и технологии наноструктур.

Обнаружен новый механизм деформации в наноструктурированных поверхностных слоях деформируемого твердого тела и тонких пленках — развитие локализованного пластического течения в виде двойных спиралей. Сформулированы условия развития нового механизма деформации мезомасштабного уровня. Показано, что подобный механизм деформации может развиваться только в многоуровневой среде, имеет волновую природу и хорошо согласуется с полевой теорией неупругой деформации.

Представлены результаты научно-исследовательских и опытно-технологических работ в области получения, исследования и применения ультрадисперсных порошков, наноструктур и тонких пленок в перспективных материалах машиностроения, радиоэлектроники, микротехники, в биологии, медицине, строительных материалах и нанотехнологиях. Часть докладов является логическим продолжением исследований, результаты которых опубликованы в трудах конференций. проведенных в 1966, 1999, 2003 и 2006 гг., посвященных памяти А. М. Ставера. Предназначены специалистам, инженерам, научным работникам, аспирантам, магистрантам, студентам старших курсов, занимающимся созданием, исследованием и внедрением новых перспективных материалов и нанотехнологий.

Методами атомно-силовой и просвечивающей электронной микроскопии исследованы морфология поверхности и структура тонких пленок двуокиси кремния, нитрид бора, а также их двухслойной композиции. Пленки наносились методом газофазного химического осаждения по подложки GaAs. Показано, что температура подложки оказывает существенное влияние на рельеф поверхности и внутреннюю микроструктуру диэлектрических пленок. Слои, нанесенные при 473К, имеют аморфное строение с кристаллическими включенииями, а при 573К и выше являются нанокристаллическими. Усатновлено качественное соответствие между морфологией поверхности и структурой исследованных пленок.

Рассмотрены методы оценки адгезионной прочности, изучена морфология поверхности, проведен послойный элементный анализ в приповерхностном объеме никелида титана с покрытиями из Мо и Та различной толщины. Показано, что механическая и адгезионная прочность покрытий зависит от химического состава пленки и подложки, а также толщины покрытия.