Моделирование излучения плотной высокотемпературной плазмы и физических процессов, протекающих при имплозии Z-пинчей: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / В. И. Орешкин; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2004. — 263 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 240-263.

Ионно-плазменные методы нанесения твердых аморфных углеродных покрытий на подложки большой площади: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / К. В. Оскомов ; науч. рук.: С. П. Бугаев, Н. С. Сочугов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 173 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 163-172.

Ионно-плазменные методы нанесения твердых аморфных углеродных покрытий на подложки большой площади: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / К. В. Оскомов ; науч. рук. С. П. Бугаев, Н. С. Сочугов, офиц. оппоненты: Н. Н. Коваль, В. П. Кривобоков; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.). — Томск, 2001. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Создание и применение электроразрядных эксиплексных XeCl* и KrCl* лазеров: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. Н. Панченко ; науч. рук. В. Ф. Тарасенко; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск). — Томск, 1989. — 151 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 131-151.

Распределение электронов по энергиям и элементарные процессы в плазме отрицательного свечения тлеющего разряда: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 / Г. С. Евтушенко ; науч. рук. И. И. Муравьев, офиц. оппоненты: Н. Г. Преображенский, Ю. Д. Королев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова (Л.). — Томск, 1979. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-14.