Книга представляет собой справочник-определитель электронных компонентов по их внешнему виду. Пользуясь данным справочником, можно расшифровать кодовую или цветовую маркировку большинства пассивных (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) и активных (дискретные компоненты и микросхемы) электронных компонентов отечественного и импортного производства. Справочные материалы приведены в графической и табличной форме. Поиск в определителе осуществляется по типу корпуса компонента, а далее по типу маркировки: цветовой или кодовой. Справочник содержит более 15000 кодовых маркировок активных компонентов: диодов, динисторов, стабилитронов, биполярных и полевых транзисторов, ключей, усилителей, компараторов, цифровых потенциометров, цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей, вентилей и т.п. в корпусах для поверхностного монтажа, включая такие корпуса, как SOD, SOT, MSOP, TQFN, UCSP. На все компоненты приводится справочная информация о функциональном назначении приборов, фирме-производителе, основных характеристиках и особенностях, а также цоколевке выводов. В отдельных главах приведены подробные сведения по цветовой и кодовой маркировке отечественных компонентов в корпусах типа КТ-26 и КТ-27. В главах, посвященным пассивным компонентам, рассмотрены принципы цветовой и кодовой маркировки резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности и других элементов по номиналу, допускам и другим параметрам, а также нестандартная маркировка компонентов некоторых ведущих фирм-производителей. Книга предназначена для широкого круга радиолюбителей и радиоинженеров.

Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.

В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах. Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам.

Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 «Электроника и наноэлектроника». Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.

В справочнике приведены сведения о более 5000 тыс. зарубежных и отечественных полупроводниковых приборах, выпускаемых в настоящее время и выпущенных за последние 20 лет (диодах, стабилитронах и стабисторах, диодах СВЧ, варикапах, тиристорах, оптронах, фотодиодах и магнитодиодах), и приведены аналоги для их замены. Основные параметры приведены в форме таблиц. В каждой таблице предусмотрена возможность добавления новых п/п приборов. В справочнике приведены графические изображения корпусов и основные размеры. Справочник рассчитан на широкий круг радиолюбителей, занимающихся ремонтом и сборкой радиоэлектронной аппаратуры.