Влияние примесных атомов алюминия на процессы накопления и распределения водорода в магнии: автореф. ... канд. физ.-мат. наук : 1.3.8 / Цзиньчжэ Люй ; науч. рук. А. М. Лидер ; офиц. оппоненты : Ю. А. Абзаев, Г. П. Грабовецкая; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (Томск), Томский государственный архитектурно-строительный университет (Томск), Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 2023. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-20.

Поведение систем металл-водород при радиационном воздействии: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. П. Черданцев ; науч. конс. И. П. Чернов, офиц. оппоненты : Б. А. Калин, Ю. Р. Колобов, В. П. Кривобоков; Томский политехнический университет (Томск), Российский научный центр "Курчатовский институт" (М.), Институт ядерного синтеза (М.). — Томск, 2005. — 39 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 36-39.

Исследование электрической прочности продуктов детонации конденсированных взрывчатых веществ: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.12 / Ю. В. Рябинин ; науч. рук. Л. А. Лукьянчиков, офиц. оппоненты: Ю. Д. Королев, А. А. Сивков; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт гидродинамики им. М. А. Лаврентьева СО АН СССР (Новосибирск), Институт высоких температур АН СССР (М.). — Томск, 1989. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Закономерности формирования, структура и свойства материала-накопителя водорода на основе магний/гидрид магния и оксида хрома: автореф. ... канд. физ.-мат. наук : 1.3.8 / Н. Курдюмов ; науч. рук. В. Н. Кудияров ; офиц. оппоненты : Г. П. Грабовецкая, В. П. Бескачко; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (Томск) ; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Лаборатория физического материаловедения ; Южно-Уральский государственный университет (Челябинск), Институт естественных и точных наук. — Томск, 2024. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.