В книге рассматриваются вопросы теории и реализации спектральных численно-аналитических методов моделирования аналоговых радиоэлектронных схем. Приводятся методы и алгоритмы решения спектральных задач для регулярных пучков больших разреженных матриц радиоэлектронных схем. Исследуются теория и реализация таких проектных задач, как: устойчивость первым методом Ляпунова, расчет корневых и полюсно-нулевых чувствительностей, применение резольвенты регулярного пучка матриц в частотном и временном анализе. Основой всех методов и алгоритмов является одноранговое спектральное представление резольвенты пучков матриц и полиномиальных матриц. Анализируются точные и быстрые алгоритмы численно-аналитического решения дифференциально-алгебраических систем уравнений для расчета переходных и установившихся процессов в режиме малого и большого сигналов. Описаны спектральный метод решения систем уравнений с запаздывающим аргументом и его применение к анализу СВЧ-схем. Изучена декомпозиция решения на основе разбиения сложной системы на слабосвязанные подсистемы. Много внимания в книге уделено проблемам оптимизации радиоэлектронных схем в частотной области и решению многоэкстремальных задач. Для научных работников и инженеров, специализирующихся в области САПР.

В книге систематизированы теория и методы расчета устройств функциональной микроэлектроники, выполненных на основе распределенных и квазираспределенных систем с нелинейными и изменяющимися во времени параметрами. Изложены принципы построения математических и физических моделей функциональных устройств, разработаны основы их анализа и синтеза; рассмотрены функциональные возможности линейных активных, нелинейных и параметрических одномерных распределенных систем, гибридных и развязанных цепочечных устройств, а также связанных и двухмерных нелинейных систем. Изложены вопросы расчета шумов линейных распределенных систем. Основные положения теории проиллюстрированы примерами и снабжены таблицами. Книга рассчитана на специалистов в области функциональной микроэлектроники, теории цепей с распределенными параметрами и теории колебаний. Она может быть полезна студентам вузов соответствующих специальностей.

Рассматриваются возможности и особенности применения полупроводниковых четырехслойных приборов (диодных, триодных, в том числе запираемых по входу тиристоров и фототиристоров) в качестве ключевых элементов радиоэлектронных устройств. Дается физический анализ ключевых свойств тиристорного ключа, определяются режимы и предлагаются методы и схемы автоматизированного измерения основных параметров. Анализируются типовые цели отпирания, запирания и выключения тиристоров. Излагается теория и расчет тиристорных схем формирования, счета и распределения импульсов во времени и даются примеры их практического использования в конкретных радиоэлектронных устройствах. Оцениваются перспективы применения тиристоров специальных типов в ключевых и логических схемах.Книга рассчитана на широкий круг специалистов, занимающихся как разработкой элементов систем управления, автоматики, телеметрии с использованием тиристоров, так и созданием полупроводниковых приборов на основе четырехслойной структуры. Книга также может быть полезна студентам и аспирантам, специализирующимся в области радиоэлектроники.

Рассматриваются основные принципы расчета и конструирования твердотельных импульсных оптических квантовых генераторов на современном уровне лазерного приборостроения. Излагаются методы расчета элементов, схем и узлов, необходимые при разработке оптических квантовых генераторов. Приводятся данные по различным оптическим. радиоэлектронным и теплотехническим элементам. Большое место уделяется рассмотрению схем и конструкций основных оптико-механических, радиоэлектронных и теплотехнических узлов оптических квантовых генераторов. Сообщаются сведения по выпускаемым промышленностью приборам. Значительная часть приборов и схем описывается впервые.Книга ориентирована на широкий круг специалистов. занимающихся разработкой, конструированием и применением оптических квантовых генераторов. Она может быть полезна научным работникам, преподавателям и студентам вузов.

Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели. Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.

В книге рассмотрены свойства газоразрядных, сцинтилляционных, кристаллических и черенковских счетчиков альфа-, бета-, гамма- и нейтронного излучений, вопросы статистики цифрового и аналогового методов регистрации хаотических импульсов, теоретические и конструктивные вопросы, связанные с изготовлением счетчиков и механизмом их действия. Большой раздел посвящен элементам радиоэлектронной аппаратуры - усилителям импульсов, формирующим схемам, дискриминаторам, схемам совпадений, анализаторам, счетным устройствам и другим приборам, широко применяемым в современной экспериментальной технике. Материал книги основывается на резкльтатах новейших работ. К каждому разделу книги приведена обширная библиография.Книга рассчитана на широкие круги специалистов, имеющих дело с регистрацией и измерением энергии радиоактивных излучений. Она полезна также аспирантам и студентам, специализирующимся в области применений электроники и радиотехники в ядерной физике и технике. Благодаря доступности изложения основого материала она может быть рекомендована также лицам, не имеющим специальной подготовки в данной области.

В книге освещены вопросы технологического процесса очистки призабойной зоны пласта нагнетательных скважин. Приведен промысловый материал по результатам работ на объектах системы поддержания пластового давления ОАО "Татнефть", связанных с очисткой призабойно зоны пласта нагнетательных скважин методами излива. Приведено описание технологий и типовых технологических схем динамического и гидродинамического изливов для очистки призабойной зоны пласта нагнетательных скважин, а также результаты их промышленного внедрения на объектах системы поддержания пластового давления ОАО "Татнефть". Книга подготовлена специалистами института "ТатНИПИнефть" и ОАО "Татнефть" и рассчитана на научно-технических и инженерных работников, а также преподавателей и студентов вузов и курсов повышения квалификации в нефтедобывающей промышленности.

Рассмотрены возможности углепетрографических, физико-химических и других методов диагностики степени преобразованности органического вещества (ОВ). Изложены теоретические и прикладные аспекты катагенеза. Обобщен огромный фактический материал по уровню зрелости ОВ палеозойских, триасовых и юрских комплексов Западно-Сибирского мегабассейна. С применением математического моделирования и компьютерных технологий созданы новые версии схем катагенеза ОВ для разныхгоризонтов юры. Впервые для всей территории региона построены схемы катагенеза органического вещества в кровле триасовыхи палеозойских отложений. На основе глубинной заональности катагенеза уточнены интервалы главных зон нефте- и газообразования в мезозойских и палеозойских толщах. Установленные закономерные связи катагенза ОВ и синтгентичной нефтегазоносности являются существенным вкладом в теорию геохимических методов прогноза нефтегазоностности крупных территорий. Монография представляет интерес для специалистов научныхи производственных организаций, занимающихся прогнозом нефтегазоностности и поисками залежей углеводородв, а также для аспирантов и студентов.

Описаны правила применения программы SystemView, предназначенной для моделирования аналого-цифровых устройств обработки сигналов, заданных функциональными схемами. Программа позволяет из стандартных «кубиков» создать функциональную схему, привлекая многочисленные библиотеки общего и специального назначения. Возможно использование иерархических структур и моделей, созданных в математической программе Matlab. Имеются средства обработки результатов моделирования, их отображения и документирования, создания автономно моделируемых модулей генерации кода на языке Си++ и динамически подсоединяемых библиотек. По завершении моделирования цифрового устройства данные о его структуре могут быть переданы программе синтеза ПЛИС. Изложение правил работы с программой иллюстрируется примерами. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и исследованием аналоговых и цифровых систем обработки информации, аспирантов и студентов.

В книге рассматриваются методы и алгоритмы анализа логических корреляций в цифровых КМОП-схемах. Показаны возможности использования логических корреляций для повышения качества результатов проектирования в анализе помехоустойчивости и быстродействия схем. Книга основана на результатах, полученных в Учреждении Российской академии наук Институте проблем проектирования в микроэлектронике РАН(ИППМРАН). Материал, изложенный в книге, является основой лекционного курса для магистров факультета ЭКТ Московского института электронной техники, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника», а также предназначен для научных работников и инженеров, специализирующихся в области методов математического моделирования САПР СБИС.

В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размеров 10-20 нм и сравнительный анализ 4-х типов схемотехник. Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям "Нанотехнология и микросистемная техника", "Электроника и наноэлектроника", "Вычислительные системы, комплексы и сети".

В работе предложена изотермическая динамическая модель начальной стадии процесса перемешивания частиц в поверхностном слое материала в условиях поверхностной обработки. Модель учитывает диффузию ионов, конечность времени релаксации потока массы, появление напряжений вследствие изменения состава поверхностного слоя и явление переноса компонента под действием градиента напряжений. Описан выбор безразмерных переменных и физический смысл получаемых при этом безразмерных комплексов. На основе анализа известных частных уравнений и классических разностных методов их численного решения выбран метод численной реализации связанной модели. Продемонстрированы свойства разностных схем и качественные особенности решений диффузионного, телеграфного и волнового уравнений. Выявлены качественные особенности концентрационной и упругой волн, взаимодействующих между собой. Показано, что смена качественного характера распределения деформаций в упругой волне связана с конечностью скорости распространения диффузионной волны.

Рассматриваются теоретические и практические проблемы повышения синфазной помехоустойчивости аналоговых микросхем с дифференциальным входом. Исследуются причины неполного ослабления синфазных сигналов в различных дифференциальных усилителях. Обсуждаются методы, направленные на повышения коэффициента ослабления синфазных сигналов (Кос.сф.) в базовых архитектурных решениях аналоговых микросхем, в т.ч. с учетом требований SiGe технологий. Приводятся результаты компьютерного моделирования различных модификаций ДУ с повышенным Кос.сф. Монография предназначена для студентов радиотехнических специальностей и инженеров, занимающихся проектированием аналоговых микросхем и IP-модулей нового поколения.

Рассмотрена методика моделирования электронных устройств с использованием программы Micro-Cap v. 8.x фирмы Spectrum Software (www.spectrum-soft.com). Даны практические рекомендации, существенно упрощающие процесс получения работоспособных моделей сложных электронных схем. Приведены примеры анализа и синтеза цифровых устройств. Описаны параметры моделей компонентов и способы создания моделей на основе справочных параметров. Подробно изложены особенности моделей магнитных компонентов. Рассмотрен порядок синтеза пассивных и активных фильтров. Описание возможностей программы сопровождается большим количеством примеров, иллюстрирующих построение схем моделирования, способы задания электронных компонентов, проведение различных видов анализа и обработку полученных результатов. Для специалистов, занимающимся разработкой, исследованием и эксплуатацией электронных устройств, будет полезна студентам и подготовленным радиолюбителям.

Знание основ аналоговой схемотехники является базой практически любой технической специальности. В книге подробно рассмотрены основные электронные элементы и базовые схемы на них. Особое внимание уделяется нелинейным элементам, они анализируются посредством соответствующего приближения, затем их характеристики моделируются на компьютере для практического усвоения материала. На CD записаны используемые в процессе изучения программы SPICE и GNUPLOT, а также документация и программы-примеры для систем LINUX и Windows. Большое количество упражнений, возможность проверять расчеты посредством компьютерного моделирования, наглядность делают книгу прекрасным современным учебником, особенно полезным студентам первых курсов, изучающим электронику в технических вузах. Книга предназначена также инженерам-практикам, техникам и всем интересующимся электроникой и схемотехникой.

В учебном пособии изложены физические аспекты проектирования цифровых кремниевых микросхем в твердотельном и гибридном исполнении. Рассмотрены вопросы проектирования МОП- и биполярных транзисторов и диодов, а также пассивных элементов. Подробно изложены вопросы проектирования элементов гибридных микросхем. Много внимания уделено проектированию МОП- и КМОП-интегральных микросхем, так как в настоящее время именно эти ИМС занимают ведущие позиции в производстве микросхем в целом. Особенностью данного учебного пособия является описание методов повышения надежности и радиационной стойкости ИМС. Учебное пособие предназначено для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области микроэлектроники, электронных измерительных систем, а также для специалистов, интересующихся повышением надежности и радиационной стойкости ИМС.

Во втором издании (первое вышло в 1972 г.) приведены основные принципы построения АСУ ТП, расширены сведения по оформлению производств и автоматизированные системы управления предприятиями химической и смежных с ней отраслей промышленности. Для учащихся техникумов, специализирующихся в области автоматизации процессов химической и смежных отраслей промышленности. Полезна студентам высших учебных заведений и инженерно-техническим работникам, занимающимся проектированием и эксплуатацией систем автоматизации для химических производств.

Настоящее издание - второй выпуск книги «Нанотехнологии в электронике», вышедшей несколько лет назад. Каждую из частей книги представляет группа авторов, активно развивающих данное направление в Национальном исследовательском университете «МИЭТ». Коллектив авторов старался осуществить частичную преемственность материала, содержащегося в первом выпуске, однако структура книги существенно изменилась: группировка статей по условным разделам (теоретико-экспериментальные работы, методы исследований, технологии, приборы и устройства) представляется более правильной с точки зрения понимания общего направления работ в МИЭТ. Каждая из работ представляет собой законченный научный труд обзорного или обобщающего характера, либо является частью оригинальных исследований, полученных в последние 3-5 лет. Книга представляет интерес для специалистов, аспирантов и студентов, работающих в области нанотехнологии и смежных областях.

Книга основана на современных представлениях о технологии изготовления и конструкторско-технологическом проектировании гибридных интегральных схем (ГИС) и микросборок (МСБ) СВЧ-диапазона. В книге изложены перспективные конструкторско-технологические решения, позволяющие, по сравнению с традиционными, улучшить электрические, тепловые, массогабаритные характеристики и надежность ГИС и МСБ СВЧ-диапазона и модулей на их основе. Она базируется на практических и теоретических результатах, полученных авторами в процессе многолетней работы в данном направлении. Книга предназначена для специалистов, занимающихся разработкой модулей на основе ГИС и МСБ СВЧ-диапазона, а также специалистов-технологов серийного производства. Она будет также полезна аспирантам и студентам высших и средних учебных заведений.

Приведена информация по схемотехнике и топологии аналоговых КМОП интегральных микросхем. Описаны принципы построения согласованных элементов, особенности размещения аналоговых блоков на кристалле, методы защиты выводов микросхем от воздействия статического электричества. Рассмотрена схемотехника операционных усилителей, компараторов, источников опорного напряжения и других аналоговых блоков. Изложены принципы расчета аналоговых фильтров, схем на переключаемых конденсаторах, дельта-сигма модуляторов, систем фазовой автоподстройки частоты. Дана информация по архитектуре и основным параметрам АЦП и ЦАП, аналоговым сигналам и системам. Для инженерно-технических работников и студентов, связанных с разработкой и применением аналоговых интегральных микросхем.

В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах. Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам.

Приведены сведения о микросхемах серии STK фирмы SANYO и STR, SAI, SI фирмы Sanken, широко применяемых в различных бытовых аудио комплексах, телевизорах, видеомагнитофонах, другой бытовой и профессиональной электронной технике. Для большинства из них даны схемы включения, основные электрические параметры, типы корпусов. Микросхемы, имеющие одинаковую электрическую схему включения, сведены в одном месте, т. е. фактически являются аналогами. Наиболее важные параметры микросхем даны в таблице. Для широкого круга радиолюбителей, может быть полезен специалистам, занимающимся ремонтом бытовой радиоаппаратуры.

В справочнике приведено 125 типов отечественных и зарубежных микросхем КМОП. Рассмотрены логические элементы,, триггеры, счетчики, регистры и более сложные микросхемы средней степени интеграции. Даны структурные схемы, параметры, цоколевки,; а также новые схемные решения. Для радиолюбителей, может быть полезен студентам, специалистам, занимающимся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.

Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.

Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок. Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.

В книге шаг за шагом раскрывается мир цифровой электроники, ее взаимосвязь с другими областями техники. При создании учебника автор использовал свой большой опыт преподавательской деятельности. Материал изложен последовательно и понятно, начиная с основ. Контрольные тесты с вопросами и задачами в конце каждой главы позволяют проверить понимание пройденного материала, в конце учебника приведены решения. Книга предназначена для студентов электротехнических и машиностроительных специальностей, инженеров-практиков, техников, а также всех, кто интересуется современной цифровой техникой.

В книге популярно в форме вопросов и ответов объясняются физические основ электроники, электронные компоненты и схемы, особенности их применения. Удачно сочетается широта тематики - от дискретных полупроводниковых приборов до интегральных микросхем с простотой и наглядностью изложения материала.

В книге изложены принципы построения импульсных устройств нано- и пикосекундного быстродействия и различные аспекты их применения. Рассмотрены методы генерирования и обострения фронтов коротких электрических и световых импульсов, а также способы измерения их параметров. Приводятся сведения о быстродействующих детекторах излучений и о способах съема сигналов с подобных устройств. Рассматриваются схемы устройств для предварительной обработки нано- и пикосекундных сигналов (усилителей, дискриминаторов, устройств временной привязки, совпадений и антисовпадений). Особое внимание уделено быстродействующим преобразователям напряжений и измерителям коротких временных интервалов. Рассматриваются современные методы регистрации формы быстрых сигналов, в том числе с помощью цифровых запоминающих осциллографов с частотами дискретизации до десятков гигагерц. Для широкого круга инженерно-технических и научных работников, занимающихся импульсными измерениями в физических экспериментах и в области информационных технологий, а также для студентов соответствующих специальностей.

Даны рекомендации по выбору схем. конструированию радиоприемников, телевизоров, магнитофонов и любительских КВ и УКВ передатчиков, Приводятся справочные данные по электровакуумным и полупроводниковым приборам, интегральным схемам и другим радиодеталям, используемым радиолюбителями в своих конструкциях. для широкого круга радиолюбителей.

В справочнике в удобной для пользователей табличной форме даны характеристики и эксплуатационные параметры наиболее распространенных и широко применяемых в бытовой и промышленной радиоэлектронной аппаратуре отечественных аналоговых и цифровых микросхем, транзисторов, диодов и их зарубежных аналогов. По всем рассмотренным приборам приведены сведения об их габаритных размерах, типе корпуса, цоколевке, буквенных и цветовых обозначениях. Указатель справочника позволяет быстро найти сведения о нужном приборе. Для специалистов, занимающихся разработкой, конструированием, обслуживанием и ремонтом радиоаппаратуры, а также для радиолюбителей любой квалификации.

В справочнике изложены основные положения Единой системы конструкторской документации (ЕСКД), общие правила выполнения схем, правила выполнения чертежей изделий, изготовляемых с применением электрического монтажа. Приведены условные графические обозначения элементов электрических схем, что в значительной степени упрощает поиск необходимой информации. Рассчитан на инженерно-технических работников. связанных с выполнением электрических схем, эксплуатацией электротехнических и радиотехнических устройств и электронно-вычислительной техники, а также студентов вузов соответствующих специальностей и радиолюбителей.

Книга содержит описание унифицированной библиотеки функциональных ячеек 5503 для проектирования средствами САПР «Ковчег» различных интегральных микросхем на основе базовых матричных кристаллов серий 5503 и 5507. Предназначена для разработчиков радиоэлектронной аппаратуры, а также для преподавателей и студентов старших курсов, аспирантов, изучающих современные методы проектирования полузаказных БИС.

В монографии подробно представлены начальные понятия, принципы работы, свойства, поведение и построение самосинхронных схем. Приведены примеры комбинационных и последовательностных схем, а также результаты экспериментальной проверки их уникальных свойств. Изложение ведется с позиций нового, функционального, подхода, основанного на исследовании логических функций, описывающих элементы схем, без привлечения методов теории автоматов. Аналогов данного подхода ни в отечественной, ни в зарубежной литературе не отмечено. Для специалистов по дискретной электронике, аспирантов и студентов этого направления. Может также использоваться как для начального ознакомления, так и для учебного процесса.

В книге рассматриваются основы проектирования радиопередатчиков малой и средней мощности с однополосной, амплитудной и частотной модуляцией, работающих в диапазоне средних, коротких и длинноволновой части метровых волн Излагаются порядок расчета структурных схем передатчиков и методы построения диапазонных возбудителей с кварцевой стабилизацией частоты: электрические расчеты основных каскадов передатчиков и конструктивные расчеты элементов колебательных систем: способы построения и расчет широкополосных неперестраивающихся высокочастотных каскадов передатчиков. Книга предназначена для студентов радиотехнических специальностей вузов и техникумов, а также для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой радиопередающих устройств.

В книге изложены основные классификационные признаки и критерии нефтяных месторождений, устанавливающие влияние их на формирование систем нефтегазосбора, и требования, предъявляемые к ним при проектировании. Приведены особенности технологических схем сбора и подготовки продукции скважин с основными принципиальными положениями по возможности их унификации. В книге также приведен ряд положений по проектированию объектов общего назначения, таких как водоснабжение, электроснабжение, теплоснабжение, автоматизация процессов и др. Книга предназначена для широкого круга специалистов, особенно не имеющих специального нефтяного образования, участвующих в процессах разработки, проектирования и строительства объектов обустройства нефтяных месторождений. Книга рассчитана на инженерно-технических работников нефтедобывающей промышленности и может представлять интерес для специалистов, занятых в смежных отраслях (нефтегазопереработка, магистральный транспорт, строительство), а также для студентов старших курсов нефтяных вузов и техникумов. Автор выражает благодарность объединению ЛиК г. Самары в лице его генерального директора Н. В. Ларина за спонсорскую помощь при издании книги.