Подвижность и концентрация носителей заряда тонкого слоя магнитодиэлектрического коллоида в нестационарных режимах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / М. С. Демин ; науч. рук. В. М. Кожевников, офиц. оппоненты: В. Д. Ковалев, М. С. Анфельбаум; Северо-Кавказский государственный технический университет (Ставрополь), Курский государственный технический университет (Курск). — Ставрополь, 2009. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.

Мощные устройства импульсной энергетики на основе реверсивно включаемых динисторов (РВД): автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.13 / С. В. Коротков ; офиц. оппоненты: Р. Б. Гончаренко, А. С. Васильев, В. Г. Кучинский; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (СПб.), Российский федеральный ядерный центр (Саров), Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики (Саров), Институт проблем электрофизики РАН (СПб.). — СПб., 2003. — 34 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 30-34.

Приближенные методы теплового расчета активных элементов электрофизических установок: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.14 / В. С. Логинов ; науч. конс. В. Л. Чахлов, офиц. оппоненты: И. М. Васенин, В. В. Евстигнеев, В. В. Иванов; Томский политехнический университет (Томск), Новосибирский государственный технический университет (Новосибирск). — Томск, 2003. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 37-40.

Системы импульсного электропитания и возбуждение на их основе диффузного разряда: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / Г. Лай ; науч. рук. Э. Я. Школьников, офиц. оппоненты: Н. П. Собенин, А. Н. Грибов; Московский инженерно-физический институт (государственный университет) (М.), Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.). — М., 2004. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-24.

Полупроводниковые генераторы с импульсной мощностью 10.8-10.9 Вт на основе субнаносекундных коммутаторов тока: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.13 / С. К. Любутин ; науч. рук. С. Н. Рукин, офиц. оппоненты: Ю. Н. Вершинин, Г. Е. Ремнев; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Екатеринбург, 2004. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-27.