Закономерности формирования гидридного обода в оболоченных трубах из циркониевого сплава Э110 при газофазном наводороживании : автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / В. Н. Кудияров ; науч. рук. А. М. Лидер, конс. В. А. Маркелов, офиц. оппоненты: С. А. Никулин, Е. Г. Астафурова; Нац. исслед. Томский политехнич. ун-т, Высокотехнологич. науч.-исслед. ин-т неорганич. материалов им. академика А. А. Бочвара, Нац. исслед. ядерный ун-т "МИФИ". — Томск, 2018. — 22 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.

Осаждение покрытий из хрома и никеля с помощью магнетронного диода с "горячей" мишенью : автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / Д. В. Сиделёв ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты : П. Е. Троян, С. В. Работкин; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т электрофизики УрО РАН. — Томск, 2018. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22.

Комплексное расчетно-теоретическое исследование и оптимизация мощных импульсных плазменных электрофизических установок: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.13 / Н. В. Калинин ; науч. конс.т В. А. Бурцев, офиц. оппоненты : А. Н. Старостин, Г. А. Шнеерсон; Науч.-исслед. ин-т электрофизической аппаратуры, Ин-т общей физики. — СПб., 2005. — 34 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-34.

Явления на поверхности и в приповерхностных слоях полупроводниковых материалов при воздействии пучков электронов и атомов водорода: дис. ... д-ра физ.-мат. наук в виде научного доклада: 01.04.04, 01.04.10 / В. А. Кагадей ; офиц. оппоненты: И. П. Чернов, Б. З. Ольшанецкий, Н. Г. Ремпе; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов (Томск), Физико-технологический институт РАН (М.). — Томск, 2004. — 83 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 77-83.

Эффективные импульсно-периодические источники черенковского излучения на основе сильноточных электронных пучков: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. В. Ростов; Рос. АН, Сиб. отд-ние, Институт сильноточной электроники. — Томск, 2001. — 223 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 209-223.