Исследование поведения золота в монокристаллах германия при высоком уровне легирования: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. Г. Воеводин ; науч. рук. М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Е. К. Завадовская, И. С. Захаров; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск). — Томск, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.

Численное исследование гидродинамических процессов при взаимодействии лазерного излучения с веществом: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.01.07 / Б. П. Герасимов ; науч. рук. А. А. Самарский, офиц. оппоненты: В. Б. Алексеев, В. И. Полежаев; Институт прикладной математики АН СССР (М.), Московский государственный университет (М.). — М., 1975. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-14.

Разработка и исследование комбинированного способа формирования пучка электронов в магнитном поле бетатрона для электронной дефектоскопии: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.11 / Г. С. Голдаев ; рук. работы В. Е. Кононов, рук. работы В. А. Кочегуров, офиц. оппонент В. А. Москалев, офиц. оппонент М. Р. Александровский; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт электронной интроскопии (Томск), Научно-исследовательский институт интроскопии (М.). — Томск, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.

Возбуждение магнитного поля в импульсных синхротронах с одновитковой обмоткой электромагнита: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 280 / М. Ю. Гельцель ; офиц. оппоненты: В. В. Ивашин, В. А. Гапонов ; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт ядерной физики СО АН СССР (Новосибирск), Институт физики высоких энергий (Серпухов). — Томск, 1970. — 35 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-28.

Исследование электронных течений в вакуумных передающих линиях и плазме: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.08 / В. В. Заживихин ; науч. рук.: Л. И. Рудаков, А. В. Гордеев, офиц. оппоненты: А. Н. Лебедев, Л. Е. Захаров; Московский физико-технический институт (М.), Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова (М.), Харьковский физико-технический институт АН УССР (Харьков). — М., 1983. — 12 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 11-12.

Формирование биосовместимых кальций-фосфатных покрытий методом высокочастотного магнетронного распыления: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Р. А. Сурменев ; науч. рук. В. Ф. Пичугин, офиц. оппоненты: А. В. Градобоев, Ю. Ф. Иванов; Томский политехнический университет (Томск), Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск). — Томск, 2008. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-20.

Исследование процессов получения наночастиц при помощи излучения импульсно-периодического CO2 лазера: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / В. В. Платонов ; науч. рук. В. В. Осипов, офиц. оппоненты: В. И. Кононенко, С. П. Никулин; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Уральский государственный технический университет (Екатеринбург). — Екатеринбург, 2008. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-23.

Источники импульсных высоковольтных напряжений и метод электромагнитной сепарации в электронных ускорителях прямого действия: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.11 / В. Г. Баграмов ; науч. рук. Д. В. Иремашвили, офиц. оппоненты: И. Ф. Малышев, А. Б. Герасимов; Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова (СПб.), Сухумский физико-технический институт (Сухуми), Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР (М.). — Л., 1975. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Окисление этиленгликоля на оксидных катализаторах / Л. Ю. Копейкина, О. В. Водянкина, А. К. Головко, Л. Н. Курина; Институт химии нефти СО РАН, Томский государственный университет // СПб.

Исследование предельных плотностей токов автоэлектронной эмиссии и взрывная эмиссия металлов, охлажденных до сверхнизких температур: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / М. С. Аксенов ; науч. рук.: Г. Н. Фурсей, В. М. Жуков, офиц. оппоненты: Ю. П. Усов, В. Ф. Пушкарев; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Ленинградский электротехнический институт связи им. М. А. Бонч-Бруевича (Л.), Ленинградский политехнический институт им. М. И. Калинина (Л.). — Томск, 1982. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.