| 616 |
|
Разрушение ионных кристаллов наносекундными пучками большой плотности: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. Н. Балычев ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты: Г. А. Воробьев, Е. А. Литвинов; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт физики АН Эстонской ССР (Тарту). — Томск, 1976. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19.
|
| 617 |
|
Проводимость ионных кристаллов при импульсном облучении сверхплотными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Э. Г. Таванов ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты : М. А. Эланго, Г. Ф. Караваев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Томский политехнический институт им. С. М. Кирова. — Томск, 1980. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.
|
| 618 |
|
Скорость хрупкого разрушения щелочногалоидных кристаллов под действием наносекундных импульсов облучения мощными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Г. И. Геринг ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты: В. М. Финкель, Б. В. Семкин; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт физики АН ЭССР (Тарту). — Томск, 1975. — 30 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23.
|
| 619 |
|
Кинетика движения дырок в щелочногалоидных кристаллах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Р. Г. Дейч ; науч. рук. Э. Д. Алукер, офиц. оппоненты : М. А. Эланго, Ю. Р. Закис; Институт физики АН Латвийской ССР, Томский политехнический институт им. С. М. Кирова. — Саласпилс, 1982. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 620 |
|
Реконструктивные фазовые переходы в прозрачных диэлектриках в экстремальных условиях высоких давлений и температур: монография / С. В. Карпенко, А. И. Темроков; Рос. акад. наук, Кабард.-Балкар. науч. центр, НИИ прикладной математики и автоматизации. — Нальчик: КБНЦ РАН, 2006. — 190 с.: ил.; 21 см. — Библиогр.: с. 170-190. — ISBN 5-901497-31-7: 137.50 р.
В монографии разработана самосогласованная статистическая электронная модель ионной решетки диэлектриков в формализме метода функционала электронной плотности. На этой основе исследованы реконструктивные фазовые превращения, протекающие в кристаллах в экстремальных условиях высоких давлений и температур. Рассматривается ряд размерных эффектов, возникающих при фазовых превращениях в кристаллах малых размеров (100 ангстрем и меньше). Особое внимание уделяется моделированию фазовых переходов в кристаллах при высоких температурах с использованием метода молекулярной динамики. Для научных и инженерно-технических работников, преподавателей, аспирантов и студентов вузов.
|