Четвёртое издание (1-е изд. — 2000 г.) энциклопедического словаря-справочника, переработанное, исправленное, дополненное и иллюстрированное, содержит около 23500 терминов, используемых в компьютерной и радиотехнической литературе, руководствах по эксплуатации, информационных каталогах и др. материалах по электронной технике, а также встречающихся в системах телекоммуникации (фиксированная и мобильная телефония, спутниковая связь, Интернет и пр.) и при работе с различной радиоэлектронной аппаратурой. Данное издание словаря значительно пополнено по сравнению с предыдущим (на 4500 терминов), многие термины переработаны и исправлены. Материал представлен в удобной для поиска форме. Издание имеет собственный сайт-приложение в Интернете (http://ee.1963.ru). Предназначено для профессионалов и любителей компьютерной техники, электроники, радио-, аудио- и видеотехники (как профессиональной, так и бытовой), для специалистов по закупке, продаже и ремонту радиоэлектронной аппаратуры, для работников телевидения и радио, учащихся соответствующих специальностей, пользователей ПК, мобильных телефонов и РЭА, а также для переводчиков англоязычной научно-технической литературы и всех, кто по роду своей деятельности сталкивается с электронной аппаратурой и современными коммуникационными технологиями.

Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др.). Выведены основные теоретические соотношения, определяющие характеристики этих приборов. Большое внимание уделено описанию особенностей современных быстродействующих приборов с субмикронными и нанометровыми размерами, в том числе приборов, в работе которых используются гетеропереходы, квантовые ямы и квантовые точки. Помимо этого, в книге рассмотрены основы планарной технологии, описаны возникшие в последнее время технологические проблемы и указаны перспективные пути их решения. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области физики полупроводников.

В книге содержится систематическое изложение математического аппарата и физических аспектов специальной теории относительности. В ней подробнее, чем в ранее опубликованных монографиях, рассмотрены такие вопросы, как интегральные теоремы и интегральные преобразования, релятивистская кинетическая теория, вариационные принципы и др. Для инженеров, научных работников, студентов и преподавателей физико-математических и технических факультетов вузов. Может использоваться в качестве самодостаточного пособия для самостоятельного изучения современной теории физических явлений.

Излагаются основные понятия физики плазмы и простейшие инженерные расчеты. Подробно рассматриваются термодинамические свойства плазмы; равновесная и стационарная ионизация; адиабатическое и дрейфовое движение заряженных частиц; элементарная гидродинамическая теория распространения волн в холодной и горячей плазме; простейшие вопросы физической кинетики и ее применения к плазме. Книга рассчитана на студентов физических и технических специальностей и инженеров, имеющих дело с многообразными приложениями физики плазмы.

В книге рассмотрены качественные и количественные закономерности, определяющие физические особенности процессов генерации и преобразования энергии в термоэлектрических, термоэмиссионных, магнитогидродинамических и газоразрядных устройствах и системах высокоэнергетичной электроники, использующих активные среды всех четырех агрегатных состояний - твердые тела, жидкости, газы и плазму в широком диапазоне изменения их параметров - плотностей, температур, скоростей, взаимодействующих с электромагнитными полями различных частотных диапазонов и конфигураций. Анализируются принципиальные схемотехнические решения мощных и высокоэнергетичных источников, генераторов и преобразователей энергии на их основе, методы расчета функциональных элементов, коммутационной сильноточной арматуры. Рубрикатор разделов книги соответствует программам лекционных курсов, читаемых в МГТУ им. Н. Э. Баумана и МФТИ, основные разделы которых подготовлены ведущими специалистами в этой области. Предназначается для студентов, аспирантов и специалистов в области концептуального и рабочего проектирования электронных систем и устройств высокой плотности мощности различного назначения.

Cathodic Arcs: From Fractal Spots to Energetic Condensation is the first book in over a decade dedicated to the physics and technology of cathodic arcs. It includes a detailed account of arc history, a textbook-like introduction to cathode phenomena, and some basic physics of expanding plasmas; it deals with the infamous macroparticle issue and describes a host of practical plasma filter solutions. In contrast to previous books on cathodic arcs, the focus is on the relation of arc plasmas and their properties to surface modification and thin film deposition. The book contains sections on basic plasma physics and thin film materials science. It also deals with practical issues of coatings such as stress control and the often-underrated issue of the coating's color. By stressing the fractal nature of cathode spots, the theme of fluctuations can be found throughout the book: fluctuations affect all plasma properties and thereby have consequences for plasma-based surface modifications and film growth. Detailed explanations are complemented by compilations of plasma and materials data arranged in Periodic Tables. Cathodic Arcs: From Fractal Spots to Energetic Condensation is written with researchers and advanced students in the fields of materials science and plasma physics in mind. It is suitable both as a reference work for the expert as well as an introduction for newcomers to the interdisciplinary fields of plasma-surface interaction and plasma-assisted deposition of thin films.

В монографии разработана самосогласованная статистическая электронная модель ионной решетки диэлектриков в формализме метода функционала электронной плотности. На этой основе исследованы реконструктивные фазовые превращения, протекающие в кристаллах в экстремальных условиях высоких давлений и температур. Рассматривается ряд размерных эффектов, возникающих при фазовых превращениях в кристаллах малых размеров (100 ангстрем и меньше). Особое внимание уделяется моделированию фазовых переходов в кристаллах при высоких температурах с использованием метода молекулярной динамики. Для научных и инженерно-технических работников, преподавателей, аспирантов и студентов вузов.