| 506 |
|
Плотность и электропроводность металлических проводников при их подводном электроимпульсном взрыве: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.14 / С. В. Коваль ; науч. рук. М. Н. Чесноков, офиц. оппоненты : В. М. Адамян, И. И. Репа; Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова, Проектно-конструкторское бюро электрогидравлики АН УССР, Институт высоких температур АН СССР. — Одесса, 1986. — 16 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 507 |
|
Исследование прикатодных областей тлеющего разряда в гелии и азоте: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Е. И. Прохорова ; науч. рук. А. Г. Слышов, офиц. оппоненты : Н. А. Тимофеев, В. И. Сысун; Карельская государственная педагогическая академия, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Петрозаводский государственный университет. — Петрозаводск, 2012. — 22 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-22.
|
| 508 |
|
Высокоскоростная пластическая деформация мелкозернистых металлов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02 / И. Н. Бородин ; науч. рук. А. Е. Дудоров, офиц. оппоненты : Н. Б. Волков, А. Д. Зубов; Челябинский государственный университет, Институт механики сплошных сред УрО РАН. — Челябинск, 2012. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.
|
| 509 |
|
Технология выращивания кристаллов нитрида галлия: сборник / под ред.: Д. Эрентраута, Э. Мейсснер, М. Боковски, пер. с англ. К. В. Юдинцева, под ред.: В. П. Чалого, Д. М. Красовицкого. — Москва: Техносфера, 2011. — 383 с.: ил.; 25 см. — (Мир радиоэлектроники). — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-94836-293-9: 840.00 р.
Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы. Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовление приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.
|
| 510 |
|
Кинетика активной среды CuBr-лазера с добавками H2 и HBr: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / С. Н. Торгаев ; науч. рук. Г. С. Евтушенко, науч. конс. А. М. Бойченко, офиц. оппоненты : А. Н. Солдатов, А. Г. Ястремский; Институт оптики атмосферы им. В. Е. Зуева СО РАН, Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Южный федеральный университет. — Томск, 2013. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.
|