В книге дан анализ основного для всех электроннолучевых приборов процесса взаимодействия электронного луча с потенциальным рельефом на мишени и возникающего при этом электрического поля. Рассмотрение проблемы способствует созданию новых, более совершенных приборов и наиболее эффективной эксплуатации существующих. Книга предназначена для научно-технических работников, занимающихся разработкой, изготовлением и эксплуатацией электронно-лучевых приборов, а также может быть полезна студентам старших курсов вузов.

Монография посвящена одной из областей универсальной и междисциплинарной науки - нелинейной динамики, а именно: исследованию нетрадиционных вопросов функционирования радиоэлектронных и радиофизических систем в режимах различного рода динамических неустойчивостей. Рассматриваются как потоки, так и отображения, поскольку связь последних с потоками неоднократно доказывалась. Все системы рассматриваются впервые либо с точки зрения внутренней структуры, либо с точки зрения описания и анализа. Каждая из глав имеет самостоятельное значение и может изучаться отдельно от других.Для научных сотрудников, работающих в области нелинейной динамики и теории нелинейных колебаний, стремящихся расширить свой кругозор; преподавателей вузов и аспирантов, желающих освоить новый для себя и не простой, но чрезвычайно интересный раздел современной науки; инженеров и разработчиков радиоэлектронной аппаратуры, функционирующей на новых физических принципах.

В пособии рассмотрены основные принципы использования инструментальных методов для решения задач в области радиационной безопасности и радиоэкологии, современная система дозиметрических величин; описаны методы измерения радиационно-опасных факторов и современные дозиметрические и радиометрические приборы; представлены 7 лабораторных работ по задачам радиационного контроля окружающей среды и приведены примеры представления результатов радиационных измерений.Предназначено для магистрантов и студентов, обучающихся по специальностям 140307 "Радиационная безопасность человека и окружающей среды", 140302 "Физика атомного ядра и частиц", 140306 "Электроника и автоматика физических установок", 140404 "Атомные электрические станции и установки".

Материалы сборника отражают результаты научных исследований, ведущихся в МФТИ и базовых предприятиях института в области вакуумной и полупроводниковой электроники, охватывающей основные направления развития современной электроники и лазерной техники. Данный сборник полезен студентам и аспирантам, специализирующимся в области физической и квантовой электроники, а также специалистам, разрабатывающим приборы электронной и лазерной техники.

Излагаются основные идеи электроники СВЧ и их современное теоретическое и техническое воплощение. Рассматриваются принципы действия электронных приборов СВЧ, области применения и основные тенденции их развития. С единой точки зрения в рамках линейной самосогласованности и приближенной нелинейной теории проводится достаточно подробный анализ уравнений поля и движения, находятся способы их решения. Анализируются процессы взаимодействия электронов с сверхвысокочастотными полями в лампах бегущей и обратной волны, прямопролетных и отражательных клистронах, в магнетронных усилителях и генераторах, мазерах на циклотронном резонансе, системах с центробежной электростатической фокусировкой, плазменных системах и других приборах. Значительная часть монографии основана на оригинальных работах авторов. Приводятся формулы, графики и порядок величин параметров. Кратко описывается конструкция приборов. Книга предназначается для специалистов, работающих в различных областях физики, электроники и радиотехники, желающих ознакомиться с быстро развивающейся областью техники, а также для студентов, аспирантов, научных работников соответствующих специальностей, желающих углубить свои знания в области физики явлений, происходящих в приборах СВЧ.

Настоящий аннотированный библиографический указатель включает работы сотрудников ИРЭ АН УССР в области физики и техники миллиметровых и субмиллиметровых волн. Комплексные исследования и разработки в указанной области для ИРЭ АН УССР являются традиционными и выполняются в течение длительного времени. Обилие материала привело к необходимости ограничиться лишь наиболее современными публикациями. Поэтому указатель содержит ссылки на монографии, статьи, доклады на конференциях и симпозиумах, препринты и авторские свидетельства лишь за период с 1968 г. по 1978 г.Для удобства пользования указателем весь материал разбит на пять глав: "Дифракционная электроника", "Электронные вакуумные приборы миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов", "Твердотельные электронные приборы и приборы квантовой электроники", "Линии передачи, измерительные приборы, радиоэлектронные системы, методы измерений", "Теоретические и экспериментальные методы исследования дифракции и распространения волн миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов".

В книге представлен анализ особенностей работы, методы проектирования и основы практического применения цифровых микросхем в составе современных микроэлектронных устройств, предложен большой набор эффективных схемотехнических решений базовых элементов для реализации требований, предъявляемых к микроэлектронным устройствам, приведено детальное описание принципов работы и правил применения современных базовых элементов в составе микроэлектронных устройств. Издание ориентировано на широкий круг инженерно-технических работников, ученых, студентов и аспирантов, специализирующихся в области разработки, организации производства и эксплуатации радиоэлектронной бытовой, промышленной и специальной техники, информационно-коммуникационных и навигационных применений, использующих современные микроэлектронные устройства.

Приводится хронология событий, связанных с историей радиоэлектроники, от древних времен до наших дней. При отборе фактов и событий акцент сделан на роль личностей в историческом процессе. Расширенное описание большинства основных событий позволяет использовать книгу для изучения истории радиотехники. Хронология дополнена наиболее значимыми событиями из смежных областей науки и техники, оказавшими существенное влияние на развитие радиоэлектроники: математики, оптики, акустики, химии и даже логики и психологии. Многие исторические факты помогают понять закономерности развития человеческой цивилизации. Научный прогресс воспринимается читателем не как набор изобретений и открытий отдельных ученых, а как непрерывный процесс накопления знаний, в который внесли свой вклад сотни и тысячи известных и неизвестных людей. В конце книги представлены краткие хронологические данные о некоторых крупных российских предприятиях радиоэлектронного профиля. Эти данные дают общее представление об уровне развития радиоэлектронной промышленности России во второй половине XX века. Приведенный в книге список источников позволяет получить более подробную информацию об истории развития радиоэлектроники в XX веке. Предназначена для радиоспециалистов и всех, кто интересуется историей развития науки и техники. Она может быть также использована студентами высших учебных заведений при изучении истории и методологии науки в области радиотехники и электроники.

Монография посвящена физике и применению диэлектрических пленок в кремниевых приборах наноэлектроники. Рассмотрены строение пленок оксида и нитрида кремния, полупроводниковые нанокристаллы в диэлектрических пленках, электронная структура диэлектриков с высокойо диэлектрической проницаемостью, технология структур кремний-на-изоляторе, физика приборов флэш-памяти. Монография предназначена для научных сотрудников и и инженеров, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, бакалавров. магистрантов и аспирантов, обучающихся по микроэлектронике и физике твердого тела.

Обобщены экспериментальные и теоретические исследования воздействия малых доз ионизирующего излучения (рентгеновских лучей, y-квантов, электронов) на полупроводниковые монокристаллы, полупроводниковые структуры и приборы, металлы, сплавы, режущий, буровой и волочильный инструменты, а также исследования радиационно-стимулированной миграции, диффузии и выхода водорода из твердого тела. Заложена феноменологическая модель упорядочения структуры дефектных кристаллов и изменения физических и механических свойств материалов под действием ионизирующего излучения. Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся радиационной физикой твердого тела, модификацией свойств полупроводников и металлов, проблемой материалов для термоядерных и ядреных реакторов. вопросами водородной энергетики. Полезна аспирантам, магистрам и студентам соответствующих специальностей.

Систематизированы физические принципы функционирования и особенности приборных характеристик современных полупроводниковых лазеров, использующих в качестве активной области полупроводниковые наноструктуры — квантовые ямы и массивы квантовых точек, затронуты технологические аспекты изготовления подобных лазеров, обобщены основные экспериментальные результаты в этой области. Издание адресовано студентам магистратуры технических вузов и аспирантам научных специальностей, связанных с лазерной физикой, приборами оптоэлектроники, физикой полупроводников, полупроводниковыми материалами, гетероструктурами и приборами на их основе.

В настоящей монографии приведены результаты исследований эффекта аномально высоких фотоэлектрических напряжений (АФН) в полупроводниковых пленочных системах. Впервые изложена методика и приведены результаты экспериментальных исследований возможности получения эффективного координатно-чувствительного приемника оптического излучения из полупроводниковых соединений в виде ступенчатообразной АФН-пленки. Исследована возможность использования оптрона открытого канала для волоконно-оптических систем на основе излучателя и АФН-приемника.

Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы. Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовление приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.

Впервые излагаются основы аналитических методов синтеза пассивных оптических гетероструктур, таких как многослойные и многошлейфные оптические фильтры и трансформаторы, волоконно-оптические решетки, бесконтактные соединители двух сред. Автор приводит примеры аналитического расчета цепочечных и шлейфных гетероструктур с характеристиками Баттерворта, Чебышева, Лежандра, Золотарева-Кауэра, с нагрузками, требующими трансформации сопротивлений; расчета корректоров амплитудных искажений на основе волоконно-оптических решеток. Книга будет полезна ученым, инженерам, студентам и аспирантам, занимающимся теорией и разработкой оптических селективных, корректирующих и согласующих устройств в инфракрасном и рентгеновском диапазонах длин волн.

В монографии обобщен опыт многолетних и уникальных по своей широте исследований процессов трансформации в атмосфере Земли оптического излучения различных источников и формирования полей яркости объектов естественного и антропогенного происхождения, выполненных в Государственном институте прикладной оптики. Фактические результаты исследований в книге дополнены справочными материалами, что позволяет на основе приводимых сигнатур "внешней среды" решать задачи оценки эффективности применения в изменяющихся погодных условиях оптико-электронных приборов различного назначения или принимать оптимизированные технические решения при их разработке на основе математического моделирования. Книга может быть полезна не только научным работникам и инженерам-разработчикам оптико-электронных приборов дистанционного действия, но и студентам соответствующих специальностей.

В доступной форме изложены принципы действия, параметры и характеристики приборов, применяемых в оптоэлектронике - одном из перспективных направлений электронной техники. Приведены схемы включения приборов, области их применения.Книга рассчитана на широкий круг читателей, интересующихся всем новым в электронике.

В книге рассмотрены качественные и количественные закономерности, определяющие физические особенности процессов генерации и преобразования энергии в термоэлектрических, термоэмиссионных, магнитогидродинамических и газоразрядных устройствах и системах высокоэнергетичной электроники, использующих активные среды всех четырех агрегатных состояний - твердые тела, жидкости, газы и плазму в широком диапазоне изменения их параметров - плотностей, температур, скоростей, взаимодействующих с электромагнитными полями различных частотных диапазонов и конфигураций. Анализируются принципиальные схемотехнические решения мощных и высокоэнергетичных источников, генераторов и преобразователей энергии на их основе, методы расчета функциональных элементов, коммутационной сильноточной арматуры. Рубрикатор разделов книги соответствует программам лекционных курсов, читаемых в МГТУ им. Н. Э. Баумана и МФТИ, основные разделы которых подготовлены ведущими специалистами в этой области. Предназначается для студентов, аспирантов и специалистов в области концептуального и рабочего проектирования электронных систем и устройств высокой плотности мощности различного назначения.

Нелинейная динамика процессов взаимодействия электронных потоков с электромагнитными полями электродинамических систем является достаточно широкой и многоплановой областью исследований в современной физике. В этой области в последние годы получен ряд фундаментальных результатов, относящихся как к новым механизмам излучения релятивистских электронных потоков, так и к новым явлениям, сопровождающим взаимодействие электронных потоков с электромагнитными полями. Новые явления и механизмы могут быть успешно использованы при создании усилителей и генераторов электромагнитного излучения с уникальными характеристиками. Первый том посвящен стационарным процессам, для которых математические модели наиболее проработаны и математически обоснованы. Полученные для стационарных режимов результаты имеют широкий спектр и представляются интересными как с научной, так и с прикладной точек зрения. Книги рассчитаны на специалистов в области СВЧ электроники и нелинейной динамики, а также на аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.

В обзоре М. П. Кузнецовой рассмотрена модель "частично-плавного канала" полевого транзистора с затвором Шоттки и с p-n переходом в качестве затвора. В рамках этой модели проведен расчет крутизны, емкости затвора и граничной частоты полевого транзистора, созданного на основе материалов InP и InGaAs. Полученные результаты сравниваются с приведенными в литературе значениями этих параметров для полевых транзистров на основе GaAs. Рассмотрено влияние поверхностного заряда на границе канал-подложка на характеристики полевого транзистора. Приведены результаты численного расчета характеристик полевых транзистров.В обзоре В. Д. Шадрина рассмотрены физические основы мехинзма преобразования излучения диодом с барьером Шоттки, а также вытекающие из них пороговые характеристики отдельного фотоприемника. Анализируются особенности применения фотодиодов с барьером Шоттки в многоэлементных матрицах с накоплением, в частности, влияние геометрического фактора шума на общий шум матрицы. С физической точки зрения обсуждаются основные фотоэлектрические и пороговые характеристики как фотодиодов, так и многоэлементных матриц, среди них - эквивалентная шуму разность температур. Приводятся типичные параметры ИК приемных устройств на матрицах Шоттки - диодов.

В основу легли главы американского справончка "Handbook of lasers with selected data on optical technology", под ред. Р. Дж. Пресли, вышедшего в 1971 г. в США, и статьи спрвочного характера ведущих советских ученых. В первом томе, состоящем из четырех частей, читатель найдет исчерпывающие данные о свойствах активных сред всех известных лазеров, имеющих прикладное знаение. Материал представлен с большой наглядностью - в виде графиков, таблиц и энергетических схем. Книга представляет интерес для широкого круга инженеров и научных работников, занимающихся квантовой электроникой и работающих в смежных областях. Справочник окажет также большую помощь разработчикам аппаратуры и приборов, применяемых в лазерной технике, а также студентам старших курсов вузов физических и технических специальностей.