Петербургский журнал электроники / Российский научно-исследовательский институт "Электростандарт"; Российский научно-исследовательский институт "Электростандарт". — 1993-. — СПб.: Электронстандарт, 1993-.

Reviews of Modern Physics. — 1929-. — College Park: Amer. inst. of physics, 1929-. — ISSN 0034-6861.

Инженерно-физический журнал = Journal of Engineering Physics and Thermophysics / Национальная академия наук Беларуси, Институт тепло- и массообмена им. А.В. Лыкова; Институт тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова АН Белоруси (Минск). — : Государственное научное учреждение "Институт тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова" НАН Украины. — ISSN 0021-0285.

Устройства со скрещенными электрическим и магнитным полями для нанесения тонкопленочных покрытий на подложки большой площади: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. А. Соловьев ; науч. рук. Н. С. Сочугов, офиц. оппоненты : Н. Н. Коваль, В. П. Кривобоков; Институт сильноточной электроники СО РАН, Институт электрофизики УрО РАН. — Томск, 2007. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.

Мощные импульсные СВЧ-генераторы на основе лампы обратной волны в режиме сверхизлучения: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. А. Ельчанинов ; науч. рук. В. В. Ростов, офиц. оппоненты : В. И. Кошелев, А. С. Шлапаковский; Рос. АН, Сиб. отд-ние, Институт сильноточной электроники, Институт прикладной физики. — Томск, 2007. — 16 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / О. В. Анисимов ; науч. рук. Н. К. Максимова, офиц. оппоненты : А. В. Войцеховский, Г. И. Айзенштат; Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / В. А. Новиков ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : А. П. Коханенко, Г. Е. Ремнев; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 24 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / И. В. Каменская ; науч. рук. В. Н. Брудный, офиц. оппоненты : Н. П. Криворотов, В. Н. Давыдов; Томский государственный университет, Томский государственный педагогический университет, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 23 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Деформация и разрушение модифицированных ионными пучками материалов при трении: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / Б. П. Гриценко ; науч. консультант В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: В. П. Кривобоков, А. А. Батаев, Ю. Ф. Иванов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Институт машиноведения УрО РАН. — Томск, 2007. — 30 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-30.

Свойства нанодисперсного порошка триоксида вольфрама и его плазмохимический синтез при атмосферном давлении: автореф. дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. Мартинес; науч. рук. Г. Н. Чурилов, офиц. оппоненты: Г. Е. Ремнев, А. П. Ильин; Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 2007. — 24 с.: граф. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-24.