| 51 |
|
Нанокристаллические магнитные пленки: монография / Г. И. Фролов, В. С. Жигалов ; отв. ред. В. Ф. Шабанов; Сиб. гос. аэрокосм. ун-т им. М. Ф. Решетнева, Ин-т физики им. Л. В. Киренского СО РАН. — Красноярск: ИФ, 2012. — 141, [1] с.: ил.; 21 см. — Библиогр.: с. 135-142. — ISBN 978-5-86433-532-1: 150.00 р.
Рассматривается одна из самых актуальных научных проблем, лежащих на стыке материаловедения, химии и физики твердого тела - нанокристаллическое состояние вещества. Особое место среди нанокристаллических материалов занимают магнетики, так как в них наиболее полно проявляются особенности перехода к на-нокристаллической структуре. Освещены вопросы корреляции структуры и физических свойств наночастиц 3d-металлов, технология получения и свойства нанокристаллических и наногранулированных магнитных пленок, а также потенциальные возможности их практического использования. Для специалистов в области физики твердого тела, материаловедения, для студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
|
| 52 |
|
XXIVI Российская конференция по электронной микроскопии: материалы временных коллективов. — Электрон. дан. — Черноголовка, 2012. — Системные требования: Загл. с диска. — 150.00 р.
|
| 53 |
|
Спектроскопия внутреннего отражения: научное издание / Н. Харрик ; пер. с англ.: В. М. Золотарева, В. А. Берштейна, под ред. В. А. Никитина. — М.: Мир, 1970. — [335] с.: граф., рис. — Библиогр.: с. 282-301.
За последние годы метод спектрофотометрии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) получил широкое распространение в практике научных исследований. В книге рассмотрены преимущества метода НПВО по сравнению с классическими методами пропускания и обычного отражения. Обсуждены возможности метода применительно к решению большого круга задач в области физики, химии, в различных областях техники, в биологии и т. д. Приводятся примеры как уже осуществленных, так и возможных приложений метода к изучению структуры поверхности массивных тел и тонких пленок, и в частности поверхностных свойств полупроводников. Рассмотрены приложения метода в области изучения полимеров, повеерхностных соединений, химических реакций, адгезии, адсорбции и т. д. Книга представляет большой интерес для специалистов-спектроскопистов, работающих в различных областях науки и техники, физиков, биологов.
|
| 54 |
|
Трение и изнашивание композиционных материалов с многоуровневой демпфирующей структурой: научное издание / А. В. Колубаев, В. В. Фадин, В. Е. Панин; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Гомель.
Приведены результаты исследований физико-математических и триботехнических свойств композиционных микро- и макрогетерогенных материалов матрично-наполненного типа, содержащих в качестве твердой фазы карбид титана. Показано, что создание многоуровневой демпфирующей структуры позволяет регулировать процесс изнашивания материала, заданием наиболее выгодного для данных условий трения структурного уровня деформирования поверхностного слоя.
|
| 55 |
|
Структурные превращения и эволюция мезоструктуры при деформировании гетерогенно-слоевых сплавов на основе TiNi: научное издание / В. Н. Гришков, А. И. Лотков, В. Н. Тимкин; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Новосибирск.
Исследована эволюция мезоструктуры в многослойной диффузионной зоне азотированного TiNi на разных стадиях изотермического (300 K) растяжения. Основные результаты заключаются в следующем. Присутствие при 300 K в составе диффузионной зоны В2-фазы, способной испытывать при нагружении деформационные мартенситные превращения, обеспечивает эффективную релаксацию внутренних напряжений вблизи микротрещин и в объеме диффузионной зоны. Формирование деформационного мартенсита В19` блокирует рост микротрещин во внутренние слои диффузионной зоны. Процессы пластической деформации развиваются тогда, когда ресурсы релаксации внутренних напряжений формированием деформационных мартенситных фаз исчерпаны.??.
|
| 56 |
|
Микро- и мезоструктура синтезированного под давлением интерметаллида Ni3Al: научное издание / В. Е. Овчаренко, М. В. Федорищева; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Томск.
Методами оптической металлографии и просвечивающей дифракционной электронной микроскопии показано, чо микро- и мезоструктура литого и синтезированного под давлением интерметаллидов Ni3Al существенно различаются. В синтезированном интерметаллиде выявлены четыре типа зерен основной фазы Ni3Al с разной доменной и дислокационой структурой: моно- и полидомены без дислокаций и с дислокациями.
|
| 57 |
|
Влияние толщины упрочненного слоя на формирование мезоструктуры при растяжении поверхностно упрочненных образцов: научное издание / В. Е. Панин [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Томск.
Проведено систематическое экспериментальное исследование влияния толщины поверхностного упрочненного слоя плоских образцов стали 65Х13 на геометрические параметры квазипериодической мезосубструктуры, формирующейся в поверхностном слое и объеме образца в процессе его пластического растяжения. Обнаруженная зависимость фрагментов мезосубструктуры от толщины поверхностного упрочненного слоя хорошо коррелирует с теоретическими расчетами механических или термических напряжений на границе раздела двух сред во внешнем поле.
|
| 58 |
|
Фрактальная размерность мезоструктуры поверхности пластически деформированных поликристаллов: научное издание / В. Е. Панин [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // М.
Изучен характер изменения фрактальной размерности в разрушенных образцах поликристаллов алюминия и кремнистого железа в зависимости от расстояния места разрушения. Показано, что при активном растяжении наблюдается три стадии изменения фрактальной размерности, а при знакопеременном изгибе - две стадии по мере приближения к месту разрушения. Фрактальная размерность поверхности может служить хорошей качественной характеристикой степени повреждаемости нагруженного материала.
|
| 59 |
|
Механизмы демпфирования упругой энергии в переходном слое между покрытием и подложкой в условиях контактного взаимодействия: научное издание / В. Е. Панин [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Новосибирск.
В рамках междисциплинарного исследования процессов деформации и разрушения композиций покрытие — подложка при их контактном взаимодействии выполнен теоретический и экспериментальный анализ влияния дисперсного переходного слоя между сопряженными слоями на процесс формирования деформационных структур вблизи границы раздела. С помощью метода возбудимых клеточных автоматов проведено моделирование переноса упругой энергии от индентора с учетом процессов самоорганизации сдвигов и поворотов структуры вблизи интерфейса. С использованием оптико-телевизионного измерительного комплекса TOMSC экспериментально исследовано влияние переходного слоя между покрытием и подложкой на формирование деформационных структур в условиях контактного взаимодействия с индентором при трехточечном изгибе.
|
| 60 |
|
Автоэмиссионные наноструктуры и приборы на их основе: научное издание / Н. И. Татаренко, В. Ф. Кравченко. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. — 192 с.: ил. — Библиогр.: с. 178-192. — ISBN 5-9221-0695-3: 181.50 р.
В книге дан анализ современного состояния и тенденций развития вакуумной микро- и наноэлектроники. Рассмотрены физико-химические основы процесса создания нового класса автоэмиссионных наноструктур на базе на-нопористого анодного оксида алюминия. Приведены результаты исследований их геометрических параметров, элементного состава и эмиссионных характеристик. Представлена принципиально новая интегральная технология создания наноструктурных автоэлектронных микроприборов и систем их межсоединений на основе тонких пленок вентильных металлов и их анодных оксидов. Изложены физические основы процедуры моделирования и расчета характеристик этих микроприборов. Приведены их экспериментальные и расчетные характеристики. Предназначается для научных и инженерно-технических работников, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в области физической электроники, микро- и наноэлектроники.
|
| 61 |
|
Введение в физику поверхности: переводное издание / К. Оура [и др.]. ; ред. В. И. Сергиенко; Дальневосточное отд-ние РАН, Ин-т автоматики и процессов управления. — М.: Наука, 2006. — 490 с.: ил. — Библиогр.: с. 464-481. — Предм. указ.: с. 482-490. — ISBN 5-02-034355-2: 212.00 р.
Книга посвящена физике поверхности. Она дает необходимую вводную информацию для исследователей, которые только начинают работать в данной области. Книга содержит все наиболее важные аспекты современной науки о поверхности от экспериментальной базы и основ кристаллографии до современных аналитических методов и их использования в изучении тонких пленок и наноструктур. Для специалистов в области физики поверхности, аспирантов, студентов старших курсов инженерных и физических специальностей.
|
| 62 |
|
Микроэлектроника [Текст] / Рос. акад. наук, Отд-ние инф. технологий и выч. систем РАН; Российская Академия наук (М.). — 1972-. — М.: Наука, 1972-. — ISSN 0544-1269.
|
| 63 |
|
Петербургский журнал электроники / Российский научно-исследовательский институт "Электростандарт"; Российский научно-исследовательский институт "Электростандарт". — 1993-. — СПб.: Электронстандарт, 1993-.
|
| 64 |
|
Устройства со скрещенными электрическим и магнитным полями для нанесения тонкопленочных покрытий на подложки большой площади: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. А. Соловьев ; науч. рук. Н. С. Сочугов, офиц. оппоненты : Н. Н. Коваль, В. П. Кривобоков; Институт сильноточной электроники СО РАН, Институт электрофизики УрО РАН. — Томск, 2007. — 21 с.: ил. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 65 |
|
Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / О. В. Анисимов ; науч. рук. Н. К. Максимова, офиц. оппоненты : А. В. Войцеховский, Г. И. Айзенштат; Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томский политехнический университет. — Томск, 2007. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.
|
| 66 |
|
Возникновение зародышей мезополос локализованной деформации на интерфейсу "поверхностный слой - подложка" и их распространение а объеме нагруженного твердого тела, находящегося в неравновесном состоянии: научное издание / В. Е. Панин [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // М. ; СПб.
Проведено исследование зарождения и распространения мезополос неупругой деформации в двухуровневой неравновесной системе "поверхностный слой - подложка" при одноосном растяжении. Применен метод стохастических возбудимых клеточных автоматов, подробно изложенный в [1]. Показано, что мезополосы неупругой деформации зарождаются в областях растягивающих нормальных напряжений на интерфейсе и распространяются в глубь материла по сопряженным направлениям максимальных касательных напряжений. При пересечении мезополос, распространяющихся в двух смежных сопряженных направлениях, их развитие прекращается.
|
| 67 |
|
Зарождение мезополос неупругой деформации на интерфейсе "поверхностный слой - подложка" при нагружении неравновесного твердого тела: научное издание / В. Е. Панин [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Новосибирск.
В данной работе проведено исследование особенностей зарождения и распространения мезополос неупругой деформации в двухуровневой системе «поверхностный слой – подложка». В качестве инструмента исследования был применен метод стохастических возбудимых клеточных автоматов. В отличие от предыдущих работ, посвященных формированию регулярных деформационных мезоструктур исключительно на интерфейсе «поверхностный слой – подложка», в данной работе моделировался процесс неупругой деформации основного материала. Показано, что мезополосы неупругой деформации зарождаются в областях растягивающих нормальных напряжений на интерфейсе и распространяются вглубь материала по направлениям максимальных касательных напряжений. При пересечении мезополос, распространяющихся в двух сопряженных направлениях, их развитие прекращается. Авторы связывают данный эффект с «шунтированием» потоков энергии от соседних зон растягивающих нормальных напряжений.
|
| 68 |
|
Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического тока: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Р. К. Келбиханов ; науч. рук. Г. А. Абдурагимов, офиц. оппоненты: Н. М. Богатов, Р. А. Рабаданов; Дагестанский государственный педагогический университет (Махачкала). — Нижний Новгород, 2008. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23-25.
|
| 69 |
|
Устройства со скрещенными электрическим и магнитным полями для нанесения тонкопленочных покрытий на подложки большой площади: дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. А. Соловьев ; науч. рук. Н. С. Сочугов; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 2007. — 210 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 196-210.
|
| 70 |
|
Mesomechanics of thin film degradation under high-density current: научное издание / А. В. Панин; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // .
|
| 71 |
|
Электронномикроскопические исследования структуры и электронных процессов в МДМ-катодах: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. А. Миллер ; науч. рук. Г. А. Воробьев; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Томск, 1983. — 140 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 127-140.
|
| 72 |
|
Масштабные уровни деформации в поверхностных слоях нагруженных твердых тел и тонких пленках: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. В. Панин ; оппоненты: А. Н. Тюменцев, В. Ф. Терентьев, М. П. Бондарь; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Московский Инженерно-Физический Институт (Государственный университет) (М.), Томский государственный университет (Томск). — Томск: В-Спектр, 2006. — 37 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 32-37.
|
| 73 |
|
Ненакаливаемый эмиттер электронов на основе тонкопленочной системы металл-диэлектрик-металл при низких температурах: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / М. Б. Хаскельберг ; науч. рук. Ю. Б. Янкелевич; Томский государственный педагогический институт им. Ленинского Комсомола (Томск). — Томск, 1991. — 226 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 204-223.
|
| 74 |
|
Резонансная перезарядка и рассеяние ионов поверхностью кристалла NaCl: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Р. Р. Убайдуллаев ; науч. рук. М. Б. Гусева, офиц. оппоненты: Н. П. Калашников, Б. Л. Оксенгендлер; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.), Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова АН СССР (М.). — М., 1990. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14.
|
| 75 |
|
Модификация поверхности металлов методом ионно-лучевого смешивания: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. Г. Мурзин ; науч. рук. Л. П. Чупятова, офиц. оппоненты: В. Н. Мордкович, Г. В. Гордеева; Московский институт стали и сплавов (М.), ЦНИИЧЕРМЕТ. — М., 1992. — 25 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-25.
|
| 76 |
|
Физические основы микроэлектроники: учеб. пособие для вузов по спец. "Проектирование и технология радиоэлектронных средств" направления "Проектирование и технология электрон. средств" / В. И. Марголин, В. А. Жабрев, В. А. Тупик. — М.: Академия, 2008. — 398, [1] с.: ил.; 22 см. — (Высшее профессиональное образование). — Библиогр.: с. 395. — ISBN 978-5-7695-4227-5: 543.00 р.
Изложены основы квантовой механики, фрактальной геометрии и фрактальной физики, нелинейной динамики. Рассмотрены физические основы основных технологических процессов микро- и наноэлектроники : получение тонкопленочных структур, создание и перенос литографического изображения, методы модификации поверхностных и объемных структур, основы и методы контроля и метрологии. Для студентов высших учебных заведений.
|
| 77 |
|
Моделирование синтеза покрытий на подложке с использованием электронно-лучевого нагрева: научное издание / А. Г. Князева, С. Н. Сорокова, И. Л. Поболь; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский политехнический университет (Томск), Физико-технический институт НАН Беларуси (Минск) // Черноголовка.
|
| 78 |
|
Физические принципы сенсоров на основе поверхностных электромагнитных волн в структурах металл-проводник: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / А. А. Белоглазов ; науч. рук. П. И. Никитин, офиц. оппоненты: В. А. Сычугов, А. Н. Георгобиани; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам РАН (Троицк). — М., 1997. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-22.
|
| 79 |
|
Functional Thin Films and Functional Materials: New Concepts and Technologies / ed. D. Shi. — Berlin: Springer, 2003. — 443 с.: ill. — (Springer series in materials science). — Bibliogr. at the end of the chapters. — ISBN 3-540-00111-5: 5094.11 р.
|
| 80 |
|
Thin film materials technology: Sputtering of compound materials / K. Wasa, M. Kitabatake, H. Adachi. — Norwich: William Andrew, 2004. — 518 с.: ill. — (Related electronic materials and process technology). — Bibliogr. at the end of the chapters. — Ind.: p. 501-518. — ISBN 3-540-21118-7: 5680.00 р.
|
| 81 |
|
Поверхностные силы и граничные слои жидкостей: сборник / Институт физической химии АН СССР. — М.: Наука, 1983. — 228, [4] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце ст. — 2.70 р.
|
| 82 |
|
International Conference on Coatings on Glass (ICCG): High-Performance Coatings for Transparent Systems in Large-Area and/or High-Applications : Proceedings. — Amsterdam: Elsevier, 1998. — 466 с.: ill. — Bibliogr. at the end of the art. — Auth., subject ind.: p.458-466. — ISBN 0-444-50247-5: 4171.00 р.
|
| 83 |
|
XVIII Российская конференция по электронной микроскопии: Тезисы докладов. — Черноголовка: Богородский печатник, 2000. — 338 с.: ил. — Авт. указ.: с. 331-338. — ISBN 5-89589-020-2: 76.80 р.
|
| 84 |
|
XVII Российская конференция по электронной микроскопии: Тезисы докладов. — Черноголовка: Богородский печатник, 1998. — 326 с.: ил. — Авт. указ.: с. 319-325. — ISBN 5-89589-004-0: 25.00 р.
|
| 85 |
|
Пучки распыляющих ионов : получение и применение: монография / А. П. Семенов ; науч. ред. Г. А. Месяц; Бурятский научный центр СО Рос. АН, Отдел физических проблем. — Улан-Удэ: БНЦ СО РАН, 1999. — 207 с.: ил., табл. — ISBN 5-7925-0049-5: 10.86 р.
|
| 86 |
|
Гидратация и межмолекулярное взаимодействие. Исследование полиэлектролитов методом инфракрасной спектроскопии: переводное издание / Г. Цундель ; пер. с англ. Ше Мидона, под ред. Ю. Н. Чиргадзе. — М.: Мир, 1972. — 404, [4] с.: ил., табл. — Библиогр. в конце глав. — 2.70 р.
|
| 87 |
|
Фотоэмиссионные свойства тонких пленок антимонидов щелочных металлов, сконденсированных в условиях сверхвысокого вакуума: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07 / И. А. Нестеров ; науч. рук. В. М. Геллер, науч. конс. А. Б. Беркин, офиц. оппоненты: В. Н. Брудный, С. Н. Янин; Новосибирский государственный технический университет (Новосибирск), Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" (СПб.), Томский политехнический университет (Томск). — Томск, 2009. — 24 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 21-24.
|
| 88 |
|
Нанесение прозрачных проводящих покрытий на основе оксида цинка методом магнетронного распыления: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / С. В. Работкин ; науч. рук. Н. С. Сочугов, офиц. оппоненты: Е. М. Окс, С. Н. Янин; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург). — Томск, 2009. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 89 |
|
Нанесение прозрачных проводящих покрытий на основе оксида цинка методом магнетронного распыления: дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / С. В. Работкин ; науч. рук. Н. С. Сочугов; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 2009. — 146 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 138-146.
|
| 90 |
|
Исследование приповерхностного слоя магнитной жидкости вблизи металлического и полупроводникового электродов по оптическим и электрофизическим измерениям: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.13 / А. А. Гетманский ; науч. рук. В. В. Чеканов, офиц. оппоненты: В. В. Соколов, А. Я. Симоновский; Ставропольский государственный университет (Ставрополь), Курский государственный технический университет (Курск). — Ставрополь, 2009. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 91 |
|
Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов / И. П. Суздалев. — 2-е изд., испр. — М.: URSS, 2009. — 592 с.: ил. — (Синергетика: от прошлого к будущему). — ISBN 978-5-397-00217-2: 412.00 р.
Книга включает круг вопросов, которые могут составить область науки о нанообъектах, процессах и явлениях, проходящих на уровне размеров 1-100 нм. В этой области наблюдаются эффекты, чувствительные как к отдельным атомно-молекулярным уровням энергии, так и к коллективным свойствам тел. Развитие науки о нанокластерах и наносистемах и методов их исследования привело к созданию нанотехнологии, наноматериалов и наноустройств, отличающихся уникальными свойствами и перспективами применения. Книга представляет собой попытку соединения теоретических и экспериментальных данных о нанокластерах и наносистемах с некоторыми вопросами более общего, вводного характера: методами исследования нанокластеров и поверхности твердого тела и микроскопическими и термодинамическими подходами к изучению нанокластеров и поверхности. Такая структура книги нашла свое отражение благодаря работам автора в Институте химической физики им. Н. Н. Семенова РАН и чтению курса лекций по физико-химии нанокластеров и наноструктур в Московском государственном университете им. М. В. Ломоносова, на факультете наук о материалах. Книга может быть полезной как для студентов и аспирантов, так и для научных работников, ведущих исследования или начинающих работать в области нанотехнологии.
|
| 92 |
|
Распределения напряжений и деформаций на интерфейсе "поверхностный слой - подложка": моделирование на основе стохастического подхода: научное издание / Д. Д. Моисеенко, П. В. Максимов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Новосибирск.
Проведена серия численных экспериментов, нацеленных на выявление закономерностей формирования возмущений на внутренних границах раздела и поверхностях твердого тела при внешней приложенной механической нагрузке. Применен разработанный авторами стохастический алгоритм, использующий как базовые понятия классической теории упругости на макромасштабном уровне, так и результаты, полученные в рамках вероятностных подходов для более низких масштабных уровней. Обнаружено, что деформационный профиль поверхностного слоя нагруженного твердого тела имеет многоуровневую самоподобную структуру, где форма поверхности фронта возмущений на более высоком масштабном уровне подобна форме фронтов возмущений от концентраторов напряжений на более низких масштабных уровнях. Распределение напряжений и деформаций на интерфейсе «поверхностный слой – подложка» имеет «шахматный» характер.
|
| 93 |
|
Физика за рубежом 1987: сб. ст. : пер. с англ., франц. / под ред. А. С. Боровика-Романова, Р. З. Сагдеева. — М.: Мир, 1987. — 271 с.: ил. — (Серия А. Исследования). — Библиогр. в конце ст. — 0.95 р.
|
| 94 |
|
Технология микроэлектронных устройств: Справочник / З. Ю. Готра ; рец. Ю. З. Бубнов. — М.: Радио и связь, 1991. — 528 с.: табл. — Библиогр.: с. 526. — ISBN 5-256-00699-1: 4.00 р.
Рассмотрены механические, химические, ионные, плазменные, электронно-лучевые и другие методы обработки в технологии микроэлектронных устройств. Обобщены данные по выращиванию монокристаллов, диффузии, эпитаксии, ионной имплантации, технологии тонких пленок, литографии, сборке и герметизации. значительное внимание уделено контролю, обеспечению качества и надежности при изготовлении микроэлектронных устройств. Для инженерно-технических работников, мастеров и квалифицированных рабочих, занимающихся производством МЭУ.
|
| 95 |
|
Прочностный анализ композиционного покрытия триботехнического назначения: научное издание / С. В. Панин [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский университет систем управления и радиоэлектроники (Томск) // д-р техн. наук, доц. — М.
В работе предлагается метод оценки прочностных свойств наполненного полимерного композитного покрытия, основанный на компьютерном моделировании и методах вычислительной механики. Предлагаемый подход позволяет связать уровень внешней нагрузки, способ ее приложения, характеристики рельефа подложки, наконец, состав материала композиции с локальными распределениями параметров напряженно-деформированного состояния и оценить прочность материала покрытия.
|
| 96 |
|
Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии: монография / Е. В. Берлин, Л. А. Сейдман. — М.: Техносфера, 2010. — 527 с.: ил. — (Мир материалов и технологий). — Библиогр. в конце гл. — ISBN 978-5-94836-222-9: 550.00 р.
Настоящая книга представляет собой подробное справочное руководство по основным вакуумным плазмохимическим процессам в тонкопленочной технологии — реактивному магнетронному нанесению тонких пленок и ионно-плазменному травлению. В ней обобщено современное состояние этих процессов. Книга содержит подробное описание магнетронных напылительных установок и плазмохимических установок для травления тонких пленок. Рассмотрены технологические особенности их использования. Описаны способы управления процессами реактивного нанесения тонких пленок и использования среднечастотных импульсных источников питания. Показаны технологические особенности получения тонких пленок тройных химических соединений методом реактивного магнетронного сораспыления. Описана структура получаемых пленок и ее зависимость от параметров процесса нанесения. Приведены принципы конструирования источника высокочастотного разряда высокой плотности для ионного или плазмохимического прецизионного травления тонких пленок, а также его использования для стимулированного плазмой осаждения тонких пленок. Книга рассчитана на специалистов, занимающихся исследованием, разработкой и изготовлением различных изделий электронной техники и нанотехнологии, совершенствованием технологии их производства и изготовлением специализированного оборудования. Она также будет полезна в качестве учебного пособия для студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специализаций.
|
| 97 |
|
Тройные полупроводниковые соединения в системах А1-Вv-Cvi: монография / В. Б. Лазарев, С. И. Беруль, А. В. Салов. — М.: Наука, 1982. — 147, [5] с.: ил., табл. — Библиогр.: с. 137-146. — 1.60 р.
|
| 98 |
|
Технология тонких пленок : справочник в 2-х т. / под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга, пер. с англ. под ред. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко. — М.; : Советское радио , Б.г.
Т.1 :. — , 1977. — 664 с.: ил. — 4.02 р.
|
| 99 |
|
Исследование разряда в скрещенных полях в неоне: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. В. Сасин ; науч. рук. С. Д. Вагнер, офиц. оппоненты : Л. Д. Цендин, В. И. Сысун; Карельская государственная педагогическая академия, Санкт-Петербургский государственный университет, Петрозаводский государственный университет. — Петрозаводск, 2010. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.
|
| 100 |
|
Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок: монография / Б. С. Данилин. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 327 с.: ил. — Библиогр.: с. 316-324. — ISBN 5-283-03939-0: 3.60 р.
|