В рамках линейного метода МТ-орбиталей в приближении атомной сферы с коррекцией на их перекрывание проведен самосогласованный расчет электронной структуры кубической фазы дигидрида циркония. Рассчитана электронная структура нестехиометрического ZrH1.75. Исследовано влияние вакансии по водороду на электронные характеристики. В приближении малой позитронной плотности рассчитаны спектр позитронов, время жизни позитрона и клады в процесс электронно-позитронной аннигиляции различных электронных состояний. Получено удовлетворительное согласие с имеющимися теоретическими и экспериментальными данными.

Методами металлографии, рентгеноструктурного анализа, дифракционной микроскопии, путем измерения микротвердости исследованы результаты воздействия импульсного НСЭП на фазовый состав, дефектную структуру и механические свойства твердого сплава WC-30% сталь 110Г13. Обнаружены и детально изучены области повышенной микротвердости (микротвердость материала данных областей в 1,5...2,0 раза превышает исходную), расположенные на облучаемой поверхности и в глубине материала. Показано, что число зон повышенной микротвердости увеличивается с ростом количества импульсов обработки НСЭП. Рассмотрены механизмы упрочнения материала импульсным НСЭП. Сделан вывод, что увеличение микротвердости сплава обусловлено диспергированием карбидной фазы, выделением наномерных частиц сложнолегированных карбидов, деформационным и полиморфным упрочнением связующего материала.

Изложены физические основы работы оптоэлектронных и нанофотонных приборов, рассмотрены основные типы излучающих, фотоприемных и индикаторных приборов, а также вопросы применения оптоэлектронных приборов в аналоговых и цифровых устройствах. Основное внимание уделено полупроводниковым оптоэлектронным приборам, устройствам и системам, предназначенным для использования в микроэлектронной и наноэлектронной аппаратуре инфокоммуникационных систем. Пособие ориентировано на студентов технических специальностей вузов телекоммуникаций и информатики, а также родственных вузов, где изучаются курсы "Физика", "Физические основы электроники", "Электроника".

Настоящая книга представляет собой англо-русский толковый словарь, который содержит более 4000 терминов по оптике, оптоэлектронике, оптическим методам обработки информации, электронике и смежным областям науки. Термины и терминологические словосочетания сопровождаются толкованиями, которые помогают понять их смысл. Словарь предназначен для научных работников, специалистов в области оптоэлектроники, лазерной техники, волоконной оптики и смежных отраслей науки.

Вы держите в руках книгу, посвященную использованию в цифровой фотографии одного из наиболее совершенных и популярных графических редакторов - Adobe Photshop CS. Прочитав ее, вы научитесь производить цветокоррекцию изображений, устранять недостатки фотографии, готовить изображения к печати и выводить их на принтер. Вы узнаете, каким образом производится описание изображения в цифровом виде, в каких форматах следует сохранять изображение в том или ином случае, как подготовить изображение к отправке по электронной почте и размещению в Интернете. Несмотря на то что основное внимание в книге уделено обработке цифровых фотографий, все сказанное применимо и к изображениям, полученным "традиционными" способами. Книга адресована в первую очередь тем, кто уже знаком с цифровой фотографией и умеет пользоваться фотокамерой.

Прочитав эту книгу, написанную живым, доступным языком, вы научитесь правильно задавать вопросы поисковым системам в Интернете, сможете свободно ориентироваться во Всемирной паутине: находить необходимую информацию, программы, новых друзей. Вы поймете, как искать в Интернете изображения, адреса и телефоны, веб-камеры, списки рассылки, электронные адреса. И самое главное, вы научитесь самостоятельно искать то, о чем нельзя прочитать ни в одной книге. Вам откроется "скрытый Интернет" - гигантские хранилища информации, недоступные обычным поисковым системам. Многочисленные примеры, приведенные в книге, помогут освоить не толькок "технику" поиска, но и овладеть им как искусством.

Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры четырехкомпонентных природных минералов PbBi2Te2S2 (алексит), Pb2Bi2Te2S3 (саддлебакит) и PbBi4Te4S3 (фаза С). Эти соединения имеют слоистую структуру: алексит и саддлебакит формируются семислойными и девятислойными блоками соответственно, а фаза С - чередующимися пяти- и семислойными блоками, разделенными ван-дер-ваальсовыми промежутками. Показано, что рассматриваемые материалы являются трехмерными топологическими изоляторами с широкой запрещенной щелью в электронном спектре и обладают большой спиновой поляризацией. Это делает их привлекательными с точки зрения практических приложений.