| 91 |
|
Оборудование и методы импульсно-периодической ионной и плазменной обработки материалов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.20 / И. Б. Степанов ; научн. конс. А. И. Рябчиков, офиц. оппоненты : Н. В. Гаврилов, Г. Е. Ремнев, Г. Ю. Юшков; Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 44 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 38-44.
|
| 92 |
|
Оборудование ионной имплантации: монография / В. В. Симонов [и др.]. — М.: Радио и связь, 1988. — 182 с.: ил. — Библиогр.: с. 170-181. — ISBN 5-256-00007-1: 0.70 р. |
| 93 |
|
Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками: сб. ст. / под ред. Дж. М. Поута [и др.], пер. с англ. Н. К. Мышкина [и др.], под ред. А. А. Углова. — М.: Машиностроение, 1987. — 424 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 2.20 р. |
| 94 |
|
Субмикронные технологии: сборник научных трудов / Рос. АН, Физико-технологический институт; отв. ред. тома В. Н. Репин. — М.: Наука, 1995. — 79 с.: ил. — (Труды Физико-технологического института РАН / гл. ред. К. А. Валиев, 0868-7129). — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-02-000831-1: 4600.00 р. |
| 95 |
|
Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках: монография / В. С. Вавилов, А. Е. Кив, О. Р. Ниязова. — М.: Наука, 1981. — 368 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 367-368. — 2.90 р.
|
| 96 |
|
Действие излучений на полупроводники: монография / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. — М.: Наука, 1988. — 191 с.: ил. — Библиогр.: с. 180-181. — Предм. указ.: с. 188. — ISBN 5-02-013834-7: 1.20 р.
|
| 97 |
|
Формирование градиентных структур TIN/TI/Zr-1Nб вакуумными ионно-плазменными методами для защиты от проникновения водорода: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Е. Б. Кашкаров ; науч. рук. Н. Н. Никитенко, офиц. оппоненты : А. М. Борисов, Г. П. Грабовецкая; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Нац. исслед. ядерный ун-т "МИФИ". — Томск, 2018. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 98 |
|
Источники пучков ионов твердотельных веществ на основе вакуумно-дугового и пеннинговского разрядов для экстремальных режимов ионной имплантации: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.04 / Т. В. Кулевой ; науч. конс. Е. М. Окс, офиц. оппоненты : Н. В. Гаврилов, А. А. Иванов, Г. Е. Ремнев; Ин-т теор. и эксперимент. физики им. А. И. Алиханова Нац. исслед. центра "Курчатовский институт", Ин-т прикл. физики РАН (Нижний Новгород). — Томск, 2019. — 35 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 30-35.
|
| 99 |
|
Повышение износостойкости меди при трении в атмосфере инертного газа методами ионной имплантации и нанесения покрытий: Дисс. канд. техн. наук: 01.04.07 / С. Ю. Жарков: науч. рук. В. П. Сергеев; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (Томск). — Томск, 2019. — 174 с. — На правах рукописи. — С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке и на сайте Института физики прочности и материаловедения СО РАН, http://www.ispms.ru/files/Dissertacii__D038_1/Zharkov/Diss_Zharkov.pdf. — Библиогр.: с. 156.
|
| 100 |
|
Зарубежная военная техника [Текст ] : обзоры / Центральный научно-исследовательский институт информации и технико-экономических исследований (М.). — Москва; : ЦНИИ информации , Б.г.
Вып. 9 (69) : Приемники и преобразователи оптического излучения. Ионное легирование соединений InP и InGaAs / А. В. Микуленок. — Москва: ЦНИИ информации, 1987. — 44 с.: граф., табл. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 37-44.
В обзоре рассмотрены особенности процесса образования радиационных дефектов в соединениях и их постимплатационного отжига, закономерности активации внедренных примесных атомов, обеспечивающих электронную или дырочную проводимость слоев, влияние радиационных дефектов на структурные и электрические характеристики получаемых слоев. Обсуждается выбор легирующей примеси для изготовления различных приборных структур на основе InP и InGaAs.
|