Влияние структуры эластомерного нанокомпозита на его механические свойства: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.02.04 / И. А. Морозов ; науч. рук. А. Л. Свистков, офиц. оппонент А. А. Адамов, офиц. оппонент О. Ю. Сметанников; Институт механики сплошных сред УрО РАН (Пермь), Институт проблем механики РАН. — Пермь, 2008. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Коллективные эффекты в ансамбле дислокаций и формирование субграниц при деформации металлов: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Г. Ф. Сарафанов ; науч. конс. В. Н. Перевезенцев, офиц. оппоненты: В. В. Рыбин, А. Е. Романов, Д. М. Левин; Институт машиноведения им. А. А. Благонравова РАН (Нижний Новгород), Нижегородский филиал, Институт проблем машиноведения РАН (СПб.), Белгородский государственный университет (Белгород). — Белгород, 2008. — 36 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 33-36.

Исследование особенностей формирования слоистых наноразмерных структур на основе металлических пленок: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07, 01.02.04 / И. С. Коноваленко ; науч. рук.: С. Г. Псахье, К. П. Зольников, офиц. оппоненты: В. А. Скрипняк, А. Н. Тюменцев; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН. — Томск, 2008. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.

Закономерности и механизмы деформации и переориентации кристалла при больших пластических деформациях аустенитной стали: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Н. В. Шевченко ; науч. рук. А. Н. Тюменцев, офиц. оппоненты: Е. Ф. Дударев, Н. И. Афанасьев; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск), Томский государственный архитектурно-строительный университет (Томск). — Томск, 2008. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18.

Источники низкоэнергетических сильноточных электронных пучков на основе пушек с плазменным анодом и взрывоэмиссионным катодом: дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Г. Е. Озур ; науч. консультант Д. И. Проскуровский; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 2008. — 287 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 265-387.