| 61 |
|
Физические основы полупроводниковой электроники: посвящается памяти В. Е. Лашкарева / АН УССР, Институт полупроводников; под общ. ред. О. В. Снитко. — Киев: Наукова думка, 1985. — 302 с.: ил. — Библиогр.: с. 269-302. — 3.80 р. |
| 62 |
|
Исследование и подавление обратных связей в фотоэлектронных приборах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / Р. И. Багдуев ; офиц. оппоненты: А. Г. Берковский, Л. Б. Безруков; Организация п/я А-1501, Предприятие п/я Р-6964, Научно-исследовательский институт электронных приборов. — Новосибирск, 1988. — 20 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 63 |
|
Теоретические и экспериментальные основы проектирования технологических газоразрядных источников электронов: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / И. В. Мельник ; науч. конс. С. В. Денбновецкий, офиц. оппоненты: А. А. Гончаров, А. А. Новиков, Н. И. Гречанюк; Национальный технический университет Украины "Киевский политехнический институт". — Киев, 2008. — 40 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 29-36.
|
| 64 |
|
Влияние размерных эффектов и электронного перегрева на предельные токи сильноточной эмиссии: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. А. Старобинец ; науч. рук. Е. А. Литвинов, офиц. оппоненты: Е. С. Коваленко, Э. Г. Косцов; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск), Институт радиотехники и электроники АН СССР (М.). — Томск, 1981. — 13 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12-13.
|
| 65 |
|
Влияние размерных эффектов и электронного перегрева на предельные токи сильноточной эмиссии: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. А. Старобинец ; науч. рук. Е. А. Литвинов; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск). — Томск, 1980. — 116 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 109-116.
|
| 66 |
|
Разработка методов расчета и анализ магнитных фокусирующих систем с насыщением: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. Л. Меркулов ; науч. рук. С. И. Молоковский, офиц. оппоненты: Б. П. Ильин, В. И. Балекин; Ленинградский электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина) (Л.), Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова. — Л., 1986. — 13 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13.
|
| 67 |
|
Разработка и исследование электродинамической системы релятивистского клистрона: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / С. М. Морозов ; науч. рук. А. Д. Григорьев, офиц. оппоненты: Ю. Л. Бобровский, И. Р. Кузнецов; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (СПб.), Институт энергетики и автоматики АН Республики Узбекистан, Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова (СПб.). — СПб., 1993. — 13 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12-13.
|
| 68 |
|
Нестационарная модель катодных и прикатодных процессов вакуумной дуги: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. Г. Парфенов ; офиц. оппоненты: Ю. И. Вершинин, А. К. Чирков, А. В. Лучинский; Уральский политехнический институт им. С. М. Кирова (Екатеринбург), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (СПб.). — Екатеринбург, 1992. — 39 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 36-39.
|
| 69 |
|
Разработка магнитных систем электровакуумных приборов на основе постоянных магнитов из редкоземельных материалов: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / К. Л. Сергеев ; науч. рук. П. И. Акимов, офиц. оппоненты : С. Я. Гродзенский, Д. А. Комаров; Научно-производственное предприятие "Торий", ФГУП "Спецмагнит", Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина. — М., 2010. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-22.
|
| 70 |
|
Вакуумная и твердотельная электроника СВЧ: учеб. пособие по спец. "Радиофизика и электроника" / С. М. Левитский, С. В. Кошевая. — Киев: Вища школа, 1986. — 271 с.: ил. — Библиогр.: с. 269. — Предм. указ.: с. 270-272. — 0.80 р.
В учебном пособии описываются процессы группирования в электронных пучках, волны пространственного заряда и их взаимодействия с электромагнитными волнами. Рассматривается работа электронных приборов с сосредоточенным взаимодействием (клистронов, триодов, гироприборов) и с распределенным взаимодействием (ЛБВ, ЛОВ, приборов типа М, электронно-волновых приборов). Исследуются полупроводниковые приборы: работающие на основе контактных явлений и ОДП (диоды, транзисторы, ЛПД, диоды Ганна), полупроводниковые приборы СВЧ на бегущих волнах, а также особенности их конструкций и применения. Особое внимание уделяется вопросам создания гибридно-интегральных схем СВЧ. Для студентов, обучающихся по специальности "Радиофизика и электроника".
|