| 151 |
|
Теория многоволновых дифракционных генераторов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. Н. Власов ; науч. рук. В. И. Канавец, офиц.оппоненты: А. А. Рухадзе, Ю. Д. Мозговой; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Институт радиофизики и электроники АН УССР. — М., 1986. — 12 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 11-12.
|
| 152 |
|
Химия: основные понятия и термины : [учеб. пособие для пед. вузов по спец. 032300 - "Химия"] / С. А. Паничев, А. Я. Юффа ; под ред. А. Ю. Закгейма. — М.: Химия, 2000. — 539, [5] с.: ил. — (Для высшей школы). — Библиогр.: с. 513-518. — Предм. указ.: с. 519-539. — ISBN 5-7245-1190-8: 210.00 р.
|
| 153 |
|
On structural defect generation induced by thermal fluctuations in materials with a perfect lattice under dynamic loading: научное издание / С. Г. Псахье [et al.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск) // Physics Letters A. — 2006. — vol. 349 . — C. 509-512. — Ксерокопия.
|
| 154 |
|
Исследование дефектов структуры монокристаллического карбида кремния прямыми физическими методами / А. О. Окунев, В. А. Ткаль, Л. Н. Данильчук ; рец. Ю. М. Таиров; Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого (Новгород). — Великий Новгород: НовГУ, 2006. — 252 с.: ил.; 21 см. — Библиогр.: с. 229-252. — ISBN 5-89896-321-9: 148 р.
В монографии рассматриваются особенности экспериментальных изображений дефектов структуры монокристаллического карбида кремния, полученных прямыми и неразрушающими физическими методами рентгеновской топографии и поляризационно-оптического анализа. а также приводятся результаты проведенных исследований этого материала. Проводится сравнение информативности различных методов при исследовании карбида кремния и обзор возможностей цифровой обработки экспериментальных изображений дефектов структуры. Предназначается для научных работников, инженеров, преподавателей и студентов. специализирующихся в области физического материаловедения, кристаллофизики и технологии материалов и приборов электронной техники.
|
| 155 |
|
Введение в кристаллофизику. Избранные вопросы: учеб. пособие : [для вузов по специальности 210104 (200100) "Микроэлектроника и твердотел. электроника"] / Р. П. Дикарева ; рец. С. И. Чикичев. — 2-е изд. — М.: Флинта, 2007. — 238 с.: ил.; 22 см. — Библиогр.: с. 207. — ISBN 978-5-9765-0205-5 (Флинта). — ISBN 978-5-02-034799-1 (Наука): 335 р.
В пособии изложены основы классической кристаллографии, приведены математические методы описания структуры кристаллов, основные сведения о физических и химических несовершенствах полупроводниковых материалов. Основное внимание уделено кристаллам кубической системы. Рассмотрен одни из методов ориентации кристаллов - метод световых фигур. Описаны свойства различных видов дислокаций и методы их исследования. В приложении дан задачник по основным разделам пособия с примерами решения. Для студентов и преподавателей технических вузов.
|
| 156 |
|
Запись решеток квадратичной поляризуемости в стекле при экспозиции полярно-асимметричными световыми полями: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / В. М. Чуриков ; науч. рук. Б. Я. Зельдович, офиц. оппоненты: В. И. Емельянов, Д. Ю. Степанов; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Челябинский государственный технический университет (Челябинск), Институт проблем механики им. А. Ю. Ишлинского РАН (М.). — М., 1994. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-18.
|
| 157 |
|
Фотовольтаическая модель фотоиндуцированной генерации второй гармоники в стеклах и волоконных световодах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.21 / Д. Ю. Степанов ; науч. рук.: Е. М. Дианов, П. Г. Казанский, офиц. оппоненты: Б. Я. Зельдович, П. В. Чернов; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (М.). — М., 1992. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-17.
|
| 158 |
|
Голограммы квадратичной поляризуемости в твердых прозрачных диэлектриках: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 / Ю. Е. Капицкий ; науч. рук.: Б. Я. Зельдович, Н. Д. Кундикова, офиц. оппоненты: Ю. Л. Колесников, Г. П. Пызин; Институт электрофизики УрО РАН (Екатеринбург), Южно-Уральский государственный университет (Екатеринбург), Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск). — Челябинск, 2001. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-18.
|
| 159 |
|
Теоретическая физика : учеб. пособие для физ. спец. ун-тов в 10-ти т. / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц.
Т. IX : Статистическая физика / Е. М. Лифшиц, Л. П. Питаевский. — 2-е изд., исправ. и доп. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2000. — 496 с.: ил. — Предм. указ.: с. 492-493. — ISBN 5-02-015278-1: 69.12 р.
|
| 160 |
|
Развитие каскадов атомных соударений в кристалле ванадия с внутренней структурой: научное издание / С. Г. Псахье [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), ОАО "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов" (М.) // д-р физ.-мат. наук. — М. — Посвящается памяти В. Л. Инденбома. Проведено молекулярно-динамическое моделирование формирования радиационно-поврежденных областей (радиационных каскадов) в кристаллитах ванадия с внутренней структурой (межзеренной границей). Межатомное взаимодействие описано в рамках метода погруженного атома. В кристаллитах ванадия как с идеальной структурой, так и с границами раздела, после релаксации каскадов атомных смещений формируется относительно малое число кластеров, состоящих из собственных точечных дефектов (вакансий и межузельных атомов). Характер развития каскадов атомных смещений во многом определяется наличием в материалах протяженных границ раздела. Межзеренные границы раздела служат барьером для распространения каскадов атомных смещений и аккумулируют значительную долю радиационных дефектов.
|