| 1 |
|
Физика твердого тела: сборник научных трудов / Институт физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР (Красноярск); отв. ред. А. Г. Лундин. — Красноярск, 1974. — [404] с. — 1.50 р.
Основу настоящего сборника составляют доклады молодых ученых и специалистов из различных городов СССР, которые были прочитаны в Институте физики им. Л. В. Киренского в декабре 1969 года. Доклады сгруппированы по разделам, отражающим основные направления дискуссий. Они представляют интерес для научных работников, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в соответствующих областях. Сборник издается по инициативе Совета молодых ученых Института физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР.
|
| 2 |
|
Физика конденсированного состояния: [учебное пособие] / Ю. А. Байков, В. М. Кузнецов ; рец.: Е. В. Юртов, А. Д. Гладун. — Москва: Бином. Лаборатория знаний, 2011. — 293 с.: ил.; 22 см. — (Учебник для высшей школы). — Библиогр.: с. 288-293. — ISBN 978-5-9963-0290-1: 330.00 р.
В учебном пособии помимо традиционно сложившихся разделов физики твердого тела отражены некоторые современные направления науки. такие как физика фотонных кристаллов, наномасштабная физика. фрактальные представления о структуре кристаллических тел. Теоретический материал каждой главы книги дополнен задачами с решениями. Для студентов и аспирантов высших технических учебных заведений, а также преподавателей физики и других естественно-научных дисциплин в технических вузах.
|
| 3 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 17 :. — , 1978. — 141 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.20 р.
|
| 4 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 18 :. — , 1979. — 141 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.20 р.
|
| 5 |
|
Естественно-неупорядоченный полупроводниковый кристалл: монография / Г. А. Бордовский, В. А. Извозчиков; Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена. — СПб.: Образование, 1997. — 422 с.: ил. — Библиогр.: с. 391-413. — ISBN 5-233-00324-4: 93.00 р.
|
| 6 |
|
Фотосегнетоэлектрики: монография / В. М. Фридкин. — М.: Наука: Физматлит, 1979. — 264 с.: ил. — Библиогр.: с. 254-262. — Алф. указ.: с. 263-264. — 1.70 р.
В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированный сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.
|
| 7 |
|
.
: Фейнмановские лекции по физике: научное издание / Р. Ф. Фейнман, Р. Лейтон, М. Сэндс. — Системные требования: Загл. с титул. экрана. - Основана на: данные с экрана.
|
| 8 |
|
Неравновесные процессы в полупроводниках и диэлектриках. Физические науки: межвуз. сб. / Кишиневский гос. ун-т им. В. И. Ленина; редкол. : В. П. Мушинский (отв. ред.) [и др.]. — Кишинев: Штиинца, 1983. — 114 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30 р.
|
| 9 |
|
IV Всесоюзная конференция "Тройные полупроводники и их применение": тез. докл. — Кишинев: Штиинца, 1983. — 311 с.: ил. — Библиогр. в конце докл. — 2.70 р.
|
| 10 |
|
Диэлектрики в наноэлектронике / В. А. Гриценко [и др.] ; отв. ред. А. Л. Асеев, рец.: В. Н. Овсюк, О. П. Пчеляков; Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2010. — 257 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-7692-1081-5: 5.00 р.
Монография посвящена физике и применению диэлектрических пленок в кремниевых приборах наноэлектроники. Рассмотрены строение пленок оксида и нитрида кремния, полупроводниковые нанокристаллы в диэлектрических пленках, электронная структура диэлектриков с высокойо диэлектрической проницаемостью, технология структур кремний-на-изоляторе, физика приборов флэш-памяти. Монография предназначена для научных сотрудников и и инженеров, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, бакалавров. магистрантов и аспирантов, обучающихся по микроэлектронике и физике твердого тела.
|
| 11 |
|
Неравновесные процессы в полупроводниках: тем. сб. по материалам XII Зимней школы ФТИ. — Л.: Физико-технический институт, 1986. — 202 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.26 р.
|
| 12 |
|
Экситоны и биэкситоны в полупроводниках: сб. статей / АН МССР, Институт прикладной физики; редкол. : В. А. Москаленко (отв. ред.) [и др.]. — Кишинев: Штиинца, 1982. — 314 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 3.10 р.
|
| 13 |
|
Электрический пробой ионных кристаллов: монография / В. Д. Куликов; Томский сельскохозяйственный институт. — Томск: Издательство Томского университета, 2014. — 146 с.: ил. — Библиогр.: с. 133-141. — ISBN 978-5-7511-2274-4.
В монографии рассмотрены основные закономерности процесса импульсного электрического пробоя в твердых телах. Представлен новый механизм генерации первичных электронов посредством каскадных оже-переходов в валентной зоне ионных кристаллов. В рамках данного механизма разработана физическая модель канала электрического пробоя, включая элементы кристаллографической и анодной направленности канала пробоя, высокой плотности предпробойного тока, механизма движения канала и его внутренней структуры. Для специалистов в области высоковольтной импульсной техники, электрической изоляции, физики диэлектриков и полупроводников, студентов старших курсов соответствующих специальностей.
|
| 14 |
|
Электроника твердого тела: учеб. пособие / Е. В. Нефёдцев; Институт сильноточной электроники СО РАН. — Томск: Издательство ИОА СО РАН, 2017. — 184 с.: ил. — Библиогр.: с. 159. — ISBN 978-5-94458-165-5: 299.72 р.
В первой главе пособия кратко изложены основы кристаллографии. Во второй главе даны физические основы электроники твердого тела. В последующих четырех главах изложены ключевые вопросы физики полупроводников: равновесная статистика электронов и дырок, перенос носителей заряда, контактные явления и явления в сильных электрических полях. Для аспирантов и студентов.
|
| 15 |
|
Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками: монография / Ф. Г. Басс, А. А. Булгаков, А. П. Тетервов. — М.: Наука, 1989. — 287 с.: ил. — Библиогр.: с. 281-287. — ISBN 5-02-014021-X: 4.30 р.
|
| 16 |
|
Физика полупроводников и диэлектриков: учеб. пособие для студ. вузов обуч. по спец. "Полупроводнки и диэлектрики" / П. Т. Орешкин. — М.: Высшая школа, 1977. — 448 с.: ил. — Библиогр.: с. 445-446. — 1.04 р.
|
| 17 |
|
Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников: монография / Б. А. Нестеренко, О. В. Снитко; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова Думка, 1983. — 264 с.: ил. — Библиогр.: с. 228-261. — 3.30 р.
|
| 18 |
|
Пластическая деформация и дислокация несоответствия в гетероэпитаксиальных системах: монография / Ю. А. Тхорик, Л. С. Хазан; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова думка, 1983. — 304 с.: ил. — Библиогр.: с. 270-292. — Предм. указ.: с. 296-302. — 3.60 р.
|
| 19 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 16 :. — Львов, 1978. — 110 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.10 р.
|
| 20 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : М. В. Пашковский (зам. отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 14 :. — , 1977. — 102 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.90 р.
|
| 21 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : А. И. Андриевский (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 9 :. — , 1974. — 122 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.96 р.
|
| 22 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : А. И. Андриевский (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 8 :. — , 1974. — 144 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.10 р.
|
| 23 |
|
Физика твердого тела. Физика полупроводников, физика сегнетоэлектриков и диэлектриков, физика низких температур: спецпрактикум / редактор Б. А. Струков, автор посвящения П. Г. Елисеев, автор посвящения А. С. Сонин. — М.: МГУ, 1983. — 296 с.: ил. — 1.20 р.
Книга содержит описание практических работ по физике полупроводников, сегнетоэлектриков и диэлектриков, низких температур. Описания задач включают основы теории исследуемых явлений, схемы экспериментальных установок, порядок выполнения эксперимента. Представлены работы, охватывающие равновесные и неравновесные свойства полупроводников, электрические и оптические свойства сегнетоэлектриков, а также оптические, упругие, пиро- и пьезоэлектрические свойства диэлектрических кристаллов, явление сверхпроводимости, ряд задач по физике жидкого гелия. задачи отражают современное состояние исследований в области физики твердого тела. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области физики твердого тела, а также преподавателей физических специальностей высших учебных заведений.
|
| 24 |
|
Полупроводники: сб. науч. тр. / Рос. АН, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников; отв. ред. И. Г. Неизвестный. — Новосибирск: ИФП РАН, 1995. — 326 с.: ил. — ISBN 5-7623-1179-1: 10000.00 р.
|
| 25 |
|
Двойникование в наноструктурных пленках и нанопроволоках / Т. А. Точицкий, В. М. Федосюк ; рец.: А. П. Сайко, С. С. Грабчиков; Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению. — Минск: БГУ, 2009. — 442 с.: ил.; 21 см. — Библиогр.: с. 408-442. — ISBN 978-985-476-698-0: 200.00 р.
В монографии рассмотрены методика получения, механизм роста, структура и магнитные свойства наноструктурных пленок и нанопроволок, полученных методом электролитического осаждения. Адресуется специалистам в области физики конденсированного состояния, электрохимии, магнетизма и магнитной электроники.
|
| 26 |
|
Физическая электроника : респ. межвед. науч.-техн. сб. / Львовский политехнический институт ; редкол. : И. Д. Набитович (отв. ред.) [и др.]. — Львов; : Вища школа , Б.г.
Вып. 22 :. — Львов, 1981. — 160 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.30 р.
|
| 27 |
|
Физика твердого тела: избр. тр. / А. А. Галкин ; отв. ред. В. Г. Барьяхтар; АН УССР, Донецкий физико-технический институт. — Киев: Наукова думка, 1986. — 244 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 3.10 р.
|
| 28 |
|
Высокоэнергетическая электроника твердого тела: монография / Д. И. Вайсбурд [и др.] ; под ред. Д. И. Вайсбурда. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1982. — 227 с.: ил. — Библиогр.: с. 219-225.
В монографии излагаются результаты первого систематического исследования свойств ионных кристаллических диэлектриков и полупроводников при импульсном облучении электронными пучками средней и высокой плотности. Авторы обнаружили и подробно рассматривают ряд новых явлений: высокоэнергетическую проводимость, фундаментальную плазменную люминесценцию, хрупкое раскалывание диэлектрических и полупроводниковых кристаллов.Книга представляет интерес для специалистов по физике диэлектриков и полупроводников, радиационной физике твердого тела, электронике, сильноточной ускорительной технике. Материал книги также полезен студентам старших курсов соответствующих специальностей.
|
| 29 |
|
Сегнетоэлектрики типа АV ВVI СVII: монография / Е. И. Герзанич, В. М. Фридкин. — М.: Наука, 1982. — 227 с.: ил. — Библиогр.: с. 214-227. — 2.30 р.
|
| 30 |
|
Магнитная нейтронография: монография / Ю. А. Изюмов, Р. П. Озеров. — М.: Наука, 1966. — 532 с.: ил. — (Физико-математическая библиотека инженера). — Библиогр.: с. 514-532. — 2.01 р.
|
| 31 |
|
Пленочные термоэлементы: физика и применение: монография / Б. М. Гольцман [и др.] ; отв. ред. Н. С. Лидоренко; Науч. совет АН СССР по компл. пробл. "Методы прямого преобразования тепловой энергии в электрическую", Всесоюзн. науч.-исслед. ин-т источников тока. — М.: Наука, 1985. — 232 с.: ил. — Библиогр.: с. 216-230. — 2.60 р.
Книга посвящена проблемам создания пленочных термоэлектрических преобразователей энергии и устройств метрологии. Большое внимание уделено физическим исследованиям пленок термоэлектрических полупроводниковых материалов, методам исследования и теории, на которых они основаны. Подробно рассмотрена технология изготовления пленки халькогенидов элементов IV и V групп таблицы Менделеева. Описаны принципы конструирования, основные применения пленочных термоэлектрических батарей, а также ряд приборов на их основе.Книга рассчитана на специалистов в области физики и техники полупроводников, в частности, в области термоэлектричества.
|
| 32 |
|
Взаимодействие жидких кристаллов с поверхностью: монография / М. Г. Томилин. — СПб.: Политехника, 2001. — 325 с.: ил. — Библиогр.: с. 314-320. — ISBN 5-7325-0531-8: 230.00 р.
|
| 33 |
|
Физика электронной проводимости в твердых телах: переводное издание / Ф. Блатт ; пер. с англ. Г. Л. Краско, Р. А. Суриса. — М.: Мир, 1971. — 470 с.: ил. — Парал. тит. лист англ. — 2.22 р.
|
| 34 |
|
Нанокристаллические магнитные пленки: монография / Г. И. Фролов, В. С. Жигалов ; отв. ред. В. Ф. Шабанов; Сиб. гос. аэрокосм. ун-т им. М. Ф. Решетнева, Ин-т физики им. Л. В. Киренского СО РАН. — Красноярск: ИФ, 2012. — 141, [1] с.: ил.; 21 см. — Библиогр.: с. 135-142. — ISBN 978-5-86433-532-1: 150.00 р.
Рассматривается одна из самых актуальных научных проблем, лежащих на стыке материаловедения, химии и физики твердого тела - нанокристаллическое состояние вещества. Особое место среди нанокристаллических материалов занимают магнетики, так как в них наиболее полно проявляются особенности перехода к на-нокристаллической структуре. Освещены вопросы корреляции структуры и физических свойств наночастиц 3d-металлов, технология получения и свойства нанокристаллических и наногранулированных магнитных пленок, а также потенциальные возможности их практического использования. Для специалистов в области физики твердого тела, материаловедения, для студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
|
| 35 |
|
Физика твердого тела [Текст] / Рос. акад. наук, Отделение физических наук РАН, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. — 1959-. — М.; СПб.: Наука, 1959-. — ISSN 0367-3294.
|
| 36 |
|
Структурные фазовые переходы в кристаллах при воздействии высокого давления: монография / под ред. К. С. Александрова. — Новосибирск: Наука, 1982. — 138, [6] с. — Библиогр.: с. 127-139. — 1.60 р.
|
| 37 |
|
Кристаллы: монография / М. П. Шаскольская. — 2-е изд., исправ. — М.: Наука, 1985. — 208 с.: ил.
|
| 38 |
|
Фоторезистивные свойства аморфных и поликристаллических пленок широкоозонных полупроводников: монография / В. Ю. Ибрагимов, В. М. Рубинов; АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева. — Ташкент: Фан, 1991. — 139 с.: ил. — Библиогр.: с. 136-137. — ISBN 5-648-00717-5: 1.80 р.
|
| 39 |
|
Физика металлов : атомное строение металлов и сплавов: учеб. для вузов по спец. "Физика металлов" / Я. С. Уманский, Ю. А. Скаков. — М.: Атомиздат, 1978. — 352 с.: ил. — Библиогр.: с. 342-343. — Предм. указ.: с. 349-350. — 1.20 р.
|
| 40 |
|
Введение в физику полупроводников: учеб. пособие для вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики" и "Технология спец. материалов электронной техники" / В. И. Фистуль. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1984. — 352 с.: ил. — Библиогр.: с. 346-348. — Алф. указ.: с. 343-345. — 1.10 р.
|
| 41 |
|
Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках: монография / Ф. Г. Басс, В. С. Бочков, Ю. Г. Гуревич. — М.: Наука, 1984. — 287 с.: ил. — Библиогр.: с. 281-287. — 3.00 р.
|
| 42 |
|
Физика полупроводников: учеб. пособие для студ. физ. спец. вузов / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. — М.: Наука, 1990. — 685 с.: ил. — Библиогр.: с. 677-681. — ISBN 5-02-014032-5: 2.00 р.
|
| 43 |
|
Физика полупроводников: учеб. пособие для студ. физ. спец. вузов / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. — М.: Наука, 1977. — 672 с.: ил. — Библиогр.: с. 666-669. — 1.70 р.
|
| 44 |
|
Действие излучений на полупроводники: монография / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов. — М.: Наука, 1988. — 191 с.: ил. — Библиогр.: с. 180-181. — Предм. указ.: с. 188. — ISBN 5-02-013834-7: 1.20 р.
|
| 45 |
|
Живой кристалл: научно-популярная литература / Я. Е. Гегузин. — М.: Наука, 1981. — 192 с.: ил. — 0.45 р.
|
| 46 |
|
Дислокации в кристаллах : библиографический указатель (1965-1970 гг.) / АН СССР, Институт физики твердого тела, Центр. биб-ка по естествен. наукам ; отв. ред. В. И. Никитенко. — М.; : Наука , Б.г.
Вып. 3 :. — , 1974. — 792 с.: ил. — 4.80 р.
|
| 47 |
|
Спецпрактикум по физике полупроводников / В. В. Остробородова, В. Д. Егоров. — М.; : Издательство Московского университета , Б.г.
Ч. 1 :. — , 1974. — 76 с.: ил. — Библиогр.: с. 76. — 0.16 р.
|
| 48 |
|
Квантовые процессы в полупроводниках: переводное издание / Б. Ридли ; пер. с англ. И. П. Звягина, А. Г. Миронова. — М.: Мир, 1986. — 304 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — 3.00 р.
|
| 49 |
|
Полупроводники: переводное издание / Р. Смит ; пер. с англ. под ред. Н. А. Пенина. — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1982. — 558 с.: ил. — Библиогр.: с. 200-207. — 2.70 р.
|
| 50 |
|
Фотоэлектрические процессы в полупроводниках: учеб. пособие для студ. физ. и электрофиз. фак. вузов / В. В. Сердюк, Г. Г. Чемересюк, М. Терек. — Киев; Одесса: Вища школа, 1982. — 151 с.: ил. — Библиогр.: с. 147. — 0.40 р.
|