Описан генератор высоковольтных импульсов с удвоением выходного напряжении, выполненный по схеме Аркадьева-Маркса на основе 10 последовательно соединенных каскадов. В качестве коммутаторов в схеме использованы IGBT-транзисторы. Особенностью схемного решения генератора является замена зарядных резисторов на зарядные диоды и подключение питающего напряжения через индуктивность. Это позволило получить на нагрузке удвоенную амплитуду импульсов, пропорциональную количеству соединенных каскадов, а также минимизировать потери мощности во время заряда накопительных конденсаторов. В проведенном эксперименте при питающем напряжении 500 В на нагрузке 400 Ом было получено импульсное напряжение 7.4 кВ. Потери мощности в зарядной цепи составили 5.7%.

В данной книге подробно описаны основные физические концепции, связанные с нанонаукой и нанотехнологиями, и возможности создания на их основе микроэлектронных и оптоэлектронных приборов нового поколения. В настоящее время издается много книг по новейшим разделам нанонауки, но почти отсутствуют учебники и пособия для студентов-старшекурсников и аспирантов, связанных с нанонаукой. Предлагаемая книга восполняет этот пробел, так как представляет собой ценное учебное и справочное пособие для студентов, специализирующихся в физике, материаловедении и некоторых других технических дисциплинах. Кроме того, книга может представить интерес для ученых и инженеров-практиков, желающих глубже понять принципы нанонауки и нанотехнологии.

Этот двухтомник одновременно выходит и в России, и в Германии. Предлагаемый вниманию читателей справочник охватывает около 54 тыс. типов биполярных, 8 тыс. полевых и более тысячи типов IGBT транзисторов. В нем приведены их основные электрические параметрам (Рс, Pd, Uce, Ic, Ft и др.). Транзисторы расположены в справочнике в алфавитно-цифровом порядке. В приложениях приведены условные рисунки корпусов с соответствующей цоколевкой транзисторов, список фирм-производителей транзисторов, SMD-коды для маркировки транзисторов в миниатюрных (SMD) корпусах, а также список аналогов (замен) транзисторов. Справочник предназначен для специалистов в области наладки и ремонта бытовой и профессиональной аппаратуры, широкого круга радиолюбителей и радиоинженеров.

Рассматриваются теоретические и практические проблемы повышения синфазной помехоустойчивости аналоговых микросхем с дифференциальным входом. Исследуются причины неполного ослабления синфазных сигналов в различных дифференциальных усилителях. Обсуждаются методы, направленные на повышения коэффициента ослабления синфазных сигналов (Кос.сф.) в базовых архитектурных решениях аналоговых микросхем, в т.ч. с учетом требований SiGe технологий. Приводятся результаты компьютерного моделирования различных модификаций ДУ с повышенным Кос.сф. Монография предназначена для студентов радиотехнических специальностей и инженеров, занимающихся проектированием аналоговых микросхем и IP-модулей нового поколения.

Во втором томе книги «Нестационарные и хаотические процессы» рассмотрены такие современные области исследования в радиофизике, электронике и нелинейной динамике как разработка новых принципов генерации хаотических сигналов СВЧ-диапазона и создание на их основе источников широкополосных шумоподобных сигналов для современных информационно-телекоммуникационных систем, различные методы управления хаотическими колебаниями в пучково-плазменных системах, синхронизация (в том числе и хаотическая) в приборах электроники сверхвысоких частот, нелинейные волновые процессы в системах с магнитостатическими волнами и при распространении волновых пучков. Для физиков различных специальностей, интересующихся процессами взаимодействия электронов с электромагнитными полями, для научных работников, аспирантов и инженеров, проводящих исследования в области вакуумной СВЧ электроники, радиофизики, радиотехники и физики плазмы. Она может быть полезна студентам старших курсов соответствующих специальностей.

В книге изложены теория работы, конструкции и основы расчета электровакуумных приборов, а также связь параметров и конструкций приборов с важнейшими схемами и условиями их применения. Изложение материала в книге предполагает наличие у читателей математической, физической и общетехнической подготовки в объеме соответствующих программ электровакуумных техникумов.Книга предназначена в качестве учебного пособия по курсу "Электровакуумные приборы и основы их проектирования" для учащихся техникумов электронных приборов. Она может быть полезной в качестве пособия для работников, соприкасающихся с вопросами устройства, работы, расчета и применения электронных приборов, а также для студентов соответствующих специальностей высших учебных заведений.

В книге приводится краткое изложение физических основ полупроводниковой электроники, необходимых для анализа рабочих процессов в оптоэлектронных устройствах и системах различного назначения. Рассмотрены физико-технологические, материаловедческие, оптико-физические, схемотехнические и системные аспекты многоуровневого проектирования широкого спектра оптоэлектронных устройств и интегральных оптоэлектронных систем обработки, передачи и отображения информации, а также рассмотрены традиционные и новые области применения оптоэлектронных устройств и приборов в системах связи, силовой электроники, высокоэнергетичной фотоэлектроники.

В справочнике описаны методы проектирования электронных устройств на современных и перспективных дискретных компонентах. Рассмотрены электронные схемы на однопереходных транзисторах, которые еще не нашли должного отражения в отечественной литературе. Рассчитан на инженерно=технических работников, занимающихся проектированием и разработкой электронных цепей на дискретных компонентах, а также может быть полезным студентам вузов соответствующих специальностей.

Современные требования к специалистам электронной промышленности многократно возрастают и требуют пересмотра учебных планов многих вузов. Авторы книги - авторитетные ученые, руководители НИИ, КБ, совмещающие научное руководство в области электроники с преподаванием основ этого предмета, предлагают читателю компактно изложенные лекции, подготовленные в стиле «приглашенного профессора». Сборник состоит из двух томов. В первом представлены электровакуумные и фотоэлектронные приборы, конденсаторы и резисторы, современные средства отображения информации, некоторые разделы квантовой и плазменной электроники. Второй том, посвященный твердотельной электронике, открывается Нобелевской лекцией академика Ж. И. Алферова. Книга адресована преподавателям вузов, специалистам в области электроники и студентам - будущим ученым, инженерам и руководителям отечественной электронной промышленности.

В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размеров 10-20 нм и сравнительный анализ 4-х типов схемотехник. Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям "Нанотехнология и микросистемная техника", "Электроника и наноэлектроника", "Вычислительные системы, комплексы и сети".

Обобщены экспериментальные и теоретические исследования воздействия малых доз ионизирующего излучения (рентгеновских лучей, y-квантов, электронов) на полупроводниковые монокристаллы, полупроводниковые структуры и приборы, металлы, сплавы, режущий, буровой и волочильный инструменты, а также исследования радиационно-стимулированной миграции, диффузии и выхода водорода из твердого тела. Заложена феноменологическая модель упорядочения структуры дефектных кристаллов и изменения физических и механических свойств материалов под действием ионизирующего излучения. Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся радиационной физикой твердого тела, модификацией свойств полупроводников и металлов, проблемой материалов для термоядерных и ядреных реакторов. вопросами водородной энергетики. Полезна аспирантам, магистрам и студентам соответствующих специальностей.

Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы. Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовление приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.

Приведены основные данные по оптическим приемникам, источникам накачки, материалам для модуляторов света и другим элементам лазерной техники. Справочник представляет интерес для инженеров и научных работников, занимающихся квантовой электроникой. а также работающих в смежных областях. Он окажет большую помощь разработчикам аппаратуры и приборов, применяемых в лазерной технике и студентам вузов.

Обобщены современные схемотехнические решения функциональных узлов импульсных транзисторных преобразователей постоянного напряжения, используемых в источниках вторичного электропитания (ИВЭП) радиоэлектронной аппаратуры. Рассматриваются структурные схемы ИВЭП на основе транзисторных преобразователей, в том числе и бестрансформаторные с питанием от сети, различные виды силовых каскадов, устройства электрической изоляции, схемы сравнения, схемы повышения помехоустойчивости и защиты. Описываются новейшие разработки советских и зарубежных специалистов. Для инженерно-технических работников и радиолюбителей.

В учебном пособии представлены основы теории и радиофизический практикум по технике и электронике СВЧ традиционных электровакуумных резонансных и нерезонансных приборов с длительным и кратковременным взаимодействием. В первой главе изложены основы теории электровакуумных приборов. В последующих главах приведена теория отдельных приборов и дано описание лабораторных работ. Рассмотрены такие приборы: клистрон, лампа бегущей волны, лампа обратной волны, генератор дифракционного излучения, магнетрон. Отдельно рассмотрена периодическая структура типа гребенки в волноводе, представлена ее теория и дано описание лабораторной работы по измерению дисперсии. Учебное пособие предназначено для студентов физических и радиофизических специальностей высших учебных заведений, аспирантов и преподавателей.

Курс "Приборы СВЧ", представляющий собой второй том книги "Теория, основы расчета и проектирования электронных приборов", является учебником по соответствующему курсу для специальности 0611 - Электронные приборы.Последовательно рассматриваются лампы с электростатическим управлением током, пролетные и отражательные клистроны, лампы бегущей и обратной волны и, наконец, приборы со скрещенными полями: магнетроны, платинотроны и лампы бегущей и обратной волны типа М. Этот материал разбит при рассмотрении приборов каждого класса на три последовательных раздела: принципы действия, теория и расчет физических процессов и в заключение особенности конструкций и методы проектирования.Книга включает теоретические материалы, содержащие оригинальные исследования автора, а также изложение работ П. Л. Капицы, Л. А. Вайнштейна и Дж. Е. Роу.Курс предназначен для студентов вузов. Он может быть также полезен для аспирантов и разработчиков приборов.

В пособии рассмотрены основные принципы использования инструментальных методов для решения задач в области радиационной безопасности и радиоэкологии, современная система дозиметрических величин; описаны методы измерения радиационно-опасных факторов и современные дозиметрические и радиометрические приборы; представлены 7 лабораторных работ по задачам радиационного контроля окружающей среды и приведены примеры представления результатов радиационных измерений.Предназначено для магистрантов и студентов, обучающихся по специальностям 140307 "Радиационная безопасность человека и окружающей среды", 140302 "Физика атомного ядра и частиц", 140306 "Электроника и автоматика физических установок", 140404 "Атомные электрические станции и установки".

Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, импульсный режим работы, особенности транзисторов в интегральном исполнении. Кратко рассмотрены физические процессы, вольт-амперные характеристики и эквивалентные схемы МДП-транзисторов. Большое внимание уделено математическим моделям транзисторов.Книга рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, а также может быть полезной студентам вузов.

В книге рассматриваются методы и алгоритмы анализа логических корреляций в цифровых КМОП-схемах. Показаны возможности использования логических корреляций для повышения качества результатов проектирования в анализе помехоустойчивости и быстродействия схем. Книга основана на результатах, полученных в Учреждении Российской академии наук Институте проблем проектирования в микроэлектронике РАН(ИППМРАН). Материал, изложенный в книге, является основой лекционного курса для магистров факультета ЭКТ Московского института электронной техники, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника», а также предназначен для научных работников и инженеров, специализирующихся в области методов математического моделирования САПР СБИС.

Книга является коренной переработкой учебника автора "Ионные приборы", вышедшей из печати в 1955 г. По сравнению с первым изданием, в книге рассмотрены не только приборы дугового несамостоятельного и самостоятельного разрядов, но и все разновидности приборов тлеющего разряда. Рассмотрены общие закономерности, на которых базируются физические свойства и характеристики рассмотренных классов приборов.Книга рассчитана на использование ее в качестве учебного пособия на газоразрядных специализациях специальности "Промышленная электроника", а также в качестве пособия на других электронных специальностях вузов. Книга может быть использована также в качестве руководства у той категории инженерно-технических работников, которые в своей практической деятельности связаны с газоразрядной техникой.