| 491 |
|
Каналирование электронных пучков: монография / С. А. Воробьев. — М.: Энергоатомиздат, 1984. — 94 с.: ил. — Библиогр.: с. 91-93. — 0.80 р.
|
| 492 |
|
Физико-химия поверхности полупроводников: монография / Ф. Ф. Волькенштейн. — М.: Наука, 1973. — 399 с.: ил. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). — Библиогр.: с. 392-399. — 1.45 р.
|
| 493 |
|
Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел: монография / Ю. Н. Веревкин ; отв. ред. Ж. И. Алфёров; АН СССР, Отделение общей физики и астрономии. — Л.: Наука. Ленинградское отделение, 1983. — 122 с.: ил. — Библиогр.: с. 117-121. — 1.30 р.
|
| 494 |
|
Сегнетомагнетики: монография / Ю. Н. Веневцев, В. В. Гагулин, В. Н. Любимов ; отв. ред. Г. С. Жданов; АН СССР, Науч. совет по физ.-хим. основам полупроводникового материаловедения, Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова. — М.: Наука, 1982. — 224 с.: ил. — Библиогр.: с. 186-222. — 1.60 р.
|
| 495 |
|
Рентгеновские спектры поглощения твердых тел: монография / Р. В. Ведринский, И. И. Гегузин. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 184 с.: ил. — Библиогр.: с. 177-182. — ISBN 5-283-03923-4: 2.80 р.
|
| 496 |
|
Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников: монография / В. Н. Добровольский, В. Г. Литовченко; АН УССР, Институт полупроводников. — Киев: Наукова думка, 1985. — 191 с.: ил. — Библиогр.: с. 175-191. — 2.40 р.
|
| 497 |
|
Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках: монография / Т. Д. Джафаров. — М.: Энергоатомиздат, 1984. — 134 с.: ил. — Библиогр.: с. 128-132. — 1.20 р.
|
| 498 |
|
Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках: монография / Т. Д. Джафаров. — М.: Энергоатомиздат, 1991. — 287 с.: ил. — Библиогр.: с. 279-286. — ISBN 5-283-03998-6: 3.30 р.
|
| 499 |
|
Сегнетоэлектрики типа АV ВVI СVII: монография / Е. И. Герзанич, В. М. Фридкин. — М.: Наука, 1982. — 227 с.: ил. — Библиогр.: с. 214-227. — 2.30 р.
|
| 500 |
|
Физика электропластичности щелочно-галоидных кристаллов: монография / Л. Б. Зуев ; отв. ред. А. А. Урусовская; АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт физики прочности и материаловедения. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1990. — 120 с.: ил. — Библиогр.: с. 107-119. — ISBN 5-02-029309-1: 1.80 р.
В монографии изложены физические представления о природе влияния электрического поля на пластическую деформацию щелочно-галоидных кристаллов. Проанализированы условия проявления различных составляющих электропластического эффекта и показано, что в их основе лежат поляризационные явления, характерные для этого класса кристаллов: высоковольтная, ориентационная поляризация, движение заряженных дислокаций в электрическом поле. Особое внимание уделено воздействию электрического поля на кинетику элементарных актов пластической деформации.Книга заинтересует специалистов в области физики твердого тела и физики пластичности, а также акусто- и оптоэлектроники.
|