Книга посвящена анализу, систематизации и обобщению результатов теоретических и экспериментальных работ российских и зарубежных исследователей, направленных на изучение процессов взаимодействия миллисекундных импульсов лазерного излучения ближнего инфракрасного диапазона спектра с основными классами материалов. Изложена физическая картина явлений взаимодействия лазерных импульсов с конденсированными средами. Приведены расчетно-теоретические модели, описывающие процессы взаимодействия лазерных импульсов с основными классами материалов, дан анализ их применимости. Рассмотрены условия перехода от тепловых режимов к плазменным. Поскольку миллисекундный импульс лазерного излучения часто состоит из серии микросекундных пичков, во время действия которых интенсивность излучения значительно превышает среднюю и может реализоваться плазменный режим воздействия, в данной книге среди других рассматриваются также вопросы воздействия микросекундных импульсов в плазменных режимах. Для специалистов в области квантовой оптики и лазерной физики, студентов, аспирантов и преподавателей физических факультетов государственных университетов и технических вузов.

В монографии последовательно и подробно рассмотрены основные принципы и многочисленные приложения кинетической теории лазеров. Формулируется феноменологическая теория квантовых диссипативных систем. Дается вывод кинетических уравнений для лазера и условий их применимости. Проводится общее рассмотрение стационарной генерации при квазиравновесном состоянии активной среды. Исследуются основные случаи нарушения квазиравновесия. На основе метода стационарных нормальных колебаний рассматривается ширина линии моды. Результаты общей теории прилагаются к системе люминесцирующих центров. Исследуется проблема устойчивости стационарного режима. Строится теория гигантских импульсов при активной модуляции добротности. Рассматривается генерация лазерного излучения на комбинационном рассеянии (вынужденное комбинационное рассеяние). Проводится исследование генерации на всех основных фотопереходах в полупроводниках. Исследуется роль экситонов в полупроводниковом лазере и генерация на различных непрямых экситонных переходах. Изучается влияние квантующего магнитного поля на генерацию в полупроводниках. Таблиц - 1, рисунков - 50, библиография - 171 название.