Этот двухтомник одновременно выходит и в России, и в Германии. Предлагаемый вниманию читателей справочник охватывает около 54 тыс. типов биполярных, 8 тыс. полевых и более тысячи типов IGBT транзисторов. В нем приведены их основные электрические параметрам (Рс, Pd, Uce, Ic, Ft и др.). Транзисторы расположены в справочнике в алфавитно-цифровом порядке. В приложениях приведены условные рисунки корпусов с соответствующей цоколевкой транзисторов, список фирм-производителей транзисторов, SMD-коды для маркировки транзисторов в миниатюрных (SMD) корпусах, а также список аналогов (замен) транзисторов. Справочник предназначен для специалистов в области наладки и ремонта бытовой и профессиональной аппаратуры, широкого круга радиолюбителей и радиоинженеров.

Этот двухтомник одновременно выходит и в России, и в Германии. Предлагаемый вниманию читателей справочник охватывает около 54 тыс. типов биполярных, 8 тыс. полевых и более тысячи типов IGBT транзисторов. В нем приведены их основные электрические параметрам (Рс, Pd, Uce, Ic, Ft и др.). Транзисторы расположены в справочнике в алфавитно-цифровом порядке. В приложениях приведены условные рисунки корпусов с соответствующей цоколевкой транзисторов, список фирм-производителей транзисторов, SMD-коды для маркировки транзисторов в миниатюрных (SMD) корпусах, а также список аналогов (замен) транзисторов. Справочник предназначен для специалистов в области наладки и ремонта бытовой и профессиональной аппаратуры, широкого круга радиолюбителей и радиоинженеров.

Книга представляет собой справочник-определитель электронных компонентов по их внешнему виду. Пользуясь данным справочником, можно расшифровать кодовую или цветовую маркировку большинства пассивных (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) и активных (дискретные компоненты и микросхемы) электронных компонентов отечественного и импортного производства. Справочные материалы приведены в графической и табличной форме. Поиск в определителе осуществляется по типу корпуса компонента, а далее по типу маркировки: цветовой или кодовой. Справочник содержит более 15000 кодовых маркировок активных компонентов: диодов, динисторов, стабилитронов, биполярных и полевых транзисторов, ключей, усилителей, компараторов, цифровых потенциометров, цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей, вентилей и т.п. в корпусах для поверхностного монтажа, включая такие корпуса, как SOD, SOT, MSOP, TQFN, UCSP. На все компоненты приводится справочная информация о функциональном назначении приборов, фирме-производителе, основных характеристиках и особенностях, а также цоколевке выводов. В отдельных главах приведены подробные сведения по цветовой и кодовой маркировке отечественных компонентов в корпусах типа КТ-26 и КТ-27. В главах, посвященным пассивным компонентам, рассмотрены принципы цветовой и кодовой маркировки резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности и других элементов по номиналу, допускам и другим параметрам, а также нестандартная маркировка компонентов некоторых ведущих фирм-производителей. Книга предназначена для широкого круга радиолюбителей и радиоинженеров.

В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов - полевых и биполярных транзисторов малой мощности. даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей, представлен перечень транзисторов, вошедших в 1-4 тт. издании. Для инженерно=технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.

Книга - перевод 12-го издания широко известной книги (в 1982 г. издательство "Мир" выпустило перевод 5-го издания этой книги). Это фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания их этих элементов различных функциональных узлов аналоговой техники (усилители, модуляторы, фильтры, радиоприемники) и цифровой (спусковые схемы, счетчики, регистры, шифраторы и дешифраторы, устройства памяти и т. д.) Книга разбита на два тома: первый посвящен основам схемотехники, второй - применениям функциональных узлов при создании более сложных устройств. При изложении материла широко используются эквивалентные схемы как полупроводниковых элементов, так и функциональных узлов, соответствующие работе в области постоянного тока и низких/высоких частот. Особое внимание уделено также переходным процессам цифровых схем. Описание каждого элемента или схемы сопровождается необходимым количеством достаточно элементарных формул, служащих для их инженерного расчета. Энциклопедическая полнота, обилие самых разных схем и доступное математическое обоснование делают книгу полезной широкому кругу читателей: радиолюбителям, техникам ремонтных предприятий, инженерам радиотехники и электроники и научным работникам.

Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники - биполярных и полевых транзисторов - в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники - гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки новых полупроводниковых микро-и наногетероструктур и приборов на их основе, а также для студентов и аспирантов.

Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, импульсный режим работы, особенности транзисторов в интегральном исполнении. Кратко рассмотрены физические процессы, вольт-амперные характеристики и эквивалентные схемы МДП-транзисторов. Большое внимание уделено математическим моделям транзисторов.Книга рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, а также может быть полезной студентам вузов.

Во втором томе четырехтомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов - биполярных транзисторов средней и большой мощности НЧ. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей, представлен перечень транзисторов, вошедших в 1-4 тт. издании. Для инженерно=технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.

В книге изложены основы построения современных полупроводниковых аналоговых и цифровых устройств. Приведены сведения о физических явлениях в полупроводниковых элементах, рассмотрены различные диоды, биполярные и полевые транзисторы. Описаны особенности интегральных схем. Основное внимание уделяется рассмотрению разнообразных транзисторных и интегральных устройств непрерывного и импульсного действия. Для студентов вузов, будет полезна специалистам смежных с электроникой областей, которые занимаются вопросами, требующими от них дополнительных знаний по электронике.

В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах. Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам.

Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др.). Выведены основные теоретические соотношения, определяющие характеристики этих приборов. Большое внимание уделено описанию особенностей современных быстродействующих приборов с субмикронными и нанометровыми размерами, в том числе приборов, в работе которых используются гетеропереходы, квантовые ямы и квантовые точки. Помимо этого, в книге рассмотрены основы планарной технологии, описаны возникшие в последнее время технологические проблемы и указаны перспективные пути их решения. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области физики полупроводников.

Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.

Обобщены современные схемотехнические решения функциональных узлов импульсных транзисторных преобразователей постоянного напряжения, используемых в источниках вторичного электропитания (ИВЭП) радиоэлектронной аппаратуры. Рассматриваются структурные схемы ИВЭП на основе транзисторных преобразователей, в том числе и бестрансформаторные с питанием от сети, различные виды силовых каскадов, устройства электрической изоляции, схемы сравнения, схемы повышения помехоустойчивости и защиты. Описываются новейшие разработки советских и зарубежных специалистов. Для инженерно-технических работников и радиолюбителей.

В справочнике в удобной для пользователей табличной форме даны характеристики и эксплуатационные параметры наиболее распространенных и широко применяемых в бытовой и промышленной радиоэлектронной аппаратуре отечественных аналоговых и цифровых микросхем, транзисторов, диодов и их зарубежных аналогов. По всем рассмотренным приборам приведены сведения об их габаритных размерах, типе корпуса, цоколевке, буквенных и цветовых обозначениях. Указатель справочника позволяет быстро найти сведения о нужном приборе. Для специалистов, занимающихся разработкой, конструированием, обслуживанием и ремонтом радиоаппаратуры, а также для радиолюбителей любой квалификации.

Приводятся сведения о классификации, условных обозначениях, основных параметра и габаритных размерах элементов электрических схем бытовой радиоаппаратуры отечественного производства (выпрямительных и импульсных диодов, варикапов, стабилитронов, биполярных и полевых транзисторов), а также их зарубежных аналогах. Даются рекомендации по замене диодов и транзисторов другими приборами отечественного производства, имеющими подобные характеристики. Предназначается широкому кругу специалистов, занимающихся конструированием, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры, а также радиолюбителям.

В справочнике описаны методы проектирования электронных устройств на современных и перспективных дискретных компонентах. Рассмотрены электронные схемы на однопереходных транзисторах, которые еще не нашли должного отражения в отечественной литературе. Рассчитан на инженерно=технических работников, занимающихся проектированием и разработкой электронных цепей на дискретных компонентах, а также может быть полезным студентам вузов соответствующих специальностей.

В обзоре М. П. Кузнецовой рассмотрена модель "частично-плавного канала" полевого транзистора с затвором Шоттки и с p-n переходом в качестве затвора. В рамках этой модели проведен расчет крутизны, емкости затвора и граничной частоты полевого транзистора, созданного на основе материалов InP и InGaAs. Полученные результаты сравниваются с приведенными в литературе значениями этих параметров для полевых транзистров на основе GaAs. Рассмотрено влияние поверхностного заряда на границе канал-подложка на характеристики полевого транзистора. Приведены результаты численного расчета характеристик полевых транзистров.В обзоре В. Д. Шадрина рассмотрены физические основы мехинзма преобразования излучения диодом с барьером Шоттки, а также вытекающие из них пороговые характеристики отдельного фотоприемника. Анализируются особенности применения фотодиодов с барьером Шоттки в многоэлементных матрицах с накоплением, в частности, влияние геометрического фактора шума на общий шум матрицы. С физической точки зрения обсуждаются основные фотоэлектрические и пороговые характеристики как фотодиодов, так и многоэлементных матриц, среди них - эквивалентная шуму разность температур. Приводятся типичные параметры ИК приемных устройств на матрицах Шоттки - диодов.

В обзоре рассмотрена зависимость минимальной обнаруживаемой мощности фотоприемного устройства от различных характеристик системы. Отмечены основные характеристики, особенно сильно влияющие на чувствительность системы с лавинным фотодиодом (ЛФД) и системы с pin-фотодиодом и полевым транзистором (pin FET). Проведено сравнение минимальной обнаруживаемой мощности этих двух систем при различных скоростях передачи информации. Показано, что системы pin FET не будут уступать по чувствительности на высоких скоростях передачи информации системам ЛФД на основе InP/InGaAs (с разделенными областями лавинного умножения и фотогенерации) только при очень низких входных емкостях (~0,1 пФ). Рассмотрены основные виды современных ЛФД на основе различных материалов, в том числе ЛФД на сверхрешетках. Рассмотрены основные виды полевых транзисторов, в том числе полевые транзисторы, функционирование которых основано на эффекте двумерного электронного газа. Из приведенных данных следует, что наиболее быстродействующими и низкошумящими будут ЛФД на сверхрешетках и полевые транзисторы с двумерным электронным газом.

Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 «Электроника и наноэлектроника». Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит — на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.