В книге рассматриваются методы и алгоритмы анализа логических корреляций в цифровых КМОП-схемах. Показаны возможности использования логических корреляций для повышения качества результатов проектирования в анализе помехоустойчивости и быстродействия схем. Книга основана на результатах, полученных в Учреждении Российской академии наук Институте проблем проектирования в микроэлектронике РАН(ИППМРАН). Материал, изложенный в книге, является основой лекционного курса для магистров факультета ЭКТ Московского института электронной техники, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника», а также предназначен для научных работников и инженеров, специализирующихся в области методов математического моделирования САПР СБИС.

Представлены вольтамперная характеристика и интенсивность изнашивания зоны контакта металлических композитов в условиях скользящего токосъема без смазки. Показано, что зона трения композитов, содержащих менее 10 % Си и более 50 % Си, имеет низкую электропроводность и катастрофический износ при плотности тока менее 125 А/см2. . Отмечено, что композиты, содержащие около 20 % Си, имеют интенсивность изнашивания, близкую к нулю при скольжении с плотностью тока до -70 А/см2.. Катастрофический износ реализуется при плотности тока около 125-200 А/см2 в зависимости от структуры и фазового состава.