С использованием GW-приближения, моделирующего собственную энергию квазичастиц произведением функции Грина и динамически экранированного кулоновского потенциала, рассчитана зависимость собственной ширины линии Г электронных и дырочных состояний, обусловленной неупругим рассеянием, от волнового вектора K как в занятом поверхностном состоянии, так и в первом состоянии потенциала изображения на поверхностях Cu(111)и Ag(111). Проанализированы различные вклады в затухание электронного и дырочного возбуждений. Показано, что для обеих поверхностей основным каналом для затухания дырок в занятых поверхностных состояниях является внутризонное рассеяние, а для электронов в состояниях потенциала изображения определяющими являются межзонные переходы. При росте К резкое уменьшение ширины линии дырочного состояния обусловлено уменьшением числа конечных состояний, тогда как рост Г состояния потенциала изображения в основном определяется увеличением его перекрывания с объемными состояниями.