Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 621 - 625 из 4700 для dc.subject any/relevant "квантовая элект ... ( 0.260 сек.)

621
Воропаев, Николай Дмитриевич.
Немецко-русский словарь по квантовой электронике, голографии и оптоэлектронике: около 22 000 терминов / Н. Д. Воропаев ; спец. науч. ред. П. К. Горохов, А. М. Леонтович. — М.: Русский язык, 1983. — 447 с. — Библиогр.: с. 8. — Указ. рус. терминов: с. 391-447. — 4.40 р.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
622
Берченко, Е. А.
Взаимодействие миллисекундных лазерных импульсов ближнего инфракрасного диапазона спектра с конденсированными средами: монография / Е. А. Берченко, Н. С. Захаров, А. П. Соболев ; Под ред. Н. С. Захарова; 12 ЦНИИ Минобороны России. — Сергиев Посад: 12 ЦНИИ МО РФ, 2015. — 276, [4] с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — Б.ц.
Книга посвящена анализу, систематизации и обобщению результатов теоретических и экспериментальных работ российских и зарубежных исследователей, направленных на изучение процессов взаимодействия миллисекундных импульсов лазерного излучения ближнего инфракрасного диапазона спектра с основными классами материалов. Изложена физическая картина явлений взаимодействия лазерных импульсов с конденсированными средами. Приведены расчетно-теоретические модели, описывающие процессы взаимодействия лазерных импульсов с основными классами материалов, дан анализ их применимости. Рассмотрены условия перехода от тепловых режимов к плазменным. Поскольку миллисекундный импульс лазерного излучения часто состоит из серии микросекундных пичков, во время действия которых интенсивность излучения значительно превышает среднюю и может реализоваться плазменный режим воздействия, в данной книге среди других рассматриваются также вопросы воздействия микросекундных импульсов в плазменных режимах. Для специалистов в области квантовой оптики и лазерной физики, студентов, аспирантов и преподавателей физических факультетов государственных университетов и технических вузов.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
623
Научные результаты института за 2003 год : Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук: отчет / Институт физики полупроводников СО РАН (Новосибирск). — Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2004. — 64 с.: ил.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
624
Гуртов, Валерий Алексеевич.
Твердотельная электроника: учеб. пособие / В. А. Гуртов. — 3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с.: ил. — (Мир электроники). — Предм. указ.: с. 509-510. — ISBN 978-5-94836-187-1: 478.00 р.
Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
625
Гольдбергер, М.
Теория столкновений: Пер. с англ. / М. Гольдбергер, К. Ватсон. — М.: Мир, 1967. — 824 с.: ил. — Предм. указ.: с. 814-817. — 4.20 р.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи