Сводный электронный каталог

научно-технических библиотек Томского научного центра СО РАН

Результат поиска

Результаты: 346 - 350 из 479 для dc.subject any/relevant "ПОВЕРХНОСТИ ПОЛ ... ( 0.065 сек.)

346
Вещунов, Михаил Сергеевич.
Связь между структурными переходами на поверхности и в объеме кристаллов: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. С. Вещунов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Институт проблем безопасного развития атомной энергетики РАН. — Томск, 1992. — 292 л. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 275-292.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
347
Микролегирование приповерхностных слоев арсенида галлия ионами водорода: научное издание / В. В. Анисимов [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск) // М. ; СПб.
Предлагается метод микролегирования приповерхностных слоев полупроводников ионами водорода с использованием плазменно-пучкового разряда. Проведенный эксперимент на арсениде галлия показал, что данный метод является эффективным по сравнению с известными способами модифицирования приповерхностных слоев.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
348
Зебрев, Геннадий Иванович.
Физические основы кремниевой наноэлектроники: учебное пособие / Г. И. Зебрев. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. — 240 с.: ил. — (Нанотехнологии). — Библиогр.: с. 224-232. — ISBN 978-5-9963-0181-2: 200.00 р.
Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Для преподавателей и студентов. специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов "Физические основы наноэлектроники", "Наноэлектронные технологии", "Физика микроэлектронных структур".
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
349
Елисеев, Петр Георгиевич.
Введение в физику инжекционных лазеров: монография / П. Г. Елисеев. — М.: Наука, 1983. — 294 с.: ил. — Библиогр.: с. 281-294. — 3.30 р.
Полупроводниковые инжекционные лазеры получают все более широкое практическое применение. Массовые масштабы имеет их использование в волоконо-оптических системах передачи информации. За последнее время к исследованиям и разработкам в области лазеров этого типа привлечено много новых специалистов. Резко возросло количество научных публикаций в периодической печати. В данной книге представлены и кратко обсуждены главные проблемы физики лазерных полупроводниковых устройств инжекционного типа. Экспериментальные данные включены, главным образом, в виде примеров к отдельным параграфам и таблиц. Учтены новейшие научные результаты, относящиеся к гетеролазерм на основе многокомпонентных (четверных) систем твердых растворов. Рассмотрены более подробно механизм излучательных переходов, механизм накачки, закономерности формирования спектра лазерного излучения, некоторые нелинейные оптические явления, характерные для инжекционных лазеров.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи
350
Квантовая электроника : труды республиканского семинара / АН УССР, Институт полупроводников. — Киев; : Наукова думка , Б.г.
Вып. 3 :. — , 1969. — 315 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.98 р.
Детальное описание | Добавить в корзину | Похожие записи