| 346 |
|
Связь между структурными переходами на поверхности и в объеме кристаллов: дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / М. С. Вещунов; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Институт проблем безопасного развития атомной энергетики РАН. — Томск, 1992. — 292 л. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 275-292.
|
| 347 |
|
Микролегирование приповерхностных слоев арсенида галлия ионами водорода: научное издание / В. В. Анисимов [и др.]; Институт физики прочности и материаловедения СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск) // М. ; СПб.
Предлагается метод микролегирования приповерхностных слоев полупроводников ионами водорода с использованием плазменно-пучкового разряда. Проведенный эксперимент на арсениде галлия показал, что данный метод является эффективным по сравнению с известными способами модифицирования приповерхностных слоев.
|
| 348 |
|
Физические основы кремниевой наноэлектроники: учебное пособие / Г. И. Зебрев. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. — 240 с.: ил. — (Нанотехнологии). — Библиогр.: с. 224-232. — ISBN 978-5-9963-0181-2: 200.00 р.
Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Для преподавателей и студентов. специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов "Физические основы наноэлектроники", "Наноэлектронные технологии", "Физика микроэлектронных структур".
|
| 349 |
|
Введение в физику инжекционных лазеров: монография / П. Г. Елисеев. — М.: Наука, 1983. — 294 с.: ил. — Библиогр.: с. 281-294. — 3.30 р.
Полупроводниковые инжекционные лазеры получают все более широкое практическое применение. Массовые масштабы имеет их использование в волоконо-оптических системах передачи информации. За последнее время к исследованиям и разработкам в области лазеров этого типа привлечено много новых специалистов. Резко возросло количество научных публикаций в периодической печати. В данной книге представлены и кратко обсуждены главные проблемы физики лазерных полупроводниковых устройств инжекционного типа. Экспериментальные данные включены, главным образом, в виде примеров к отдельным параграфам и таблиц. Учтены новейшие научные результаты, относящиеся к гетеролазерм на основе многокомпонентных (четверных) систем твердых растворов. Рассмотрены более подробно механизм излучательных переходов, механизм накачки, закономерности формирования спектра лазерного излучения, некоторые нелинейные оптические явления, характерные для инжекционных лазеров.
|
| 350 |
|
Квантовая электроника : труды республиканского семинара / АН УССР, Институт полупроводников. — Киев; : Наукова думка , Б.г.
Вып. 3 :. — , 1969. — 315 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.98 р.
|