В книге рассмотрены неравновесные электронные процессы в сегнетоэлектрическом кристалле, лежащие в основе фотосегнетоэлектрических явлений. К числу рассмотренных явлений относятся фотостимулированный сдвиг точки Кюри, влияние неравновесных электронов на спонтанную поляризацию, доменную структуру и другие макроскопические свойства сегнетоэлектриков. Рассмотрены особенности генерации, рекомбинации и рассеяния носителей в сегнетоэлектрике, обусловливающие существование аномального фотовольтаического эффекта и основанного на нем фоторефрактивного эффекта. Кратко изложено применение фоторефрактивного эффекта в сегнетоэлектриках в объемной фазовой голографии. Упоминаются и другие возможные применения фотосегнетоэлектриков.

В монографии с единых позиций рассмотрены основные электронные и фотоэлектрические явления в полупроводниках с областями пространственного заряда. Впервые изложена теория импеданса и высокочастотной фотоЭДС в МДП-структурах при произвольном неравновесном состоянии полупроводника, фотопроводимости в основной и примесной областях спектра, продольных эффектов в полупроводниках, а также импеданса и люкс-амперных характеристик гетеропереходов при наличии граничных электронных состояний. Книга рассчитана на научных работников, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники.

Книга содержит описание практических работ по физике полупроводников, сегнетоэлектриков и диэлектриков, низких температур. Описания задач включают основы теории исследуемых явлений, схемы экспериментальных установок, порядок выполнения эксперимента. Представлены работы, охватывающие равновесные и неравновесные свойства полупроводников, электрические и оптические свойства сегнетоэлектриков, а также оптические, упругие, пиро- и пьезоэлектрические свойства диэлектрических кристаллов, явление сверхпроводимости, ряд задач по физике жидкого гелия. задачи отражают современное состояние исследований в области физики твердого тела. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области физики твердого тела, а также преподавателей физических специальностей высших учебных заведений.

Основу настоящего сборника составляют доклады молодых ученых и специалистов из различных городов СССР, которые были прочитаны в Институте физики им. Л. В. Киренского в декабре 1969 года. Доклады сгруппированы по разделам, отражающим основные направления дискуссий. Они представляют интерес для научных работников, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в соответствующих областях. Сборник издается по инициативе Совета молодых ученых Института физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР.

В сборник включены работы по электронным свойствам металлов, физике полупроводников и диэлектриков, металлофизике, содержащие новые результаты теоретических и экспериментальных исследований. Рассмотрены вопросы взаимодействия электронных и ионных пучков с кристаллами, методики получения и исследования кристаллов с применением рентгеновского анализа, электронной микроскопии, методов ЭПР, ЯМР и др. Сборник рассчитан на научных работников и инженеров, занимающихся исследованиями в области физики твердого тела.

Монография посвящена физике и применению диэлектрических пленок в кремниевых приборах наноэлектроники. Рассмотрены строение пленок оксида и нитрида кремния, полупроводниковые нанокристаллы в диэлектрических пленках, электронная структура диэлектриков с высокойо диэлектрической проницаемостью, технология структур кремний-на-изоляторе, физика приборов флэш-памяти. Монография предназначена для научных сотрудников и и инженеров, специализирующихся в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, бакалавров. магистрантов и аспирантов, обучающихся по микроэлектронике и физике твердого тела.

В данной книге подробно описаны основные физические концепции, связанные с нанонаукой и нанотехнологиями, и возможности создания на их основе микроэлектронных и оптоэлектронных приборов нового поколения. В настоящее время издается много книг по новейшим разделам нанонауки, но почти отсутствуют учебники и пособия для студентов-старшекурсников и аспирантов, связанных с нанонаукой. Предлагаемая книга восполняет этот пробел, так как представляет собой ценное учебное и справочное пособие для студентов, специализирующихся в физике, материаловедении и некоторых других технических дисциплинах. Кроме того, книга может представить интерес для ученых и инженеров-практиков, желающих глубже понять принципы нанонауки и нанотехнологии.

В монографии представлены оригинальные результаты авторов по исследованию фотовольтаического и фоторефрактивного эффектов, фоторефрактивного рассеяния света в кристаллах ниобата лития, а также излагаются сведения о современном состоянии исследований в данной области. Для студентов физических факультетов, аспирантов, инженеров и специалистов, занимающихся изучением фоторефрактивных свойств кристаллов ниобата лития.

В монографии рассматриваются вопросы изучения различных аспектов взаимодействия электронного зонда с сегнетоэлектрическими материалами, а также возможности их использования для формирования изображений доменной структуры сегнетоэлектриков методами растровой электронной микроскопии. Приводятся результаты исследований инжекционных, радиационно-стимулированных и тепловых эффектов, возникающих в полярных диэлектриках при облучении электронами средних энергий. Описаны методы контроля процессов накопления и релаксации инжектированных зарядов в поверхностном слое сегнетоэлектриков. Представлены анализ и теоретическое обоснование новой аналитической методики электронного зондирования сегнетоэлектриков - режима электронно-стимулированных поляризационных токов. Рассматривается метод визуального наблюдения распределения по поверхности активности скачков Баркгаузена. Приведены результаты моделирования взаимодействия электронных пучков с активными материалами. Монография предназначена для специалистов, работающих в области сегнетоэлектричества, а также растровой электронной микроскопии.

Коллективная монография, написанная ведущими специалистами США, Великобритании, ФРГ, Бельгии и Франции. Освещены все основные направления исследований в области физики аморфного состояния - от проблем теоретического описания электронного спектра, кинетических и оптических свойств до проблем изготовления солнечных батарей на основе аморфных полупроводников.Для специалистов, работающих в области физики неупорядоченных систем, физики твердого тела и электронной технологии.