Монография посвящена промышленным датчикам технологических процессов, современным методам измерения их характеристик, типичным проблемам, которые возникают при эксплуатации измерительной аппаратуры, методам ее диагностики и повышения надежности. Книга содержит как базовые знания, необходимые при проектировании систем измерения технологическими процессами, так и описания методов определения статических и динамических параметров датчиков и измерительных систем в промышленных условиях. Особое внимание уделяется практическим методам испытаний измерительных систем в лабораторной и промышленной практике с целью определения их характеристик и проверки работоспособности и надежности для применения в технологических процессах в энергетике, в аэрокосмической промышленности, в химической промышленности и в ряде других. Книга написана с позиции практического инженера и будет полезна как широкому кругу инженерно-технических работников, по роду своей деятельности связанных с управлением технологическими процессами и контрольно-измерительными системами, так и студентам и аспирантам технических вузов, специализирующихся в соответствующих областях.

В книге рассматриваются методы и алгоритмы анализа логических корреляций в цифровых КМОП-схемах. Показаны возможности использования логических корреляций для повышения качества результатов проектирования в анализе помехоустойчивости и быстродействия схем. Книга основана на результатах, полученных в Учреждении Российской академии наук Институте проблем проектирования в микроэлектронике РАН(ИППМРАН). Материал, изложенный в книге, является основой лекционного курса для магистров факультета ЭКТ Московского института электронной техники, обучающихся по направлению «Электроника и микроэлектроника», а также предназначен для научных работников и инженеров, специализирующихся в области методов математического моделирования САПР СБИС.

Монография посвящена синтезу, атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах флэш-памяти. Рассматриваются наиболее важные и перспективные диэлектрики Al2O3, HfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, твердые растворы (HfO2)x(Al2O3)1-x. Анализируется также электронная структура трех традиционных ключевых диэлектриков в кремниевых приборах : оксида SiO2, оксинитрида SiO2Ny, и нитрида Si3N4 кремния. Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся физикой твердого тела и микроэлектроникой.