| 1716 |
|
Влияние электронных возбуждений на процессы дефектообразования и диффузии в полупроводниках: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / З. А. Искандерова ; науч. рук.: А. Е. Кив, М. А. Кривов, офиц. оппоненты: Л. Н. Овандер, Г. Ф. Караваев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Криворожский государственный пединститут, Институт ядерной физики АН КазССР. — Томск, 1975. — 22 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-22.
|
| 1717 |
|
Исследование и разработка методов и схем электромагнитной дефектоскопии с использованием компенсации активных потерь: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.02.11 / А. В. Емельяненко ; науч. рук. И. Г. Лещенко, науч. конс. В. К. Жуков, офиц. оппоненты: А. Б. Сапожников, Г. И. Передельский; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт электронной интроскопии (Томск). — Томск, 1975. — 20 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19-20.
|
| 1718 |
|
Источники импульсных высоковольтных напряжений и метод электромагнитной сепарации в электронных ускорителях прямого действия: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.14.11 / В. Г. Баграмов ; науч. рук. Д. В. Иремашвили, офиц. оппоненты: И. Ф. Малышев, А. Б. Герасимов; Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д. В. Ефремова (СПб.), Сухумский физико-технический институт (Сухуми), Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР (М.). — Л., 1975. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.
|
| 1719 |
|
Разработка нейтронно-активационных методов определения и изучения распределения некоторых редкоземельных элементов в различных объектах с применением полупроводниковой гамма-спектрометрии: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 / С. Р. Абдурахманова ; науч. рук. Е. М. Лобанов, офиц. оппоненты: Д. И. Лейпунская, Р. П. Мещеряков; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт физики твердого тела и полупроводников АН БССР, Институт физики АН Грузинской ССР. — Томск, 1975. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24.
|
| 1720 |
|
Автофотоэлектронная эмиссия из высокоомного P-типа кремния: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Б. П. Бундза ; офиц. оппоненты: Т. М. Лифшиц, Б. А. Нестеренко; Институт физики АН УССР, Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова. — Киев, 1980. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.
|