Флуктуации и шумы определяют чувствительность приемных и измерительных электронных устройств. В наноэлектронике шумами ограничивается минимальный размер элемента, а также плотность записи информации в магнитных записывающих устройствах. По 1/f-шуму удается оценивать качество и прогнозировать надежность интегральных схем и устройств на их основе, не прибегая к долговременным и дорогостоящим испытаниям, причем с такой высокой достоверностью, какую не дают другие известные методы. Все эти вопросы, а также способы описания и физические модели различных шумов (1/f-шума, фликкер-шума и др.), а также методы измерения и снижения шума описаны в данном учебном пособии, написанном на основе курса лекций, прочитанных автором в Московском институте электронной техники. Для студентов старших курсов, магистрантов, аспирантов, а также научных сотрудников и инженеров.

Рассмотрены разделы электроники: вакуумная и плазменная электроника, твердотельная электроника, микроэлектроника, квантовая и оптическая электроника, процессы микро- и нанотехнологий, методы исследования материалов и структур, микросхемотехника. В разделы включены исторические справки об этапах становления и развития направления электроники, контрольные вопросы и задачи с решениями. Во втором издании материал перегруппирован, исправлены неточности и добавлены новые разделы: "Твердотельная электроника" и "Методы исследования материалов и структур".

В книге изложены основы физики полупроводников и их практические применения. Первые четыре главы охватывают все главные вопросы, связаные с теорией, физико-химическими свойствами и технологией полупроводников. Пятая глава содержит описание полупроводниковых приборов, их принципиального устройства и применения.Книга служит элементарным введением в сложную область современной полупроводниковой электроники. Ознакомление с ней - это первый этап в освоении физики и практики полупроводников, после чего можно приступать к чтению более сложной и специализированной литературы.

В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размеров 10-20 нм и сравнительный анализ 4-х типов схемотехник. Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям "Нанотехнология и микросистемная техника", "Электроника и наноэлектроника", "Вычислительные системы, комплексы и сети".

Настоящая книга знакомит читателя с проблемами физической электроники, которые изложены в виде задач. В ней охватываются практически все разделы современной газовой электроники и некоторые разделы физики плазмы: катодная электроника, явления переноса, газовые разряды, сильно ионизованная плазма и другие. Решения многих задач доведены до чисел, что дает представление о порядках величин, встречающихся в эксперименте. Для студентов и аспирантов физических специальностей вузов, а также научно-технических работников в области газовой электроники и физики плазмы.

В справочнике приведены сведения о более 5000 тыс. зарубежных и отечественных полупроводниковых приборах, выпускаемых в настоящее время и выпущенных за последние 20 лет (диодах, стабилитронах и стабисторах, диодах СВЧ, варикапах, тиристорах, оптронах, фотодиодах и магнитодиодах), и приведены аналоги для их замены. Основные параметры приведены в форме таблиц. В каждой таблице предусмотрена возможность добавления новых п/п приборов. В справочнике приведены графические изображения корпусов и основные размеры. Справочник рассчитан на широкий круг радиолюбителей, занимающихся ремонтом и сборкой радиоэлектронной аппаратуры.

Эффективность науки в значительной мере зависит от технического уровня приборов и оборудования для научных исследований, т. е. от их точности, быстродействия, соответствия целям и задачам научного эксперимента. Повышение технического уровня проведения научных экспериментов требует непрерывного совершенствования приборов по основным направлениям научных исследований: формирование магнитных, электрических, тепловых и других полей с заданной пространственной конфигурацией или однородностью; процессы и устройства транспортирования и формирования потоков частиц и веществ; развитие теории и методов создания датчиков с высокой чувствительностью и селективностью; математическое моделирование приборов; оптимизация структуры и функциональных элементов приборов; автоматизация приборов.Процесс усовершенствования приборов требует обобщения накопленного опыта и обмена информацией. Настоящий аннотированный текущий указатель изобретений (4 выпуска в год) предназначен для широкого круга ученых и специалистов, занимающихся разработкой и эксплуатацией приборов для научных исследований.Указатель составлен на основе просмотра бюллетения "Изобретения в СССР и за рубежом" и включает изобретения по шести ведущим странам: СССР, Великобритании, США, Франции, ФРГ и Японии - за соответствующие кварталы предыдущего года.Каждый выпуск имеет вспомогательные указатели: нумерационный указатель авторских свидетельств и патентов и указатель оганизаций и фирм-заявителей.

Эффективность науки в значительной мере зависит от технического уровня приборов и оборудования для научных исследований, т. е. от их точности, быстродействия, соответствия целям и задачам научного эксперимента. Повышение технического уровня проведения научных экспериментов требует непрерывного совершенствования приборов по основным направлениям научных исследований: формирование магнитных, электрических, тепловых и других полей с заданной пространственной конфигурацией или однородностью; процессы и устройства транспортирования и формирования потоков частиц и веществ; развитие теории и методов создания датчиков с высокой чувствительностью и селективностью; математическое моделирование приборов; оптимизация структуры и функциональных элементов приборов; автоматизация приборов.Процесс усовершенствования приборов требует обобщения накопленного опыта и обмена информацией. Настоящий аннотированный текущий указатель изобретений (4 выпуска в год) предназначен для широкого круга ученых и специалистов, занимающихся разработкой и эксплуатацией приборов для научных исследований.Указатель составлен на основе просмотра бюллетения "Изобретения в СССР и за рубежом" и включает изобретения по шести ведущим странам: СССР, Великобритании, США, Франции, ФРГ и Японии - за соответствующие кварталы предыдущего года.Каждый выпуск имеет вспомогательные указатели: нумерационный указатель авторских свидетельств и патентов и указатель оганизаций и фирм-заявителей.

Сборник содержит материалы тезисов докладов, посвященных достижениям в фотонике, электронике, нелинейной оптике и квантовых технологиях на основе современных и перспективных материалов. Круг рассматриваемых вопросов простирается от синтеза оптических и полупроводниковых материалов до создания оптоэлектронных и полупроводниковых приборов и систем.

В книге изложены теория работы, конструкции и основы расчета электровакуумных приборов, а также связь параметров и конструкций приборов с важнейшими схемами и условиями их применения. Изложение материала в книге предполагает наличие у читателей математической, физической и общетехнической подготовки в объеме соответствующих программ электровакуумных техникумов.Книга предназначена в качестве учебного пособия по курсу "Электровакуумные приборы и основы их проектирования" для учащихся техникумов электронных приборов. Она может быть полезной в качестве пособия для работников, соприкасающихся с вопросами устройства, работы, расчета и применения электронных приборов, а также для студентов соответствующих специальностей высших учебных заведений.

В монографии рассматриваются теоретические основы, методика и практика применения метода рентгеновской топографии на основе эффекта Бормана (РТБ). Приводятся методика и результаты моделирования теоретического контраста от основных типов дефектов в монокристаллических материалах в методе РТБ и его сопоставление с экспериментальным контрастом. Предложены методы цифровой обработки изображений, позволившие устранить слабый контраст и фоновую неоднородность топограмм и фотонегативов, влияние зернистости фотоэмульсии, представить изображение дефектов в виде, более удобном для анализа и идентификации дефектов. Для научных работников, инженеров, преподавателей и студентов, специализирующихся в области материаловедения, кристаллофизики и технологии материалов электронной техники.

В книге обобщен многолетний опыт практической работы и приведены проверенные методики поиска неисправностей для различных электронных устройств. На большом количестве примеров аналоговых и цифровых блоков, программируемых контроллеров и компьютерной техники показан системный подход и специфика поиска неисправностей в электрических схемах. Рассмотрены основные правила проведения технического обслуживания, фазы поиска неисправностей, диагностика устройств, тестирование электронных компонентов.

Рассматриваются возможности и особенности применения полупроводниковых четырехслойных приборов (диодных, триодных, в том числе запираемых по входу тиристоров и фототиристоров) в качестве ключевых элементов радиоэлектронных устройств. Дается физический анализ ключевых свойств тиристорного ключа, определяются режимы и предлагаются методы и схемы автоматизированного измерения основных параметров. Анализируются типовые цели отпирания, запирания и выключения тиристоров. Излагается теория и расчет тиристорных схем формирования, счета и распределения импульсов во времени и даются примеры их практического использования в конкретных радиоэлектронных устройствах. Оцениваются перспективы применения тиристоров специальных типов в ключевых и логических схемах.Книга рассчитана на широкий круг специалистов, занимающихся как разработкой элементов систем управления, автоматики, телеметрии с использованием тиристоров, так и созданием полупроводниковых приборов на основе четырехслойной структуры. Книга также может быть полезна студентам и аспирантам, специализирующимся в области радиоэлектроники.

Монография посвящена обзору современных физических методов исследования, которые используются в физическом материаловедении для изучения физических свойств материалов, а также фазовых и структурных превращений. В число разбираемых методов измерений включены тепловые, электрические и магнитные методы. К тепловым методам исследования отнесены термический анализ, калориметрия, дилатометрия и измерения теплопроводности и температуропроводности. Электрические измерения в материаловедении рассмотрены на примере измерений удельного электрического сопротивления (электропроводности), а также большого комплекса параметров электрических цепей (емкости, индуктивности и др.), которые используют в конструкциях различных датчиков. Магнитные методы измерения рассмотрены как в статическом, так и в динамическом режимах. описаны методы измерений напряженности и индукции магнитного поля, магнитного момента, намагниченности, восприимчивости сильномагнитных и слабомагнитных веществ. Для студентов, аспирантов и специалистов в области физического материаловедения.

В книге в сжатой форме излагаются топологические и матричные методы расчета характеристик электрических, механических и гидравлических систем и дается сравнительная оценка этих методов. Значительное место отведено расчету сложных электрических цепей, включающих активные элементы. Изложение теоретических вопросов иллюстрируется на конкретных примерах. Книга полезна для студентов старших курсов и инженеров электротехнических специальностей и представляет несомненный интерес для научных работников, занимающихся вопросами теории цепей.

В справочник, изданный в США, включены принципиальные схемы электронных устройств, разработанных ведущими зарубежными фирмами - изготовителями электронных компонентов. Представлены источники питания, измерительные приборы, генераторы, приемопередатчики и усилители, радиоуправляемые модели и многие другие схемы. Для специалистов в области разработки и применения электронной техники, а также квалифицированных радиолюбителей.

Третий том курса физики, широко известного у нас в стране и за рубежом. Книга написана на основе лекций, которые в течение ряда лет читались автором студентам Московского физико-технического института. Основное внимание уделено выяснению физического смысла и содержания основных законов и понятий науки об электричестве, установлению границ применимости этих законов, развитию у студентов навыков физического мышления и умения ставить и решать конкретные задачи. Третье издание третьего тома вышло в 1996 г. в двух частях. Для студентов физических и математических факультетов университетов, физико-технических и инженерно-физических институтов, а также вузов, где физика является основной дисциплиной.