Книга содержит доклады V Всесоюзной конференции по получению и анализу веществ особой чистоты. Освещаются вопросы теории и практики глубокой очистки различных классов химических соединений и металлов, а также методы анализа веществ особой чистоты. Книга рассчитана на научных работников и специалистов промышленных предприятий, работающих в области получения и анализа веществ особой чистоты.

В книге систематизированы и обобщены данные по изменению кинетических свойств вещества при кристаллизации и стекловании расплавов. Выполнены многочисленные компьютерные эксперименты по определению кинетических свойств при затвердевании, подобрана поправка к потенциалу межатомного взаимодействия. Основное внимание уделено затвердеванию металлов и ионных расплавов, особенно оксидов. Для сопоставления приведены данные по молекулярным жидкостям, инертным газам, полимерам. Книга представляет интерес для специалистов, занимающихся изучением затвердевания и кинетических свойств жидкостей, а также для исследователей металлургических расплавов.

Освещены вопросы тепло- и массообмена при выращивании монокристаллов из расплава. Рассматриваются физические и математические модели процессов теплопереноса и формообразования при росте кристаллов из расплава. Основное внимание уделено экспериментальному и теоретическому исследованию процессов теплопереноса при получении оптических монокристаллов по методам Багдасарова и Бриджмена-Стокбаргера. Рассматривается методика и результаты экспериментального исследования, программа расчета, анализируются результаты выполненных расчетов. Выявляются направления совершенствования технологии получения монокристаллов и тенденции в совершенствовании методов выращивания. Книга предназначена научным работниками и инженерам, занимающимся вопросами тепло- и массообмена при росте кристаллов, их выращиванием и проектированием ростовых установок.

Представлены результаты исследования закономерностей роста кристаллов в расплавах. Обоснован симметричный подход к анализу процессов формирования кристаллов и пленок в несферических полях температур. Изложена методика анализа идеальной поверхности кристаллов с количественной оценкой насыщенности связей на грани, характеризующей силу взаимодействия поверхности с встраивающимися в структуру частицами. Показано, что уточненный анализ проблемы морфогенеза монокристаллов и двойников четко согласуется с экспериментом. Описаны закономерная эволюция габитуса свободно растущих кристаллов при изменении степени переохлаждения расплава и резкое габитусное превращение при достижении критического переохлаждения. Приведены решения вопросов ориентационной обусловленности кристаллообразования в расплавах, касающиеся морфологической устойчивости, дефектов структуры, захвата примесей. Для кристаллографов. минералогов и материаловедов. специалистов в области управляемой кристаллизации расплавов, выращивания кристаллов и пленок.