Систематизированы сведения о физических процессах формирования ионизационных спектров и применении ионизационной спектроскопии для диагностики поверхности. Описано преобразование спектра электронов в спектрометре и указан порядок определения его функции пропускания. Изложены методы исследования элементного и химического состава, гомогенности образца, толщины и сплошности тонких слоев. Приведены образцовые спектры 26 элементов и 11 соединений. Для научных работников и инженеров, занимающихся анализом поверхности твердого тела.

В монографии рассмотрено современное состояние теоретических и экспериментальных исследований кинет ки и механизмов процессов, протекающих при формировании твердого полимерного тела при отверждении жидких реакционноспособных олигомеров. Основное внимание уделено анализу общих черт и различий полимеризационных и поликонденсационных процессов формирования сетчатой структуры на молекулярно, топологическом, надмолекулярном и коллоидном уровнях структурной иерархии полимеров. Обсуждены методы исследования процессов отверждения олигомеров. Рассмотрены химические аспекты отверждения разных классов олигомеров и особенности химической кинетики сеткообразования на начальной стадии, в предгелевый период и на стадии гелеобразования. Проанализированы процессы формирования и конечная структура отвержденных олигомеров. Описаны особенности отверждения олигомерных смесевых систем. Для специалистов, работающих в области физики, химии и физикохимии полимеров, инженеров-технологов научных центов и заводов, занятых разработкой и производством материалов на основе олигомерных систем, а также преподавателей, аспирантов и студентов химических и биологических факультетов университетов и академий.

Предлагаемый вниманию читателей справочник очень популярен в Великобритании. Его авторам удалось собрать и компактно объединить под одной обложкой огромное количество информации. Здесь кратко рассмотрены практически все аспекты теории и практики современной радиосвязи - от распространения электромагнитных волн до спецификаций радиотехнического оборудования. Описаны даже способы шифрования и передачи конфиденциальной информации. Не остались без внимания и вопросы формирования, обработки и передачи сигналов в таких современных видах связи, как мобильная радиосвязь, спутниковая и транкинговая связь, беспроводная телефония. Кроме последовательного систематического изложения вопросов радиосвязи книг содержит много разнообразной информации справочного характера. Кажется, что здесь есть все - от международного кода "Q" и азбуки Морзе до формул и таблиц для расчетов радиотехнических цепей и сведений о кодировке электронных компонентов. Поистине, это находка для радиоинженеров и студентов радиотехнических и смежных специальностей. Более того, любой любознательный человек найдет здесь много интересного.

В монографии рассмотрены макроскопические особенности локализации пластического течения в ГЦК, ОЦК, ГПУ моно- и поликристаллах чистых металлов и сплавов, а также в ультрамелкозернистых и аморфных материалах. Показано, что макромасштабная локализация пластического течения имеет автоволновой характер и возникает во всех деформируемых материалах, а тип автоволной локализации определяется законом деформационного упрочнения, действующим на соответствующей стадии процесса пластического течения. Формы картин локализации объяснены на основе представлений о самоорганизации дефектной подсистемы твердого тела при деформации. Предложена новая модель развития локализации, учитывающая взаимодействие фононной и дислокационной подсистем деформируемого материала. Книга рассчитана на специалистов в области физики пластичности, механики деформируемого твердого тела и физического материаловедения, а также будет полезна студентам и аспирантам.

Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники. В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких температурах. Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников.