Источники широкоапертурных ионных пучков на основе вакуумного дугового разряда в сильном магнитном поле: дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. Г. Николаев ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 1998. — 124 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 108-121.

Источники широкоапертурных ионных пучков на основе вакуумного дугового разряда в сильном магнитном поле: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. Г. Николаев ; науч. рук.: Е. М. Окс, Г. Ю. Юшков, офиц. оппоненты: А. И. Рябчиков, А. П. Семенов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Всероссийский электротехнический институт (М.). — Томск, 1998. — 13 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 12-13.

Условия образования и эмиссионные свойства объемной плазмы дугового разряда низкого давления: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / Е. М. Окс ; науч. рук. Ю. Е. Крейндель; Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 1985. — 183 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 168-183.

Плазменные источники интенсивных электронных и ионных пучков на основе разрядов низкого давления с ненакаливаемым катодом в магнитном поле: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Е. М. Окс ; офиц. оппоненты: Ю. И. Бельченко, Ю. П. Усов, Г. М. Кассиров; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Объединенный институт ядерных исследований. — Томск, 1994. — 34 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 26-30.

Плазменные источники интенсивных электронных и ионных пучков на основе разрядов низкого давления с ненакаливаемым катодом в магнитном поле: дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Е. М. Окс; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 1994. — 271 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 251-271.

Ионно-плазменные методы нанесения твердых аморфных углеродных покрытий на подложки большой площади: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / К. В. Оскомов ; науч. рук.: С. П. Бугаев, Н. С. Сочугов; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Томск, 2001. — 173 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 163-172.

Ионно-плазменные методы нанесения твердых аморфных углеродных покрытий на подложки большой площади: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / К. В. Оскомов ; науч. рук. С. П. Бугаев, Н. С. Сочугов, офиц. оппоненты: Н. Н. Коваль, В. П. Кривобоков; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.). — Томск, 2001. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.

Создание и применение электроразрядных эксиплексных XeCl* и KrCl* лазеров: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / А. Н. Панченко ; науч. рук. В. Ф. Тарасенко; Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск). — Томск, 1989. — 151 с. — На правах рукописи. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 131-151.

Распределение электронов по энергиям и элементарные процессы в плазме отрицательного свечения тлеющего разряда: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.05 / Г. С. Евтушенко ; науч. рук. И. И. Муравьев, офиц. оппоненты: Н. Г. Преображенский, Ю. Д. Королев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск), Ленинградский государственный университет им. А. А. Жданова (Л.). — Томск, 1979. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-14.

Импульсные газовые лазеры высокого давления: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. Н. Ищенко; Институт физики полупроводников СО АН СССР. — Новосибирск, 1978. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-15.