Монография посвящена изложению основ современной квантовой теории твердого тела с помощью языка псевдопотенциала. Показано, что идеи псевдопотенциала появляются как естественное следствие применения квантово-механической теории рассеяния (излагаемой в книге) к проблеме взаимодействия электрона с атомом (ионом). Особое внимание уделено принципам построения кристаллических потенциалов и теории экранирования. На языке псевдопотенциала рассмотрены основные положения зонной теории и проанализирована связь между теорией псевдопотенциала и основными методами расчета энергетической зонной структуры (ОПВ, ППВ, ККР, ККРЗ). В качестве примера использования теории псевдопотенциала обсуждено ее применение к одной из актуальных задач теории фазовых превращений - проблеме сравнительной устойчивости кристаллических структур металлов и сплава. На широком материале показаны возможности теории псевдопотенциалов в этом аспекте.

В пособии обсуждаются проблемы рентгеноструктурного анализа нанокристаллических материалов, излагаются современные рентгенографические методики исследования наноразмерных и наноструктурированных систем. Рассматриваются особенности рентгеновской дифракции для ID и 3D когерентных наноструктур. Пособие предназначено для магистрантов ФФ НГУ, обучающихся на кафедре физических методов исследования твердого тела, а также студентов других кафедр и факультетов, занимающихся исследованием структуры нанокристаллических материалов. Предполагается, что обучающиеся знакомы с началами кристаллографии и теории рассеяния рентгеновских лучей.

Книга посвящена новому разделу физики твердого тела и твердотельной электроники — исследованию монополярной и двойной инжекции носителей заряда. Рассматриваемые явления имеют большое значение для понимания механизма прохождения тока через изоляторы и полупроводники, служат эффективным средством исследования электрических свойств твердых тел и, кроме того, имеют много важных технических применений, в частности в диэлектрической электронике и оптоэлектронике. Предмет книги изложен на нескольких уровнях — от качественного рассмотрения и феноменологических расчетов до строгого количественного анализа. Значительное место уделено обсуждению экспериментальных результатов. Книга рассчитана на широкий круг научных работников — специалистов в области физики полупроводников и диэлектриков, инженеров, занимающихся исследованием электронных процессов в твердом теле, а также на студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специальностей.