Исследование воздействия собственного магнитного поля на параметры плазменных струй в стационарном и импульсном вакуумном разряде: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / Е. А. Зверев ; науч. рук. И. А. Кринберг, офиц. оппоненты: А. В. Козырев, В. И. Орешкин; Иркутский государственный университет (Иркутск), Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе (СПб.), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Иркутск, 1999. — 24 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-24.

Исследование воздействия собственного магнитного поля на параметры плазменных струй в стационарном и импульсном вакуумном разряде: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.02 / Е. А. Зверев ; науч. рук. И. А. Кринберг; Иркутский государственный университет (Иркутск). — Иркутск, 1999. — 112 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 105-112.

Источники низкоэнергетических сильноточных электронных пучков на основе пушек с плазменным анодом и взрывоэмиссионным катодом: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 05.27.02 / Г. Е. Озур ; науч. конс. Д. И. Проскуровский, офиц. оппоненты: Н. Н. Коваль, Г. Е. Ремнев, В. А. Бурдовицын; Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Институт ядерной физики СО РАН (Новосибирск). — Томск, 2008. — 39 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 36-39.

Кинетические эффекты в поперечном наносекундном разряде с щелевым катодом в инертных газах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. С. Кобзева ; науч. рук.: Н. А. Ашурбеков, К. О. Иминов, офиц. оппоненты: Ф. И. Высикайло, М. М. Гаджиалиев; Дагестанский государственный университет (Махачкала), Объединенный институт высоких температур РАН. — Махачкала, 2008. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18.

Особенности излучения релятивистских электронов и позитронов при (111) плоскостном каналировании в тонких кристаллах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02 / О. В. Богданов ; науч. рук. Ю. Л. Пивоваров, офиц. оппоненты: В. А. Бордовицын, В. Я. Эпп; Томский политехнический университет (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2008. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.