Представлены описания лабораторных работ для студентов 2-3 курсов, обучающихся по специальностям «Нанотехнологии в электронике» и «Квантовая электроника». В ходе выполнения работ студенты ознакомятся с некоторыми методами получения наночастиц и нанокомпозитов, приобретут навыки работы с объектами нанометрового размера и овладеют современными физико-химическими методами исследования. Каждый цикл работ предваряется теоретическим введением, которое может играть роль краткого конспекта лекций. Для студентов, аспирантов, докторантов, преподавателей классических, педагогических и технологических университетов, а также специалистов, работающих над проблемами разработки и применения нанотехнологии.

Эффективность науки в значительной мере зависит от технического уровня приборов и оборудования для научных исследований, т. е. от их точности, быстродействия, соответствия целям и задачам научного эксперимента. Повышение технического уровня проведения научных экспериментов требует непрерывного совершенствования приборов по основным направлениям научных исследований: формирование магнитных, электрических, тепловых и других полей с заданной пространственной конфигурацией или однородностью; процессы и устройства транспортирования и формирования потоков частиц и веществ; развитие теории и методов создания датчиков с высокой чувствительностью и селективностью; математическое моделирование приборов; оптимизация структуры и функциональных элементов приборов; автоматизация приборов.Процесс усовершенствования приборов требует обобщения накопленного опыта и обмена информацией. Настоящий аннотированный текущий указатель изобретений (4 выпуска в год) предназначен для широкого круга ученых и специалистов, занимающихся разработкой и эксплуатацией приборов для научных исследований.Указатель составлен на основе просмотра бюллетения "Изобретения в СССР и за рубежом" и включает изобретения по шести ведущим странам: СССР, Великобритании, США, Франции, ФРГ и Японии - за соответствующие кварталы предыдущего года.Каждый выпуск имеет вспомогательные указатели: нумерационный указатель авторских свидетельств и патентов и указатель оганизаций и фирм-заявителей.

Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 «Электроника и наноэлектроника». Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.

Изложены физические основы электронных и квантовых приборов СВЧ и квантовых приборов оптического диапазона, их основные характеристики и параметры, определяющие области применения этих приборов. Рассмотрены пролетные и отражательные клистроны, лампы бегущей и обратной волны, многорезонаторные магнетроны, квантовые парамагнитные усилители, оптические квантовые генераторы, квантовые стандарты частоты и другие приборы.