Особенности излучения релятивистских электронов и позитронов при (111) плоскостном каналировании в тонких кристаллах: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02 / О. В. Богданов ; науч. рук. Ю. Л. Пивоваров, офиц. оппоненты: В. А. Бордовицын, В. Я. Эпп; Томский политехнический университет (Томск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск), Томский государственный университет (Томск). — Томск, 2008. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.

Люминесценция кислородсодержащих кристаллов фторида лития, активированных ураном, при импульсном возбуждении: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. Н. Путинцева ; науч. рук. В. М. Лисицын, офиц. оппоненты: Ю. И. Тюрин, Т. С. Шамирзаев; Томский политехнический университет (Томск), Уральский государственный технический университет (Екатеринбург). — Томск, 2008. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 22-23.

Формоизменения металлических острий при нагревании в электрическом поле: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.04 / В. Г. Павлов ; науч. рук. работы В. Н. Шредник, офиц. оппоненты: А. Г. Наумовец, Л. С. Мирошниченко; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (Л.), Институт сильноточной электроники СО АН СССР (Томск). — Киев, 1977. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.

Проводимость ионных кристаллов при импульсном облучении сверхплотными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Э. Г. Таванов ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты : М. А. Эланго, Г. Ф. Караваев; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева, Томский политехнический институт им. С. М. Кирова. — Томск, 1980. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Аннигиляция позитронов в щелочногалоидных кристаллах: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.01 / К. П. Арефьев ; науч. рук.: А. А. Воробьев, С. А. Воробьев, офиц. оппоненты: В. Е. Панин, Е. П. Прокопьев; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики (Томск), Институт физической химии АН СССР (М.). — Томск, 1974. — 17 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16-17.

Изменение упругих свойств и внутреннего трения монокристаллов галогенидов щелочных металлов в зависимости от состава и воздействия облучения: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / И. Н. Гырбу ; науч. рук.: Е. К. Завадовская, А. А. Ботаки, офиц. оппоненты: П. А. Савинцев, В. А. Кучин; Томский политехнический институт им С. М. Кирова (Томск), Научно-исследовательский институт радиационной физики (Томск), Воронежский политехнический институт (Воронеж). — Томск, 1974. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 19.

Применение ионного проектора к изучению поверхности кристаллических наростов тугоплавких металлов : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.01 / Б. М. Шайхин ; науч. рук. В. Н. Шредник, офиц. оппоненты: Ю. С. Коробочко, П. И. Антонов; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (Л.), Институт физики металлов УНЦ АН СССР (Свердловск). — Л., 1975. — 13 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13.

Скорость хрупкого разрушения щелочногалоидных кристаллов под действием наносекундных импульсов облучения мощными пучками электронов: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / Г. И. Геринг ; науч. рук. Д. И. Вайсбурд, офиц. оппоненты: В. М. Финкель, Б. В. Семкин; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Институт физики АН ЭССР (Тарту). — Томск, 1975. — 30 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 23.

Исследование процессов радиационностимулированного взаимного преобразования электронных центров окраски в кристаллах NgP2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. И. Корепанов ; науч. рук.: Е. К. Завадовская, В. М. Лисицын, офиц. оппоненты : Л. В. Григорук, М. А. Эланго; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова, Латвийский государственный университет. — Томск, 1975. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.

Квантовые эффекты объемного и поверхностного каналирования частиц в системе атомных плоскостей кристалла: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.02 / В. Г. Хлабутин ; науч. рук. В. А. Литвинов, офиц. оппоненты: В. В. Белошицкий, В. Я. Эпп; Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева (Томск), Томский политехнический институт им. С. М. Кирова (Томск), Московский инженерно-физический институт (М.). — Томск, 1986. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14-15.