Разработка и изготовление высокотемпературных твердооксидных устройств с использованием нанотехнологий: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / А. С. Липилин ; науч. рук. В. В. Иванов, офиц. оппоненты: В. И. Отмахов, В. А. Садыков; Ин-т электрофизики УрО РАН, Ин-т сильноточной электроники СО РАН. — Томск, 2014. — 41 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 36-40.

Оптические свойства и радиационная стойкость порошков диоксида титана, модифицированных наночастицами оксидных соединений: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.04, 01.04.07 / С. А. Юрьев ; науч. рук. М. М. Михайлов, офиц. оппоненты: П. С. Гордиенко, О. П. Толбанов; Томский гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, АО "Информационные спутниковые системы им. академика М. Ф. Решетнева. — М., 2015. — 15 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15.

Генерация электронных пучков в форвакуумной области давлений на основе плазменно-эмиссионных разрядных систем с полым катодом: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.04 / А. С. Климов ; науч. конс. Е. М. Окс, офиц. оппоненты: А. В. Бурдаков, С. Л. Косогоров, Г. Е. Ремнев; Томский ин-т автоматизир. систем управления и радиоэлектроники, Ин-т прикладной физики РАН(Нижний Новгород). — Томск, 2016. — 32 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 28-32.

Физико-технические процессы получения силикатных расплавов и материалов на их основе в низкотемпературной плазме: автореферат дис. ... д-ра техн. наук : 01.04.07 / О. Г. Волокитин ; науч. конс. Н. К. Скрипникова , офиц. оппоненты: Е. А. Будовских, Д. С. Сандитов, В. И. Струнин; Томский гос. архитектурно-строительный ун-т, Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН. — Томск, 2016. — 41 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 35-41.

Процессы при переходе тока сильноточной вакуумной дуги через ноль: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / А. В. Шнайдер ; науч. рук. А. В. Батраков, офиц. оппоненты: А. Г. Овсянников, И. В. Уйманов; Ин-т сильноточной электроники СО РАН, Новосибирский гос. техн. ун-т. — Томск, 2016. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 24-26.