Исследование энергетических и временных характеристик газоразрядных эксимерных ArF и KrF лазеров на смесях He:Ar(Kr):F2: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.21 / А. А. Жупиков ; науч. рук. А. М. Ражев, офиц. оппоненты: В. Е. Бразовский, В. И. Денисов; Институт лазерной физики СО РАН (Новосибирск), Институт теоретической и прикладной механики им. С. А. Христиановича СО РАН (Новосибирск). — Новосибирск, 2006. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-19.

Моделирование тепловой эрозии поверхности твердого тела под действием мощных импульсных пучков заряженных частиц: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / О. М. Степанова ; науч. рук. В. П. Кривобоков, офиц. оппоненты: С. В. Смирнов, Ю. П. Шаркеев; Томский политехнический университет (Томск), Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН (Новосибирск). — Томск, 2009. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 21-23.

Исследование путей создания мощных усилительных и генераторных ламп с повышенным КНД за счет торможения электронов на аноде: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 05.27.02 / И. М. Трухачев ; науч. рук. В. И. Переводчиков, офиц. оппоненты: Д. Н. Горбатов, С. А. Жуков; Всероссийский электротехнический институт (М.). — М., 2009. — 21 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-21.

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. М. Дзядух ; науч. рук. А. В. Войцеховский, офиц. оппоненты : О. П. Толбанов, А. А. Вилисов; Томский государственный университет, Сибирский физико-технический институт, Томский университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2010. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 17-18.

Модифицирование свойств поверхности низкоуглеродистой стали электрической дугой низкого давления: автореферат дис. ... канд. техн. наук : 01.04.07, 05.02.07 / В. В. Демиденко ; науч. рук. Г. Е. Ремнев, оппоненты: Ю. П. Шаркеев, В. П. Нестеренко; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (Томск), Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского (Омск). — Томск, 2011. — 19 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 18-19.