| 61 |
|
Отечественные полупроводниковые приборы : справ. пособие / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов. — М.; : СОЛОН-Р , Б.г. — (Ремонт ; Вып. 25 ).
Кн. 1 : Аналоги отечественных и зарубежных приборов. — , 1999. — 490 с.: ил. — ISBN 5-93455-030-6: 95.00 р.
|
| 62 |
|
Отечественные полупроводниковые приборы : справ. пособие / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов. — М.; : СОЛОН-Р , Б.г. — (Ремонт ; Вып.59 ).
Кн. 1 : Аналоги отечественных и зарубежных приборов. — 3-е изд., перераб. и доп. — , 2002. — 544 с.: ил. — ISBN 5-93455-142-6: 207.90 р.
|
| 63 |
|
Отечественные полупроводниковые приборы: Транзисторы биполярные. Диоды. Варикапы. Стабилитроны и стабисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные приборы. Аналоги отечественных и зарубежных приборов : Справ. пособие / А. И. Аксенов, А. В. Нефедов. — 6-е изд., доп. и испр. — М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2008. — 592 с.: ил. — (Компоненты и технологии). — ISBN 978-5-91359-043-5: 610.00 р.
|
| 64 |
|
СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках: учеб. пособие для вузов по напр. 210100 " Электроника и наноэлектроника" / А. Г. Васильев, Ю. В. Колковский, Ю. А. Концевой. — М.: Техносфера, 2011. — 256 с.: ил. — Библиогр. в конце глав. — ISBN 978-5-94836-271-7: 475.00 р.
Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 «Электроника и наноэлектроника». Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники.
|
| 65 |
|
Оптико-механические и электронно-оптические приборы : межвуз. сб. / Новосиб. ин-т инженеров геодезии, аэрофотосъемки и картографии ; ред кол. А. М. Итигин (отв. ред.) [и др.]. — Новосибирск; : НИИГАиК , Б.г.
Т. 41 (81) :. — , 1989. — 132 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.85 р.
|
| 66 |
|
Оптико-механические и электронно-оптические приборы : межвуз. сб. / Новосиб. ин-т геодезии, аэрофотосъемки и картографии ; ред. кол. А. М. Итигин (отв. ред.) [и др.]. — Новосибирск; : НИИГАиК , Б.г.
Т. 25 (65) :. — , 1985. — 155 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 1.00 р.
|
| 67 |
|
Полупроводниковая электроника в технике связи : сб. ст. / под. ред. И. Ф. Николаевского.
Вып. 24 :. — М.: Радио и связь, 1984. — 224 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.75 р.
|
| 68 |
|
Микроэлектроника и полупроводниковые приборы : сб. статей / под общ. ред. А. А. Васенкова, Я. А. Федотова. — М.; : Радио и связь , Б.г.
Вып. 10 :. — , 1989. — 192 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — ISBN 5-256-00234-1: 1.00 р.
|
| 69 |
|
Радиационные методы в твердотельной электронике: монография / В. С. Вавилов [и др.]. — М.: Радио и связь, 1990. — 183 с.: ил. — Библиогр.: с. 174-182. — ISBN 5-256-00741-6: 2.60 р. |
| 70 |
|
400 новых радиоэлектронных схем: пер. с фр. / Г. Шрайбер. — М.: ДМК Пресс, 2001. — 368 с.: ил. — (В помощь радиолюбителю). — Предм. указ.: с. 361-367. — ISBN 5-94074-063-4: 89.00 р.
|