Зарубежная военная техника [Текст ] : обзоры / Центральный научно-исследовательский институт информации и технико-экономических исследований (М.). — Москва; : ЦНИИ информации , Б.г.
Вып. 9 (85) : Приемники и преобразователи оптического излучения. Фотоприемные устройства для ВОЛС (ЛФД, pin FET) / М. А. Кузнецова. — Москва: ЦНИИ информации, 1988. — 52 с.: ил. — Для служебного пользования. — Библиогр.: с. 44-52.
В обзоре рассмотрена зависимость минимальной обнаруживаемой мощности фотоприемного устройства от различных характеристик системы. Отмечены основные характеристики, особенно сильно влияющие на чувствительность системы с лавинным фотодиодом (ЛФД) и системы с pin-фотодиодом и полевым транзистором (pin FET). Проведено сравнение минимальной обнаруживаемой мощности этих двух систем при различных скоростях передачи информации. Показано, что системы pin FET не будут уступать по чувствительности на высоких скоростях передачи информации системам ЛФД на основе InP/InGaAs (с разделенными областями лавинного умножения и фотогенерации) только при очень низких входных емкостях (~0,1 пФ). Рассмотрены основные виды современных ЛФД на основе различных материалов, в том числе ЛФД на сверхрешетках. Рассмотрены основные виды полевых транзисторов, в том числе полевые транзисторы, функционирование которых основано на эффекте двумерного электронного газа. Из приведенных данных следует, что наиболее быстродействующими и низкошумящими будут ЛФД на сверхрешетках и полевые транзисторы с двумерным электронным газом.