| 21 |
|
Исследование процессов радиационностимулированного взаимного преобразования электронных центров окраски в кристаллах NgP2: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. И. Корепанов ; науч. рук.: Е. К. Завадовская, В. М. Лисицын, офиц. оппоненты : Л. В. Григорук, М. А. Эланго; Томский политехнический институт им. С. М. Кирова, Латвийский государственный университет. — Томск, 1975. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 16.
|
| 22 |
|
Наносекундная безызлучательная релаксация энергии электронного возбуждения в лазерных кристаллах, активированных РЗ ионами: автореферат дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 / Ю. В. Орловский ; науч. конс. Т. Т. Басиев, офиц. оппоненты: Е. М. Дианов, Е. Ф. Кустов, Ю. П. Тимофеев; Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН (М.), Научный центр лазерных материалов и технологий (М.), Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова (СПб.). — М., 1998. — 28 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 26-28.
|
| 23 |
|
Высокоэнергетическая электроника: монография / Д. И. Вайсбурд [и др.] ; отв. ред. Д. И. Вайсбурд; АН СССР, Сиб. отд-ние, Институт сильноточной электроники. — Новосибирск: Наука. Сибирское отделение, 1982. — 224 с.: ил. — Библиогр.: с. 219-225. — 2.30 р. |
| 24 |
|
Компьютерное моделирование взаимодействия ускоренных ионов в широком энергетическом диапазоне с твердым телом: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.16, 01.04.07 / Е. Е. Журкин ; офиц. оппоненты: Ю. В. Трушин, В. В. Козловский; Санкт-Петербургский государственный технический университет (СПб.), Радиевый институт им. В. Г. Хлопина (СПб.). — СПб., 1995. — 16 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 15-16.
|
| 25 |
|
Физика твердого тела: республиканский межведомственный научно-технический сборник / Донецкий государственный университет (Донецк); отв. ред. В. И. Архаров. — Киев: Вища школа, 1978. — 82+6 с.: ил. — Библиогр. в конце ст. — 0.80 р.
В сборник включены работы по электронным свойствам металлов, физике полупроводников и диэлектриков, металлофизике, содержащие новые результаты теоретических и экспериментальных исследований. Рассмотрены вопросы взаимодействия электронных и ионных пучков с кристаллами, методики получения и исследования кристаллов с применением рентгеновского анализа, электронной микроскопии, методов ЭПР, ЯМР и др. Сборник рассчитан на научных работников и инженеров, занимающихся исследованиями в области физики твердого тела.
|
| 26 |
|
Генерация и диагностика мощных ионных пучков в магнитно-изолированном диоде: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / П. П. Дейчули ; науч. рук. В. М. Федоров, офиц. оппоненты: А. М. Оришич, А. В. Бурдаков; Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН (Новосибирск), Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск). — Новосибирск, 1993. — 14 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 14.
|
| 27 |
|
Зондирование электрических полей в диэлектрических слоях по отражению электронов с энергией 20 + 100 кэВ: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.16 / Ю. И. Сапожков ; науч. рук. Б. А. Кононов, офиц. оппоненты: С. А. Воробьев, Е. А. Гусев; Томский политехнический ин-т им. С. М. Кирова, Ин-т физической химии АН СССР. — Томск, 1992. — 18 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 13-14.
|
| 28 |
|
Акустическое излучение твердых тел под действием интенсивных пучков электронов наносекундной длительности: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / А. А. Беспалько ; науч. рук. Г. А. Месяц, науч. конс. Г. И. Геринг; Ин-т сильноточной электроники СО АН СССР, Томский политехнический ин-т им. С. М. Кирова. — Томск, 1982. — 171 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 157-171.
|
| 29 |
|
Математическое моделирование взаимодействия электронных, ионных и атомарных пучков с высокомолекулярными диэлектриками : автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.14 / В. В. Милявский ; науч. рук. Б. А. Скворцов, офиц. оппоненты: А. Д. Гладун, И. В. Сметанин; Объединенный институт высоких температур РАН (М.), Научно-исследовательский центр теплофизики импульсных воздействий (М.), Московский радиотехнический институт РАН (М.). — М., 1996. — 26 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 25-26.
|
| 30 |
|
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / С. Г. Сысоева ; науч. рук. В. И. Олешко, офиц. оппоненты : С. В. Никифоров, Е. И. Липатов; Нац. исслед. Томский политехнический ун-т, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. — Томск, 2018. — 23 с. — На правах рукописи. — Библиогр.: с. 20-23.
|